How does EDP make money?

３【事業の内容】

当社グループ（当社及び当社の関係会社）は、当社（株式会社イーディーピー）及び子会社２社により構成されており、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業を主たる業務としております。

なお、当社グループは、ダイヤモンド単結晶の製造、販売、開発事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載はしておりません。

当社はダイヤモンドの持つ優れた特性を広く利用する応用を開拓することで、ダイヤモンドを宝石として以外の価値を生み出して行くことを目標として2009年に設立しました。特にダイヤモンドの半導体としての特性は、理論的には非常に優れているとされていましたが、実際に利用する場合には、素材が応用に適した形状等になっていないという課題があり、その解決を目指しました。それは現在も続く課題で、半導体製造プロセスに使用する大面積のウエハを開発することです。当初より、この課題解決には長期間を要すると見込まれましたが、平板上のダイヤモンド単結晶を製作する技術を産総研から移転して、これを果たすことを目指しました。しかし、設立から３年程度で人工宝石製造がビジネスとなり始め、人工宝石製造に用いる元となる結晶（以下、「種結晶」という。）を大量に供給するビジネスを開始し、企業規模を拡大しました。

人工ダイヤモンドは宝石や研磨剤として60年以上前から広く使われています。1955年に超高圧合成法（注１）による人工合成技術が開発され、1981年には気相合成技術が開発され、各種の応用に人工ダイヤモンドが使用されています。宝石については、天然ダイヤモンドが使用されてきましたが、10数年前から人工ダイヤモンドの製品が出始め、今では相当量の人工宝石が宝石店やネットで販売されております。このような人工宝石は、ラボラトリーグローンダイヤモンド（人工ダイヤモンド：以下、「ラボグローンダイヤモンド」という。）と呼ばれ、既に欧米のみならず全世界において、市場における認知が進んでおります。

当社はこの人工宝石を製造する手法の一つである気相合成法において、宝石を成長させるための元となる「種結晶」を主要製品として、2012年以来販売してきました。販売先のラボグローンダイヤモンドのメーカーは、この種結晶を厚く成長させて原石を作り、これをカットと研磨を行い、宝石を作ります。最終的には指輪等の宝飾品に加工して、消費者に届きます。従って、当社は、ラボグローンダイヤモンド市場のサプライチェーンにおいて、最上流のポジションに位置しておりました。当社は産総研の開発した大型ダイヤモンド結晶製造技術を移転し、それによって平板状の単結晶から種結晶を製造し、ラボグローンダイヤモンドを製造する企業への販売を主なビジネスとして行ってきました。

当社が販売しております種結晶は、７ｘ７mm～15ｘ15mmの正方形で、厚さが0.2mmや0.3mmの薄い板であります。人工宝石製造会社は、これを気相合成法によって、３～10mmの厚さまで成長させます。成長しますと形状としては粒状あるいは厚い板状の宝石の原料となる結晶（原石）ができあがります。このような結晶を、カットし研磨しますと、ルース（裸石）になり、これを指輪等の宝飾品に取り付けます。当社のユーザーは原石を作っている企業でありますが、多くの場合、原石を製作する企業は、ルースまで製作し、自ら宝飾品を製造したり、宝飾業者や宝石店にルースを販売しております。当社は種結晶は直接もしくは商社を通じて人工宝石製造会社等に供給してきました。一方、当社の生産技術は、産総研が開発した手法を元にしており、この技術の知的財産権は産総研が有し、当社は特許等実施許諾契約（契約期限2026年10月31日）を締結しており、当該契約に基づき、他の製品を含み、販売した製品金額から算出した実施料を、産総研に納入しております。

当社のこのような事業は、グローバルに展開していますが、その事業系統図を以下に示します。

当社種結晶の事業系統図

宝石や研磨剤は、粒状のダイヤモンドを利用していますが、電子部品や光学部品等として利用する場合は、通常は板状の材料を使用します。当社は、ダイヤモンドの単結晶を、ガスから成長させる人工的な手法で製作し、これを電子材料の分野などへも工業材料として販売しております。一旦作製した粒状のダイヤモンドを切断して板状のダイヤモンドを作るのではなく、直接板状の単結晶ダイヤモンドを製造できることが大きな特徴です。これによって、砥粒（注２）や宝石分野以外の応用分野にとっては適用しやすいとともに、当社が採用する気相合成法以外の他の製造手法や競合他社に比べ大型で良質な単結晶が製造できるという、優位性を持っております。

現在では、当社の製品は、次第に一般的になってきている人工宝石製造に用いる元となる種結晶、ダイヤモンドを半導体材料として様々なデバイス（注３）へ使うための基板、高発熱のデバイスを冷やすための材料（ヒートシンク）、原子レベルまでの精度が要求される精密加工切削工具等の分野において利用されております。当社はこれらの分野へ製品を開発し、出荷しております。

ダイヤモンドは硬度が最も高いことから、従来から、石材などの硬質材料を切断、研磨する砥石として広く使われており、このための微小（0.3mm以下のもの）なダイヤモンド砥粒も、従来から一般的に人工合成技術によって作られておりました。一方で、ある程度のサイズを持ったダイヤモンド単結晶は、宝石としては多くの人の目に入るものですが、切削工具や光学部品として、工業用にはごく少量しか使われておりませんでした。最近になって、人工合成手法によって、ダイヤモンド宝石材料を製造する技術が完成し、大量の生産が行われるようになりました。当社のダイヤモンド単結晶は、この製造において重要な役割を果たす種結晶として使用されております。

当社のダイヤモンド単結晶製造技術は、産総研によって基本技術が生み出され、当社がこれを実用化するために、数々の開発を進めてきました。産総研はこの技術について基本的な知的財産権を持っており、当社は「産総研発ベンチャー」としてこれらの知的財産権の独占的実施権を有しています。

(1) 当社の製造技術

①ダイヤモンドの人工合成技術

ダイヤモンドは一般には天然に産するものと考えられていますが、現在使用されている工業用ダイヤモンドのほとんどは人工合成で製作されています。ダイヤモンドの人工合成法は1955年に超高圧合成法が確立し、その後当社が採用する気相合成法を含む他の２種法が登場しました。

この中で気相合成法は、メタンなどの炭素を含んだガスを、何等かの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを生成する方法であります。1981年に、日本の無機材質研究所（現在の研究開発法人物質材料研究機構）が発表して、その後多くの研究者が取り組んだ手法です。気相合成法とは物質形成手法の一つで、基本的には気相（ガス）から物質が生じる現象を利用します。気相から元素を取り出す方法が２種類あり、物理的な手法（Physical Vapor Deposition ; PVD）と、化学的な手法（Chemical Vapor Deposition ; CVD）の２つに分類されます。この内、CVD法のみでダイヤモンドを生成することができます。

CVD法では、ガスを原料として使用し、温度を上げる方法やその他の手段により、目的の物質を作り出すための反応を促進します。ガスの活性化の手段の一つが放電現象によって発生するプラズマ（注４）であり、プラズマを利用することで、目的の物質を作り出すことが可能であります。当社は、ダイヤモンドを成長させる手段として、プラズマを利用する「プラズマCVD法」を使用しております。

プラズマCVD法以外の手法でも、金属やセラミックス上にダイヤモンドを形成できますが、その場合は多結晶（非常に小さい単結晶粒子が固まったもの）のダイヤモンドとなります。単結晶のダイヤモンドを生成させるには、ダイヤモンド単結晶の上に成長させることが必要です。ある種のCVD法では、成長したダイヤモンドに、金属などの不純物が結果的に混入してしまう手法があります。当社のダイヤモンドを利用する製品用途では、ほとんどの場合純粋なダイヤモンドを成長させることが必要で、そのために成長させるための成長手法は限定されます。また、厚さ方向への成長速度が速すぎると、結晶が乱れたり、多結晶が発生することがあり、成長速度を制御できることも重要な要素です。

不純物の混入がほとんどなく、成長速度を制御できる方法は、プラズマCVD法です。この方法は、反応ガスを放電などで生成するプラズマによって分解するもので、プラズマ生成手段は色々ありますが、当社は、この手段として2.45GHzの電波であるマイクロ波（注５）を採用しております。

各プラズマ発生源（装置）がダイヤモンド成長にとって有効であることは確かめられていますが、安定性と不純物制御の観点から、当社はマイクロ波を選択しています。使用できるマイクロ波の周波数は電波法などで管理されており、2.45GHzもしくは915MHzの周波数の電波を使うことができます。当社は現在、2.45GHzのマイクロ波を使った装置で、ダイヤモンドを成長させています。この装置では、概ね直径約５cmの領域に、ダイヤモンドを形成できることが知られています。この装置の大きな特徴は、長時間の運転を安定して行うことができることや、数mmといった厚いダイヤモンドを製造することができることであります。

②ダイヤモンド単結晶を成長させる技術

単結晶とは、一つの結晶（構成する分子が規則正しく並んでいる状態）でできているもので、天然に産するダイヤモンドはほとんどが単結晶です。多結晶は、微小な単結晶が集まったもので、結晶と結晶の隣り合う部分は結晶粒界と呼ばれ、分子の整列状態が乱れた状態になっています。

ダイヤモンド単結晶を、CVD法のダイヤモンドが成長できる条件下に置くと、その上を覆うように単結晶が積み上がってきます。ここでは、成長させるための結晶を「親結晶」と言い、成長した結晶を「子結晶」と称します。成長した子結晶は、成長させた親結晶と同じ原子配列となるので、成長後には親結晶と一体の単結晶となります。成長装置形状等による限界はありますが、数mmといった厚さまでの成長は、各種の成長装置で実現しています。

単結晶の成長速度は１時間当たり１µm～20µmとされています。つまり、１mm程度の厚さを作るのに、50時間（20µm/時間）～1,000時間（１µm/時間）が必要な成長速度です。成長速度によってでき上がる結晶の特性は変化し、遅い成長速度である程、高品質の結晶が得られます。成長速度が遅ければ、成長に要する製造コストは高くなります。従って、求められる結晶品質によって、成長の条件を選択することが重要です。

気相成長した結晶の品質は、成長速度だけで決まるのではなく、混入する不純物や子結晶を成長させる親結晶の品質によっても左右されます。不純物としては窒素（N）が代表的な元素ですが、成長中の反応ガスに含まれる窒素濃度が変化すれば、広い範囲の結晶品質の変化が見られます。高窒素濃度の成長では、見た目にも黒くなり、結晶品質が悪くなります。また、親結晶に結晶欠陥（分子の整列が乱れた部分）が多数あると、成長した結晶にこの欠陥が引き継がれます。引き継がれる程度は、成長条件によってある程度制御は可能ですが、一般的にはより良い親結晶を使うことは、より良い子結晶を成長させることになります。また、同じ成長条件で同じ親結晶を使っても、成長前の親結晶の表面が汚れていれば、それが子結晶の品質悪化の原因ともなります。

多くの半導体材料（シリコン、ガリウムひ素、炭化ケイ素等）は、小さな種結晶を成長させて大きくしており、シリコンの場合では30cm（12インチ）の直径を持つ単結晶ウエハも製作できます。ダイヤモンドの気相からの成長では、この様に結晶の面積を拡大する方法は見つかっていません。すなわち、あるサイズの親結晶から成長させても、親結晶のサイズよりそれほど大きくはならず、ただ単に厚さが増すだけです。従って、ダイヤモンド単結晶の成長では、必ず最終的に必要なサイズの親結晶を使う必要があります。

単結晶を大型化するには、結晶の成長方向を変えて、繰り返し成長することが唯一の方法です。当社でも４x４mm程度の小さな元結晶から、成長させる方向を６回ほど変更することで、12x12mm以上の面積を持つ大型単結晶を製作できました。しかし、この手法を使っても、装置内でダイヤモンドが成長できる大きさには限界があり、製作できる形状も限られます。また、複数回の成長を繰り返すため、大型結晶にするには非常に長時間の成長を安定的に行うことが必要です。

2025年２月13日には、以下の写真に示すような、世界最大級の30x30mm単結晶を基板として製品化することに成功しまし、それを公表しました。この大型単結晶を開発するのには、２年以上の期間を要しました。

 30x30mmの単結晶ダイヤモンド

このようにして成長したダイヤモンドは、原子の配列が完全なダイヤモンド単結晶であり、不純物を少なく制御できれば、純粋なダイヤモンドとなります。宝石として使用されている天然ダイヤモンドのほとんどは、0.2％程度窒素を含有していますが、上記のように製作したダイヤモンドは、窒素量を0.0001％以下（1ppm）まで制御することが可能です。純粋で結晶欠陥の少ないダイヤモンドほど、宝石としての価値も高くなりますが、高品質が必要となる半導体材料や光学材料としても適した性質を実現しています。

③当社の大型単結晶製造技術

当社は産総研の技術を基にして、板状のダイヤモンド単結晶の量産技術を確立してきました。産総研の開発した大型単結晶の製造技術は、以下の２つの特徴ある技術によって構成されており、その特許を産総研が保有しています。

a.イオン注入法（注６）を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

b.モザイク結晶の製造法（複数の単結晶を接続し、大面積の疑似単結晶を製作する技術）

以下、これらの技術について概要を説明します。

a.イオン注入法を用いた、成長した単結晶の親結晶からの分離技術

上記のように、ダイヤモンド単結晶上にダイヤモンド単結晶を成長させると、一体になった単結晶ができます。親結晶と子結晶は、同じ結晶であるので境界は存在しません。子結晶を親結晶から剥がさなければ、親結晶をもう一度使うことができません。ダイヤモンドの切断は、レーザーによって行うことができるため、成長したダイヤモンドをレーザーによって切り離すことが考えられます。

数mm程度の小型のダイヤモンドをレーザー切断するのは短時間で可能で、大出力のレーザーも必要ありません。切断部分が20ｘ20mmといった大きさになると、レーザーがダイヤモンドに入り込む深さが限定されますので、切断に非常に長時間を要します。このことは切断コストが高くなることを意味し、現在のところ強力なレーザーを用いても工業的に切断できる大きさには、30ｘ30mmといった形状の限界があります。

近年利用が進んできたウォータージェットレーザーを使えば、ある程度大きな結晶を切断することは可能です。しかし、ダイヤモンドデバイス生産で要求されているのが２インチ（５cm）ウエハと呼ばれる円盤状のダイヤモンド単結晶で、この場合は直径５cmを横に切る必要があり、実現はかなり難しいと考えられています。そこでレーザー切断以外の方法で、以下の図に示す成長した結晶を切り離す技術を開発しました。

親結晶からの分離技術

この方法は、イオン注入を用いて、切り離す方法です。イオン注入は、非常に高いエネルギーにより加速したイオン（電荷を帯びた分子等）を、物質表面にぶつける手法で、半導体デバイスの製造において不純物元素を半導体材料に入れるために使用されています。少量のイオンが入った場合には、結晶は元のままを維持できますが、多量にイオンを注入した場合には、表面から侵入したイオンが一定の深さで止まりますが、その部分の結晶を乱します。当社ではダイヤモンドに炭素イオンを打ち込みますが、イオンが止まった部分で結晶を崩し、カーボン状の領域を作ります。しかし、一定の厚さの最表面はイオンが通過することができるので、ダイヤモンドの結晶は崩れておらず元の整列した状態を維持できます。どのような深さまで侵入するかは、イオンの種類、イオンの加速エネルギー、注入する相手物質の結晶構造によって異なります。

ダイヤモンドの場合は、C+（炭素原子の電子が一つ少ないイオン）を使ってイ

１【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】

当社グループの経営方針、経営環境及び対処すべき課題等は、以下のとおりであります。

なお、文中の将来に関する事項は、当連結会計年度末現在において当社グループが判断したものであります。

(1) 経営方針

当社グループは、優れた特性を持つダイヤモンドの広い応用によって、様々な分野でのイノベーションの創出を進め、地球規模での環境維持や各種の社会問題の解決を通じ、世界への貢献を目指しています。

当社グループで活動する従業員が、健康で充実した日々を送れるよう、様々な施策を講じています。また、株主や顧客、取引先などのあらゆるステークホルダーへの責任を果たすことを、経営方針としています。

(2) 経営環境等

当社グループの事業は、基本的には人工合成のダイヤモンドを販売する材料ビジネスですが、ほとんどがダイヤモンドの新しい応用を目指す分野に向けられています。天然のダイヤモンドは形状や組成が広い応用に適さないことから、人工合成のダイヤモンドを使った開発が進められています。また、伝統的な分野である宝石についても、人工合成ダイヤモンドへの転換が進んできており、米国では既に50%を超えるシェアになっているとの報道もあります。これに伴って多数の企業が設立され、活発な市場環境となっています。

しかし、2024年３月期後半から、小型宝石を中心に価格低下が急激に起こり、製造会社の採算が悪化しました。このために2025年３月期においてイスラエル、米国、インド、欧州等で関連企業の倒産や製造の停止が起こり、当社の種結晶事業にも大きな影響を与えました。特に、当社の主要ユーザーの中には、小型宝石の生産を主体とする企業があり、その倒産などによる受注の減少が、売上の減少につながりました。

一方、工具用素材としての利用も既存市場と言えます。その市場規模は安定的ではありますが、種結晶や基板及びウエハの市場と比較して市場規模が小さく、当社が幅広く参入する環境ではありません。一方で、ダイヤモンドデバイスの開発は近年急速に活発化しています。これはパワーデバイスとしてEVやHEVの電力制御等の用途へ適用できる可能性が高くなっており、量子センサーとして弱磁場計測が可能となる等の開発が進んでいます。この用途は、競合する他の材料よりダイヤモンドの方が理論的には優れた特性を持っており、優位に立てるという可能性があるからです。このためダイヤモンド素材市場は、次第に拡大してきましたが、デバイスの製品化には至っておらず、近い将来に形成されると考えられます。デバイスの製作には、既存のデバイス製作プロセスを使用することが必須であり、このためには最小でも２インチウエハ（直径50mmの円盤状）を開発する必要があります。その他にも様々な基板やウエハ、さらには基板やウエハの表面に薄い半導体動作層を形成したエピタキシャルウエハ等が商品として要求されています。２インチウエハなどのインパクトのある製品が実用化できれば、当社としては大きな展開が可能となると考え、開発に注力しております。

現在製品を供給している分野について、市場環境を以下に示します。

①ダイヤモンドデバイスウエハ及び基板の市場

ダイヤモンドデバイスの開発は、国家レベルの支援が広がっていること等で、この数年に活発化してきました。現在検討されている主なデバイスとしては、以下のようなものが挙げられます。

1>大電力を制御するパワーデバイス

2>高周波の大電力デバイス

3>耐放射線デバイス

4>量子コンピューター

5>量子センサー（主として弱磁場のセンサー）

これらのデバイスの開発の一部は実用に供するレベルの性能が確認され、量産への移行も視野に入っています。さらに、その開発を各国政府が支援するプログラムも、日米欧豪の各国で進められており、ベンチャー企業の設立支援も行われております。ベンチャー企業は各社ごとに開発製品の対象を持っており、そのために要求されるウエハ、基板及びエピタキシャルウエハは多岐に渡っております。

大電力制御のパワーデバイスの有力の応用は、EVやHEVの電力制御ユニットへの適用であります。既に自動車メーカー及び部品メーカーがこの分野の開発に着手しておりますが、自動車への適用には非常に長期に渡る信頼性確認試験が必須であり、必ずしも早期に実用化するとは言えません。当社はこの開発を手掛ける株式会社本田技術研究所（以下、「本田技術研究所」）と、共同研究を進めるべく、その基本合意書を2026年３月19日締結し、同年８月の共同研究契約の締結を進めるべく、テーマの設定などについて協議を行っています。自動車に搭載するデバイスは、要求される価格が非常に厳しいことから、従前から使われているデバイス製造プロセスを利用することは必須の条件であります。このためには最小でも２インチ（直径50mm）ウエハを実用化することが必要であり、要求されるコストを実現するには４インチ（直径100mm）以上のウエハを開発する必要があります。

当社は各デバイス開発機関が、それぞれのデバイスを製造するプロセスを確立するために、必要なウエハを供給できる時期について、ロードマップを示しております。このロードマップは、最初に2024年11月に開示し、その中で１インチウエハから４インチウエハの開発時期を示しました。１インチウエハにつきましてはほぼ計画通りに製品化できましたが、２インチウエハの開発は計画より約半年遅れております。2026年５月27日に、２インチウエハ用のモザイク結晶の開発に成功したことを公表しましたが、２インチウエハについては現在製品化を進めており、2027年３月期下期に実現できると計画しております。

耐放射線デバイスは、規模の小さい応用であり、２インチウエハが製品化できれば生産が可能と考えられますので、比較的早い時期に実用化できると想定されます。

量子センサーは、弱磁場検出用として、バッテリーの寿命検知や、心磁場計測等の医療分野への応用が期待されています。この場合にも製造コストが大きな課題となると考えており、２インチ以上のウエハを開発することは必須と考えられます。しかしこの用途では、窒素（N）と空格子（V)のペアになった欠陥（N-Vセンターと呼ぶ）を制御することが必要で、上記の各応用のような単純なダイヤモンド単結晶ウエハでは、対応できない可能性もあり、今後必要な特性を把握して開発を行う所存です。

この市場においては、当社の持っている30x30mmの単結晶が最大であり、不純物含有量や欠陥密度などの特性面においても、当社製品は優位にあります。競合する材料としては、金属などダイヤモンド以外の単結晶材料を基板として成長させたダイヤモンドを使う案が出ています。これはヘテロエピタキシャルと呼ばれる手法で、最大４インチウエハも製造できることを複数の企業が公表しています。しかしこの結晶は、一種の多結晶であり、デバイスの製作には問題があるというのが、開発機関の共通の見方です。今後結晶性能が改善される可能性は否定できませんが、現時点においては、単結晶を基本とする当社のウエハ製作方針には、一定の優位性があるものと考えております。

②人工ダイヤモンド宝石製造用の種結晶市場

a.人工宝石の製造と市場

人工ダイヤモンド宝石は超高圧合成法と気相合成法によって製作されるダイヤモンド宝石です。ダイヤモンドとしては、天然に比べ不純物が少なく純粋で、無色だけでなくピンク、ブルー、グリーン等の色がついたものも販売されております。「Fortune Business InsightのLab Grown Diamonds Global Market Report 2026によれば、ダイヤモンド宝石市場でラボグローンダイヤモンドは34％以上の市場を獲得しており、今後10年間、年13％のペースで市場拡大が進むと予測されています。

一方、生産量の拡大によって価格低下も進行しております、同一のグレードなら天然の20％以下の価格で販売されているところもあります。欧米においては、天然ダイヤモンドの採掘による自然破壊や、以前から指摘されている鉱山における児童労働等の問題があるため、人工ダイヤモンドのSDGsにおける優位点を意識する消費者が増加しております。これに対応して、宝飾店においても人工宝石を積極的に販売するところが増加しております。

人工合成のダイヤモンドを製造する方法は、超高圧法と気相合成法があります。気相合成法で作る人工ダイヤモンド宝石は、超高圧法で製造される宝石に比べ、高品質で大型のものを作ることが可能です。このため、新規に人工宝石に参入する企業の多くは、気相合成法で製造しております。特にインドにおいては、毎年多くの新規企業が設立され、既存企業の生産能力も大幅な拡大を続けております。

b.種結晶に要求される形状

この気相合成法で製作している宝石は、製作するに際して種結晶が必要とされます。通常は0.2mmないし0.3mm厚の薄い単結晶を種結晶として使用し、３～10mmの厚さに成長し、これをカット、研磨して宝石に仕上げます。

気相合成法では、結晶の成長は厚さ方向のみ成長しますが、面積方向の成長がほとんどありません。このため、成長によって種結晶の形状からの面積的な拡大が無く、宝石としての形状は上部から見た形状と厚さの関係が一定であるため、種結晶形状が宝石の大きさ（カラット数）を決定します。例えば、ブリリアントカットの場合では、直径と厚さの関係は約0.6です。このように、種結晶のサイズが、最終的に宝石となるダイヤモンドの大きさを決めるため、大きな宝石の製造を目指すには、大きな種結晶が必要となります。

最近の人工宝石市場では、大型宝石の出荷が活発となっています。天然ではほとんど市場で見られない５カラット以上の宝石を目指す動きもあり、当社は大型種結晶のニーズがあると見込んでおります。当社は５x５mm～15ｘ15mmの広い範囲の形状を持つ種結晶を製作できますが、当連結会計年度において12x12mm以上の大型種結晶の販売数が大幅に増加しています。

現在では成長装置を1,000台以上も保有する人工宝石製造会社が複数あり、これらの会社が必要とする月当たりの一つのサイズの種結晶は1,000個を超える場合もあります。このような大量の種結晶を、品質の揃ったものとするためには、生産技術の安定が必要で、当社は既にこの能力を具備しております。

当社は2026年５月13日に、16x16mm～20x20mmの大型種結晶の販売を決断し、公表いたしました。次項にも記載しましたが、インドでは大型の種結晶を用いて、一つの原石から複数の形状の異なる宝石を切り出す製造方法が普及し、種結晶の大型化が要求されてきました。このような状況に鑑み、当社はこれまで出荷していなかった大型種結晶の販売に踏み切りました。これによって新たなユーザーの獲得が可能となると考えております。

c.種結晶ビジネスの競合

当社は種結晶を独自技術により製造し人工宝石製造会社等に販売しておりますが、当社の販売先である人工宝石製造会社の一部が、成長した結晶を薄く切断して、その表面を研磨することで、自社で種結晶を製作しております。その場合には、当社と競合することになります。この手法の製造コストは、現時点では当社より高いと判断しております。また、金属等の基板上に成長した疑似単結晶を、種結晶として製造している企業もありますが、種結晶としての性能は当社種結晶より劣ることが判明しております。

インドの人工宝石製造会社は、大型の種結晶から大型の原石を製作し、そこから大小織り交ぜて複数個の宝石を切り出す技術を持っております。このことによって、小型の宝石を大型の種結晶から作る技術が実現できており、小型種結晶の需要が減少したと考えられます。また、このような技術を保有しない企業は、採算性の悪化から事業を停止することも起こったと考えられます。宝石の結晶としての品質は、後述するような半導体デバイスに要求される結晶品質に比べると、一般的には悪いものでも使用できます。宝石としての見映えは重要で、カラーやクラリティーは宝石鑑定の重要項目ですが、これらと結晶品質が必ずしも直接結びついているわけではありません。そのため、当社の種結晶より品質が劣るとされている疑似単結晶の種結晶を利用する企業もたくさんあります。

d.宝石及び宝飾品

人工宝石市場については、前述のとおり既に一定の市場が形成されており、多数の企業が参入しております。一方で、市場規模は相応に大きく、また、日本国内においては海外市場と比較して普及の余地があるものと考えております。そのため、当社が当該市場に取り組むことは、当社が製造するダイヤモンドの特長を活かした新たな事業機会の創出につながる可能性があるものと認識しております。

当社は大型単結晶を製作できることから、大型の宝石を製作できます。また、薄く大型な原石を製作することで、これまでなかったようなデザインの宝石を開発することも可能です。さらに、既に商品化しておりますように、ブルーやピンクのカラーダイヤも販売可能です。多様な宝石を製作できることから、これらを組み合わせて新しいデザインの宝飾品を検討することも可能です。

このように、当社には独自の宝石や宝飾品を市場に出せる環境ができており、日本でダイヤモンドを生産しているという他にはない特徴を持っています。これを最大限に利用して、Japan Made Diamondとして販売することを進めています。この販売方法は、日本ブランドが有効な東アジア圏でも有力な販売手段となると考えられ、ブランド化を進める所存です。一方で、宝石の製造コストは、インドや中国企業に比べて高くなることは避けられないと考えられますので、デザインのみならず、販売方法も戦略的に進める必要があると考えられます。

③光学部品及びヒートシンク

ダイヤモンドの持っている高熱伝導率や、光やX線を透過する特性を利用し、デバイスの除熱や、各種計測器、放射光施設等の部品などに利用されております。

５Gシステムに代表される先端通信分野や、データーセンターで用いられるパワーデバイス等では、高発熱のデバイスが使用されることから、熱を除去して安定的なデバイスの動作を実現する材料としてダイヤモンドの利用検討が進んでおります。また、高出力レーザーや自動車で使用するパワーデバイスの実装において、ダイヤモンドの高熱伝導率を利用する試みも、広く行われています。

ダイヤモンドを光学部品として利用し、大エネルギー密度光の透過窓として利用したり、検査機器で使用するX線源のX線を透過する窓としての利用が開始されております。また、放射光施設の窓材や計測機器に、適用することも検討が進んでいます。

これまでの市場は、散発的なアイデアで開発される部品の供給が多かったのですが、X線用窓が量産に移行した等の新しい動きがあります。当社は現在開発が進んでいるヒートシンクとしての利用について、実現性が高く、将来の大型市場を形成できることを期待しています。

④工具素材

ダイヤモンド単結晶を利用する切削、耐摩耗工具は、加工する相手材料が限定され、特殊な加工に限られております。また、工具素材の全市場では、ほとんどが超高圧合成単結晶を使用しております。超高圧合成単結晶のサイズが限定されていることから、当社の大型結晶への要求があります。なお、工具素材については、積極的に販売拡大を行わない方針であります。

(3) 目標とする経営指標

当社グループは先端技術を使っている製造業であり、製造設備への投資を継続的に行っていく必要があります。このために、高い利益率を維持し、確固たる資金調達手段を保持することが重要と考えられます。このような観点から、主な経営指標として、以下の経営指標を重視しております。

①売上高成長率

②経常利益率

③ROE

④自己資本比率

(4) 優先的に対処すべき事業上及び財務上の課題

当社グループは、2027年３月期を始期とする以下の３ヶ年の中期経営計画を策定（2026年５月27日に公表）し、その最終年度である2029年３月期に、以下の数値の達成を目標としております。第２の創業と位置づけ、当社グループ企業あげて取り組んでまいります。

＜中期経営計画＞

（当社及びSFD India Private Limited、SFD Antwerp BVの連結ベース）

 （単位：百万円）

2027年３月期

2028年３月期

2029年３月期

売上高

1,100

1,530

2,080

営業利益又は営業損失（△）

△283

△５

３【事業等のリスク】

本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち投資者の判断に重要な影響を及ぼす可能性のある事項には、以下のようなものがあります。

なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社グループが判断したものであります。

(1) 人工宝石ビジネス市場の状況

当社の最大の製品である種結晶の販売先市場であるラボグローンダイヤモンドの市場は、順調に拡大しております。

Fortune Business Insight、Lab Grown Diamonds Global Market Report 2026によれば、2025年にはラボグローンダイヤモンドの市場はダイヤモンド宝石市場の34％以上を占め、今後10年間は年率13％以上で成長すると予測されています。また、米国においては既にラボグローンダイヤモンドは50％以上の市場を獲得しているとの報道が、多数見られます。このような情勢から、当連結会計年度においてもラボグローンダイヤモンドは順調にそのシェアを広げ、天然との比率が逆転するのもそれほど遠くないと推察されます。

天然ダイヤモンドの有力な供給者であるデビアス社が、2024年３月期に２件の値下げを公表しました。2023年10月に、天然ダイヤモンドを使ったブライダル用途の宝飾品を30％程度値下げすると公表し、2024年１月には、天然ダイヤモンド全般を30～40％値下げすると公表いたしました。このことは、デビアス社が、天然ダイヤモンドがラボグローンダイヤモンドに価格競争で負けたことを認めたこととなる、と報道されております。このようにラボグローンダイヤモンドは大きな市場を獲得しており、さらに高速に市場拡大が進むと見られます。一方、生産量の拡大によって価格低下も進行しております。

また、欧米においては、天然ダイヤモンドの採掘による自然破壊や、以前から指摘されている鉱山における児童労働等の問題があるため、人工ダイヤモンドのSDGsにおける優位点を意識する消費者が増加しております。これに対応して、宝飾店においても人工宝石を積極的に販売するところが増加しております。

気相合成法で作る人工ダイヤモンド宝石は、超高圧法で製造される宝石に比べ、高品質で大型です。このため、新規に人工宝石に参入する企業の多くは、気相合成法で製造しております。特にインドにおいては、毎年多くの新規企業が設立され、既存企業の生産能力も大幅な拡大を続けております。

上述のとおり、当社は、宝飾品としてのラボグローンダイヤモンドの認知は十分進んでおり、何らかの理由によって市場が消滅する可能性は、現時点でほとんどなくなったと考えております。しかし、国内外の経済情勢の悪化や景気動向の減退等の理由により、市場の成長が鈍化したり、市場規模が縮小したりする場合には、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。ラボグローンダイヤモンドの販売価格の低下が進んでも、魅力的な商品が出てこない場合には、市場規模の拡大が遅くなる可能性はあります。このような変化に対しては、当社はその間に他の製品への転換を進めることで、当該リスクの分散を図っていきたいと考えております。

(2) 特定ユーザーへの過度の依存

当社の売上に占める種結晶の比率は、当連結会計年度の売上高の22.7％となっており、前年度から36％ほど低下しました。これはSFD Indiaの輸入ライセンスの取得が遅れ、日本からインドへの種結晶の輸出が難しい状況がありました。種結晶市場の大幅な変化で、従来の方針であった長期的な受注の獲得は、期待できない状況になっております。しかし、そのような中でも種結晶の最大のユーザーの売上比率は10.9％となっています。今後は種結晶ビジネスの回復とともに、売上高に占める種結晶の大口ユーザーの売上比率は増加するものと考えられ、依然として依存率は高い状況が想定されます。

さらに、基板、ウエハ関係の第１位の大口ユーザーの売上比率は27.3％となっています。このように、分野の異なる２ユーザーへの過度の依存状態ですので、単純な方針の変更でこれを解消できる状況にはありません。基板、ウエハのユーザー数は次第に増加しているため、第１位のユーザーの比率は低下するものと予想しております。特に、2027年３月期においては、各種のプロジェクトが進行すると見られますので、これまで受注量が少なかったユーザーからの受注拡大も期待でき、売上の分散が期待できます。

しかし、特定ユーザーへの過度の依存が継続すると、その企業やそれを取り巻く環境の変化によって、当社の受注が減少し、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。当社としては、全体の企業規模拡大に並行して、ユーザーの分散や販売分野の分散を、積極的に推進してまいります。

(3) 知的財産権管理

　①産総研との独占実施契約

当社の生産技術は、国立研究開発法人産業技術総合研究所（以下、「産総研」といいます。）が開発した手法を元にしており、この技術の知的財産権は産総研が有しております。当社は、産総研との間において、当社の製造技術に係る産総研が保有する特許の独占的通常実施権の許諾契約（以下、「原契約」といいます。）を締結しております。

原契約及びその後の原契約の独占的通常実施権の許諾期間の変更契約による許諾期間が2023年10月31日に満了いたしましたため、2023年12月21日に、産総研の保有する特許の再実施許諾権付通常実施権を有する株式会社AIST Solutionsとの間において、原契約の独占的通常実施権の許諾期間の変更契約を締結し、許諾期間について３年間の延長を行っております。

なお、原契約及び原契約に基づく許諾期間の変更契約について、継続に支障をきたす要因は発生しておりませんが、当社の帰責事由により、原契約及び原契約に基づく許諾期間の変更契約が解約され、原契約に基づく許諾期間の変更契約の許諾期間満了前に終了した場合には、当社の財政状態及び経営成績に重大な影響を及ぼす可能性があります。

2023年12月21日に締結した原契約に基づく許諾期間の変更契約による許諾期間は、2026年10月31日に満了を迎えますので、今回と同様に許諾期間の変更契約を締結する所存です。仮に、この満了時期に許諾期間の変更契約が締結できない場合でも、非独占的通常実施権が特許の存続期間満了日まで付与される契約となっておりますが、他社が産総研に対して実施権を要求すること等により、産総研が他社と非独占的通常実施権を付与する契約を締結した場合は、当該他社は当社の競合となる可能性があり、当社の財政状態及び経営成績に重大な影響を及ぼす可能性があります。仮に、他社が産総研から実施権の許諾を受けた場合でも、多くのノウハウの確立や多数の親結晶の作製に年単位の時間が必要と考えられるため、当社が競争優位性を継続して確保できると考えております。

②知的財産権の取得方針、侵害等

当社は、生産技術が漏洩することを防ぐため、これまで特許などの出願を行わない方針としておりました。生産技術には多数のノウハウがあり、これが技術の実現には重要なカギとなっています。しかし、製品に関連する特許などについては、当社が権利を保有することが重要である場合が出てきているため、前事業年度において、製品に係る特許を出願いたしました。当連結会計年度において、実用製品をいくつか販売開始したこともあり、知的財産権の出願は重要な状況になっております。今後もこのような知的財産権について権利化できるように、出願及び審査を進めてまいります。また、技術的なよりどころとなっている産総研の特許群については、維持及び他社による模倣状況のチェックを行っております。しかしながら、他社との間で知的財産権を巡る紛争が生じた場合や、他社から知的財産権を侵害された場合には、事業活動に支障が生じ、当社の経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

主力製品である種結晶については、これまで出願された特許は見つかっておらず、公知となって長期を経過していることもあり、特許上の係争が起こる可能性は低いと考えております。

一方、宝石については、商標を含めさらに詳しい調査が必要と考えております。デザインについては、判断が難しい部分がありますので、この分野に専門を持つコンサルタントなどからのアドバイスをもらうことを考えております。

(4) 生産技術の模倣

当社は、産総研が保有する特許について、独占的通常実施権の許諾契約（その後の許諾期間の変更契約を含む。）を締結して利用しております（許諾期間満了日：2026年10月31日、契約に含まれる特許数：特許の存続期間満了となったものを除き国内外の総件数15件、独占的通常実施権の継続はその時点で産総研及び産総研の保有する特許の再実施許諾権付通常実施権を有する株式会社AIST Solutionsと協議を予定、許諾期間満了後も各特許の存続期限まで非独占実施権は付与されます。）。

当社では、特許の技術による種結晶製造のノウハウを確立するため、産総研と共同研究を行って来ており、製品化までのノウハウについては特許に記載されていないこともあり、他社が容易に模倣することは難しいと考えております。しかしながら、他社が当社の技術を模倣し種結晶等の製造を行うことになった場合、事業活動に支障が生じ、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。

なお、現在の独占的通常実施権の許諾契約は15件の特許を包括的に締結していますが、個々の特許の存続期限が今後次々に到来するので、それらの重要性に鑑み、契約書の内容を変更する必要が出てくると考えられます。その時には、当社の事業継続と特許の期限を迎えていない技術の占有状況が維持でき、リスクを最小限とするよう、産総研及び株式会社AIST Solutionsと契約内容を協議いたします。

(5) 退職者による技術・ノウハウ流出

当社の生産技術には産総研の特許権のほかに生産ノウハウがありますが、当社は漏洩が起こらないよう常に管理を行なっており、役職員の退職時には秘密保持誓約書を提出させることとしております。しかし、生産ノウハウ等の情報流出及び新規製品の開発計画の漏洩が発生し、他社が当社の生産技術を模倣したり、同様の製品開発を行ったりする場合には、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。産総研特許の範囲である基幹技術については、独占実施権で守られておりますので、流出してもリスクは大きくないと判断しております。

(6) 競合他社について

①ユーザーが自家生産する種結晶との競合

当社は種結晶を独自技術により製造し人工宝石製造会社等に販売しておりますが、当社の販売先である人工宝石製造会社から取引に際して当社から購入した種結晶から種結晶を再製作しない旨の宣誓書を入手しております。しかし、当社の販売先である人工宝石製造会社の一部が、当社から購入した種結晶を利用して厚く成長させた結晶を薄く切断して、その表面を研磨することで、種結晶を製作しています。その場合には、当社と競合することになります。この方法の製造コストは、現時点では当社より高いと判断しておりますが、宝石製造会社の技術進捗や購入する装置が安価化することによって、当社の製造コストの優位性がなくなり、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。

既にこの手法で種結晶を生産しているユーザーもありますが、一方では継続して当社の種結晶を購入しており、販売先としての関係は、状況を監視しながら継続いたします。

②疑似単結晶ダイヤモンドの種結晶への適用

ダイヤモンド単結晶以外の物質を使って、その上に成長したダイヤモンドが、一定以上大きな結晶粒径となる場合があり、疑似的に単結晶と扱う場合があります。セラミック単結晶基板にIr（イリジュウム）薄膜を成長させて一定の方向を向い結晶の基板を作る技術と、剣山状に加工したセラミック基板にダイヤモンドを成長することで単結晶の成長数を限定する技術が知られております。20x20mm以上の大型の結晶を製作できるとの報告があります。この結晶を種結晶として発売している企業があるとの情報を入手しております。

しかし、この結晶は原石の成長時に亀裂が発生するなどの問題に加え、カラーや結晶のゆがみ等のために、できあがった宝石は当社種結晶を使用した場合に比べ、歩留が悪いことが判明しております。これは、完全な単結晶でないために、種結晶に残留する応力が影響するためと考えられております。

また、この製品を販売してきた企業は、2022年に米国のラボグローンダイヤモンド製造企業に買収されました。その後インドにおいて、その結晶のコピーが販売されております。

上記のように、ラボグローンダイヤモンド企業は自家生産した種結晶を製作していますが、この疑似単結晶を作る動きが多く見られ、当社にとって大きな脅威となっております。前事業年度において当社15x15mm種結晶を実用化しましたが、ブリリアントカットの場合この単結晶は10ct相当のルースを生産できますので、多くのユーザーにとっては十分な形状の種結晶を販売できる状況になっております。

当社は、2025年２月に30x30mm単結晶を実用化しましたが、15x15mm以上の種結晶を製品化することは、その結晶のコピーが作られることによって、当社の強みを削ぐことになると懸念しておりますので、種結晶の更なる大型化については慎重に検討してまいります。

2026年５月13日に、16x16mm～20x20mmの大型種結晶を販売することを公表しました。既にインドユーザーから大型種結晶の注文が入っており、当社としてはこれに応えるため、早期の販売を決断いたしました。

③疑似単結晶大型ウエハ

上記の疑似単結晶で、２インチ以上の大型ウエハが開発されたとの報告があります。米国企業の１社は、５年前に４インチウエハの公開を行っていますが、未だに２インチウエハすら実用化できておりません。この原因として、でき上がったウエハ素材が、フラットな形状となっておらず、研磨ができないという問題点が指摘されています。また、実質的に多結晶としての特性で、単結晶として使用するのには多くの問題点がある、との指摘もあります。

当社は、大型の単結晶を開発し、それを横方向に接続するモザイク結晶で２インチ以上の大型ウエハを開発すべく取り組んでおり、2025年２月には30x30mmの世界最大の単結晶を実用化しました。また、この単結晶を使った１インチウエハを2025年４月に実用化しました。さらに４個の結晶を接続した２インチウエハを、2025年末までに実用化するというロードマップを公開しておりましたが、当連結会計年度において開発ができませんでした。これは単結晶の接続部分に応力が発生し、割れたり、亀裂が発生したりする現象が起こったためです。これを軽減するための方策を検討し、対応をとっているところです。

しかし、先行してこのようなウエハが実用化する可能性もあります。大型のウエハが利用できることは、デバイス製造工程にとっては大きな利点があります。このようなウエハの性能が向上すれば、当社が製品化を計画している大型ウエハの実用化に大きな影響を与える可能性があります。

2026年５月27日に、２インチウエハ製作用の53x53mmモザイク結晶の開発に成功したことを開示しました。このモザイク結晶を用いて、従来の工程により２インチウエハの製作を進め、2027年３月期下期での２インチウエハの製品化に取り組んでまいります。

(7) 生産装置の陳腐化

当社では種結晶の成長装置の性能向上等を目的として、産総研や装置製造会社との共同開発を実施し、2022年11月に新設された島工場において、新成長装置が稼働しました。その性能は計画段階の想定と差異がなく、従来の成長装置よりも30％以上生産の効率が向上しました。しかし、競合他社でもある人工ダイヤモンド宝石製造会社が成長装置の大幅な技術革新を実現した場合、当社の成長装置の性能が陳腐化することでコスト競争力が失われ、当社の経営成績及び財政状態に影響を与える可能性があります。また、産総研とも共同研究などを通じて、成長装置の高度化を進める所存で、リスクを下げるような各種の対策を講じております。

(8) 重要な生産装置の重大な故障

当社の生産工程において、必ず使用する必要があるイオン注入装置を２台保有しております。しかし、製品が多角化してきたことで、一部のエピ基板の製造設備が１台しかないという状況も生まれております。当社では定期的な設備点検により故障を防止する対策を行っておりま

（２）【役員の状況】

①　役員一覧

男性7名　女性1名　（役員のうち女性の比率12.5％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

(株)

代表取締役

社長

藤森　直治

1949年７月３日生

1975年４月　住友電気工業株式会社入社

2003年４月　独立行政法人産業技術総合研究所（現国立研究開発法人産業技術総合研究所）入所

2009年９月　当社設立　取締役

2010年４月　国立大学法人東京大学生産技術研究所顧問研究員

2010年５月　一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム顧問（現任）

2010年５月　当社代表取締役社長（現任）

2012年４月　独立行政法人産業技術総合研究所（現国立研究開発法人産業技術総合研究所）

名誉リサーチャー（現任）

2024年１月　エス・エフ・ディー株式会社代表取締役社長

2024年７月　SFD India Private Limited　取締役（現任）

2025年３月　SFD Antwerp BV　取締役（現任）

（注）３

1,062,900

代表取締役副社長兼

総務部長

髙岸　秀滋

1950年11月23日生

1974年４月　東レ株式会社入社

2002年５月　東洋サービスコミュニティ株式会社　リフォーム部長

2008年11月　医療法人快生会事務局長（出向）

2011年５月　当社入社　総務部長

2015年６月　当社取締役兼総務部長

2017年５月　当社常務取締役兼総務部長

2022年６月　当社専務取締役兼総務部長

2023年６月　当社代表取締役副社長兼総務部長（現任）

（注）３

61,500

常務取締役兼生産部長

林　雅志

1959年７月10日生

1985年４月　日本ペイント株式会社入社

2013年４月　同社生産技術部長

2019年10月　当社入社

2020年２月　当社製造部長

2020年４月　当社生産部長

2020年６月　当社取締役兼生産部長

2022年６月　当社常務取締役兼生産部長（現任）

（注）３

11,200

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

(株)

取締役

光田　好孝

1959年11月１日生

1993年７月　東京大学生産技術研究所助教授

2002年12月　文部科学省高等教育局高等教育企画課専門官（2005年３月まで兼職）

2005年６月　国立大学法人東京大学生産技術研究所教授

2009年４月　同大学総長特任補佐（財務担当）

 （2013年３月退任）

 同大学生産技術研究所副所長

 （2014年３月退任）

2014年５月　一般社団法人ニューダイヤモンドフォーラム会長

2020年３月　同大学　退職

2020年４月　独立行政法人大学改革支援・学位授与機構研究開発部教授

2020年６月　国立大学法人東京大学名誉教授（現任）

2022年６月　株式会社UACJ社外取締役（現任）

2023年６月　当社社外取締役（現任）

2025年４月　独立行政法人大学改革支援・学位授与機構研究開発部特任教授（現任）

（注）３

2,000

取締役

槇　徳子

1964年８月17日生

1988年４月　中部日本放送株式会社入社

1991年４月　株式会社テレビ東京入社

2008年２月　株式会社エムシーストラテジー設立　代表取締役（現任）

2022年６月　株式会社ミンカブ・ジ・インフォノイド社外取締役

2025年６月　当社社外取締役（現任）

（注）３

1,000

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

(株)

常勤監査役

岡田　宗久

1958年４月12日生

1981年４月　住友金属工業株式会社(現日本製鉄株式会社)入社

2005年７月　住友チタニウム株式会社(現株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ)転籍

2015年６月　株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ常勤監査役

2019年７月　公益財団法人黒川古文化研究所入所

2021年６月　当社常勤監査役（現任）

（注)４

－

監査役

大松　信貴

1970年７月24日生

1996年10月　太田昭和監査法人（現EY新日本有限責任監査法人）入所

2016年７月　金融庁公認会計士・監査審査会公認会計士監査検査官

2020年８月　大松公認会計士事務所所長（現任）

2021年２月　川上塗料株式会社社外監査役（現任）

2021年６月　株式会社エスティック社外取締役（監査等委員）（現任）

2021年９月　株式会社タケウチ建設社外監査役（現任）

2023年６月　当社社外監査役（現任）

（注)５

－

監査役

大塚　仁

1958年12月４日生

1983年４月　株式会社東京芝浦電気（現株式会社東芝）入社

2008年６月　Toshiba Electronics Europe GmbH(TEE)　代表取締役社長

2011年６月　Toshiba America Electronic Components Inc　代表取締役社長

2015年10月　株式会社東芝　執行役常務　内部監査部長

2020年６月　株式会社東芝　執行役常務　取締役会監査委員会室長

2025年６月　当社社外監査役（現任）

（注)４

－

計

1,138,600

(注) １．取締役光田好孝氏及び槇徳子氏は、社外取締役であります。

２．監査役岡田宗久氏、大松信貴氏及び大塚仁氏は、社外監査役であります。

３．取締役の任期は2026年６月23日開催の定時株主総会終結の時から2027年３月期に係る定時株主総会終結の時までであります。

４．監査役岡田宗久氏、大塚仁氏の任期は2025年６月26日開催の定時株主総会終結の時から選任後４年以内に終了する事業年度のうち、最終のものに関する定時株主総会終結の時までであります。

５．監査役大松信貴氏の任期は2023年６月23日開催の定時株主総会終結の時から選任後４年以内に終了する事業年度のうち、最終のものに関する定時株主総会終結の時までであります。

６．当社は、管理体制の強化・効率化を目指し経営層を厚くするため、執行役員制度を導入しております。執行役

 員は２名で、執行役員・営業部長の中西正氏及び執行役員・開発部長の古橋匡幸氏になります。

②社外役員の状況

　当社は、社外取締役２名、社外監査役３名を選任しております。

社外取締役光田好孝氏は、ダイヤモンドに関する豊富な学識経験及び大学運営や産学官連携に関わる豊富な経験並びに他社の社外取締役を務めてきた経験を有しております。同氏は、社外役員になること以外の方法で会社経営に直接関与されたことはありませんが、当社の研究開発へ客観的視点から有益な助言を行っていただくとともに、独立した立場からの当社の経営判断への助言・提言及び取締役の職務執行の監督に適していると判断し、当社の社外取締役に選任しております。

同氏は、当社株式を2,000株保有しております。なお、当社と同氏との間にその他の人的関係、資本的関係または取引関係その他の利害関係はありません。

社外取締役の槇徳子氏は、株式会社エムシーストラテジーの代表取締役の経歴や産学官連携に関わる豊富な経験並びに他社の社外取締役を務めてきた経験と幅広い見識を有しており、経営者としての経験や経営に関する見識を豊富に有していることから、独立した立場からの当社の経営判断への助言・提言及び取締役の職務執行の監督に適していると判断し、当社の社外取締役に選任しております。

同氏は、当社株式を1,000株保有しております。なお、当社と同氏との間にその他の人的関係、資本的関係または取引関係その他の利害関係はありません。

社外監査役の岡田宗久氏は、上場企業での常勤監査役業務経験と監査役の職責を果たすための幅広い見識を有しており、当社の業務執行の適法性を監査することが期待できると判断し、当社の社外監査役に選任しております。

当社と同氏との間にその他の人的関係、資本的関係または取引関係その他の利害関係はありません。

社外監査役の大松信貴氏は、公認会計士・税理士として財務及び会計並びに税務に関する相当程度の知見を有し、加えて上場企業の社外取締役（監査等委員）及び社外監査役としての経験と監査役の職責を果たすための幅広い見識を有しており、当社の業務執行の適法性を監査することが期待できると判断し、当社の社外監査役に選任しております。

当社と同氏との間にその他の人的関係、資本的関係または取引関係その他の利害関係はありません。

社外監査役の大塚仁氏は、上場企業の執行役や上場グループ企業の代表取締役社長並びに内部監査部長、取締役会監査委員会室長としての実績があることから、当社の業務執行の適法性を監査することができると判断し、当社の社外監査役に選任しております。

当社と同氏との間にその他の人的関係、資本的関係または取引関係その他の利害関係はありません。

当社においては、社外取締役または社外監査役を選任するための独立性に関する基準または方針について特段の定めはありませんが、その選任に際しては、経歴や当社との関係を踏まえて、一般株主との利益相反が生じることのないように東京証券取引所の独立性に関する判断基準等を参考にしており、また、専門的な知見に基づく客観的かつ適切な監督または監査といった機能及び役割についての判断をしております。

③社外取締役又は社外監査役による監督又は監査と内部監査、監査役監査及び会計監査との相互連携並びに内部統制部門

　との関係

社外取締役は、取締役会の監督機能を強化するため、毎月あるいは随時開催される取締役会に出席して、それぞれの専門的見地から必要に応じて意見を述べるとともに、監査役と情報交換を行い、取締役の業務執行を監督しております。

また、ビジネス状況や関連する学術情報を入手し、各役員との面談等の方法により、コミュニケーションを図っています。

社外監査役は、毎月あるいは随時開催される監査役会及び取締役会に出席し、それぞれの専門的見地から必要に応じて意見を述べるほか、定期的に、会計監査人から会計監査に関する説明を受け、意見交換等を行っております。

また、各部門や内部監査室からの各種報告を受け、会計監査人との情報共有を図り、監査役会での十分な議論を踏まえて監査を行っております。

２【沿革】

当社は、独立行政法人産業技術総合研究所（以下「産総研」）のダイヤモンド単結晶製造技術の事業化を目的として、産総研ダイヤモンド研究センター長であった藤森直治（現当社代表取締役社長）を中心に設立されました。

2009年９月

大阪府池田市緑丘一丁目８番31号に資本金10,000,000円で株式会社イーディーピーを設立

2009年10月

営業開始

産総研の研究成果を活用した事業を行う設立５年以内のベンチャーに付与される「産総研発ベンチャー」の称号付与

2010年10月

2011年５月

2011年10月

2012年10月

2012年11月

2013年10月

2015年４月

2015年11月

2017年11月

2021年12月

2022年２月

2022年６月

2022年11月

2023年８月

2023年11月

2024年１月

2024年７月

2024年９月

2025年１月

2025年２月

2025年３月

2025年４月

2025年９月

2026年３月

2026年５月

12.5mm長の長尺工具素材の発売

国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構(NEDO)・イノベーション推進事業に採択

本社及び本社工場を大阪府茨木市五日市一丁目７番24号に移転

本社及び本社工場を大阪府豊中市上新田四丁目６番３号に移転

１インチ（25x25mm）基板の発売

(111)面（注１）研究用基板の発売

大阪府茨木市横江一丁目17番３号に横江第１工場（現在は横江工場に改称）を設置

Bドープエピ層（注２）付き基板の発売

10x10mm種結晶（注３）の発売

本社工場の稼働を停止し、横江第２工場（現在は開発部の拠点に変更）の設置準備を開始

大阪府茨木市横江一丁目２番９号に横江第２工場（現在は開発部の拠点に変更）を設置

東京証券取引所グロース市場に株式を上場

大阪府茨木市四丁目26番６号に島工場を設置

横江第１工場を横江工場に改称し、横江第２工場を開発部の拠点に変更

低抵抗ダイヤモンド基板の発売

15x15mm単結晶基板、種結晶の発売

エス・エフ・ディー株式会社を設立

SFD India Private Limitedを設立

13x13mm大型低抵抗ダイヤモンド基板の発売

エス・エフ・ディー株式会社によるラボラトリーグローンダイヤモンド宝石の発売

30x30mm単結晶基板の発売

SFD Antwerp BVを設立

ダイヤモンド１インチ単結晶ウエハの発売

エス・エフ・ディー株式会社によるカラーダイヤモンド宝石の発売

連結子会社のエス・エフ・ディー株式会社を吸収合併

ラボラトリーグローンダイヤモンド製造用20×20㎜までの大型種結晶の発売

２インチウエハ製作用モザイク結晶の開発に成功

（注）１．ダイヤモンド単結晶のデバイス応用に利用する結晶面の一つ。最も硬い面でありますが、n形半導体（電子が移動する半導体）を作製する成長工程においては、P（リン）を含有する層を成長させやすいので、半導体関連の研究で使用されます。また、量子デバイス用に、利用するN-Vセンターを整列することができる結晶面として利用されています。

 ２．半導体材料として使用するには、その物質の中を電子もしくは正孔（通常の状態に比べ電子が足りない状態）のどちらかが移動できるようにすることが必要です。このような２種類の半導体を、ｎ形半導体（電子が移動する半導体）、ｐ形半導体（正孔が移動する半導体）と呼びます。ダイヤモンドは絶縁体でありますが、半導体化するには、周期律表のⅢ属元素（BやAl）やⅤ属元素（P、As、Sb）を混入させます。ｎ形半導体にはP（リン）を、ｐ形半導体にはB（ボロン）を、結晶内に取り込ませれば（このことをドーピングという）それぞれの特性を持つ半導体となります。中でも、Bドーピングしたダイヤモンドは、広い範囲の電気伝導率の制御が可能で、比較的利用が容易であります。当社は、通常の基板上にBドープ層を成長させエピ基板や、高濃度のBを含有した低抵抗基板を製品化しております。

 ３．種結晶とはラボラトリーグローンダイヤモンド宝石を製造するために、気相合成法（メタンなどの炭素を含んだガスを、何らかの手段で活性化し、1,000℃程度の温度でダイヤモンドを成長させる方法）でダイヤモンドを成長させるための、元となる結晶であります。当社の主力製品で、代表的には７x７～15ｘ15mmの形状を持ち、通常は0.3mmの厚さの板状のダイヤモンドであります。