How does Kioxia Holdings make money?

３【事業の内容】

　当社及びその子会社（以下「当社グループ」という。）は、本書提出日現在、当社及び連結子会社22社（国内７社、海外15社）により構成されています。当社グループは、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行っています。当社グループ及び関連会社等６社（国内４社、海外２社）は、メモリ及び関連製品の製造、販売、研究開発、その他サービスを行う、世界最大級（注）のフラッシュメモリ専業プレイヤーです。

　（注）　出典：TechInsights Inc.“NAND Market Report Q1 2026”による。2025年４月から2026年３月におけるビット生産量ベース（Sandiskグループの生産量を含む。）

　なお、当社は、有価証券の取引等の規制に関する内閣府令第49条第２項に規定する特定上場会社等に該当しており、これにより、インサイダー取引規制の重要事実の軽微基準については連結ベースの数値に基づいて判断することとなります。

　当社グループの報告セグメントは「メモリ事業」単一でありますが、売上収益を製品の用途に応じたアプリケーション別に、「SSD & ストレージ」、「スマートデバイス」及び「その他」に区分しております。「SSD & ストレージ」には主にPC、データセンター、エンタープライズ向けSSD製品及びメモリ製品が含まれております。「スマートデバイス」にはスマートフォン、タブレット、テレビ等の民生機器、車載、産業機器等の用途で使用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品が含まれています。「その他」にはSDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社３社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれています。

　当社グループ及び関連会社等各社の報告セグメントにおける位置付けと製品分野別の事業内容は以下のとおりです。

（本書提出日現在）

報告セグメント

当社及び関係会社の位置付け

製造

販売

研究開発

その他サービス

メモリ事業

キオクシア㈱、キオクシア岩手㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアエネルギー・マネジメント㈱、キオクシア半導体台湾社、Solid State Storage Technology Corporation、フラッシュパートナーズ㈲、フラッシュアライアンス㈲、フラッシュフォワード合同会社、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス㈱

キオクシア㈱、キオクシアアメリカ社、キオクシアヨーロッパ社、キオクシア中国社、キオクシア韓国社、キオクシアシンガポール社、キオクシア台湾社、Solid State Storage Technology Corporation

キオクシア㈱、キオクシアエンジニアリング㈱、キオクシアシステムズ㈱、キオクシアテクノロジーUK社、キオクシアイスラエル社、Solid State Storage Technology Corporation

キオクシアエトワール㈱

　当社グループのメモリ事業が開発・製造・販売しているNAND型フラッシュメモリとは、当社グループが1987年に発明し世界標準となった不揮発性半導体メモリ（注１）であり、大容量のデータ保存を可能にする記憶用デバイスです。スマートフォンで写真・動画などを保存するために使われるほか、身近な電子機器やデータセンター等においても、欠かすことのできないコアデバイス（基幹部品）となっています。当社グループは市場の要求に応えるために、フラッシュメモリの微細化（注２）による大容量化、及びコスト低減を推進してきました。もっとも、極度の微細化には電子同士が干渉しエラーが起きやすくなるという課題がありました。そこで当社グループではメモリセルを積み上げることで干渉を防ぐ積層化技術（注３）により、大容量化と信頼性の向上、低消費電力化を実現したBiCS FLASH™を開発しました。本書提出日現在は第８世代BiCS FLASH™を量産しています。第８世代BiCS FLASH™には、高メモリ密度の実現により高性能動作を図るため、CBA（CMOS directly Bonded to Array）（注４）とOPS（On Pitch SGD）（注５）という新技術が用いられています。近年、フラッシュメモリ市場においては、データセンター、エンタープライズ向けSSDの需要が拡大しており、これまで以上に大容量化、信頼性の向上、低消費電力化が求められています。当社グループは、更なる大容量化、高速化に向けた次世代の半導体メモリの開発も進めています。

　フラッシュメモリチップは、当社グループの四日市工場及び北上工場において製造しています。半導体は材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむため工程は数百に及び、製造プロセスの効率化は至上命題です。四日市工場及び北上工場では、生産効率の向上と生産コストの低減に向けた生産ラインの自動化を徹底しており、特に四日市工場では2022年10月に竣工した四日市第７製造棟を含む６つの製造棟を棟間搬送で連結する統合生産体制を確立しております。さらに、高い生産効率を実現するため、開発と量産の拠点一体化、AI・ビッグデータを活用したスマートファクトリー化も進めております。

　また、今後も続くと想定される３次元フラッシュメモリの需要に継続的に対応するため、BiCS FLASH™の生産能力の増強を目的として、2022年４月から北上工場第２製造棟（Ｋ２棟）の建設を開始し、2025年９月に稼働を開始しております。四日市既存製造棟と同様に、地震の揺れを吸収する免震構造を採用するとともに、最新の省エネ製造設備の導入や再生可能エネルギーの利用などで環境面も重視した工場となっております。また、四日市工場とともに人工知能（AI）を活用した生産システムの導入などを推進し、全社製造オペレーションの生産性及びフラッシュメモリ製品の品質をさらに向上させます。今後も大容量化に向けた技術開発、生産体制の拡大、コントローラ（ICチップ／ファームウェア）開発等の強化により、技術力とコスト競争力の両面における長期的な優位性の確保に努めてまいります。

　なお、当社グループは、Sandiskグループとの間で製造合弁契約を締結し、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する製造合弁会社３社を設立しています。合弁契約に基づき、製造合弁会社３社が当社グループ及びSandiskグループからの資金借り入れ又は製造合弁会社３社によるリース契約により生産設備を調達し、当社グループの四日市工場及び北上工場に設置、キオクシア株式会社が製造合弁会社３社から製造委託を受け、無償貸与された生産設備にて生産をしております。当社グループとSandiskグループは、合弁事業を通じて四日市工場と北上工場の生産能力合計の約80％を共有し、当社グループが残りの約20％を単独で所有しています。合弁契約に基づき、当社グループとSandiskグループは、それぞれ製造合弁会社３社が所有する生産能力の各半分（すなわち、上記２工場の生産能力合計の各約40％）を割り当てられている一方、当社グループは上記２工場の運営を行い、製造ノウハウを有しています。また、当社グループは、製造合弁会社３社各社の議決権の50.1％を所有しており、IFRSに基づく共同支配事業として、その資産、負債、収益及び費用の50％を連結財務諸表に計上しています。なお、当社グループ及びSandiskグループは、2026年１月に四日市工場におけるこの製造合弁会社の契約期間を、従来の2029年12月31日から2034年12月31日に５年間延長しました。この契約期間延長にあわせて、契約条件も見直し、当社グループは、Sandiskグループに対する製造サービスの対価として、2026年から2029年にかけて、合計11億6,500万米ドルを受領する予定です。これにより、当社グループはSandiskグループとの合弁事業を当社グループが提供する戦略的及び技術的価値、並びに生産プロセスが創出するNAND市場での付加価値の対価を反映したモデルへと転換しました。

　SSD & ストレージの主要製品であるSSD（Solid State Drive）は、半導体メモリ（フラッシュメモリ）を記憶素子とするストレージ製品です。HDDに比べて読み出し性能、衝撃・振動等の耐環境性、静寂性に優れ、待機時の消費電力が低いことも特徴の一つです。AIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスの普及等により、今後も成長が見込まれています。当社グループはクライアント及びエンタープライズ製品において最先端PCIe®製品を他社に先駆けて上市し、市場における優位性を確立しているものと認識しています。また、自社製フラッシュメモリを活用し、一般汎用品から高付加価値品まで幅広いラインアップを展開しています。

　スマートデバイスにおいては、スマートフォン、タブレット、ウェアラブルデバイス、テレビ等の民生機器、車載、産業機器など、幅広いアプリケーションで利用される制御機能付きの組み込み式メモリ製品群に注力しています。特にスマートフォン向けメモリ製品の市場は依然として規模が大きく、成長しているアプリケーションであり、当社グループにとって重要なマーケットとなっております。

　また、その他には、SDメモリカード、USBメモリ等のリテール向け製品及び製造合弁会社３社経由で計上されるSandiskグループ向けの売上収益等が含まれます。

　今後も製品ラインアップの強化とサポート体制の強化により、市場でのプレゼンス向上を目指します。

アプリケーション別売上収益比率（2026年３月期）（注６）

　（注）１．不揮発性半導体メモリとは、電源を切っても記憶が消えないメモリです。

２．微細化とは、メモリチップの中の回路線幅を狭くすることでメモリセル（１ビットの情報を保持するために必要な回路構成）の面積を縮小する技術です。

３．積層化技術とは、メモリセルを多層構造にする技術です。

４．CBAとは、メモリセルの制御を担うCMOS回路とメモリセルアレイを２枚のウエハーに別々に作製し、その後２枚のウエハーを貼り合わせる技術です。

５．OPSとは、選択ゲート分離体を、メモリ機能を持つメモリストリング間に配置し、ダミーメモリストリングを削除することで、メモリ密度を高める技術です。

６．小数点以下第２位を四捨五入しております。

（事業系統図）

○印は連結子会社、※印は関連会社等です。

（注）　キオクシア株式会社及びキオクシアシステムズ株式会社のほか、キオクシアエンジニアリング株式会社において研究開発活動を行っています。また、キオクシアイスラエル社とキオクシアテクノロジーUK社においてはSSDソフトウェア・SSD製品に係る研究開発活動を、Solid State Storage Technology CorporationにおいてはSSD製品に係る研究開発活動を行っています。

１【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】

　文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において、当社グループが判断したものです。なお、本書で記載する市場データは外部の調査会社の調査に基づくものであり、当社では正確性を独自に検証しておらず、現在及び将来における実際の市場の規模・状況と大きく異なる可能性があります。

(1）経営の基本方針

　当社グループは、「『記憶』で世界をおもしろくする。『記憶』の可能性を追求し、新しい価値を創り出すことで、これまでにない体験や経験を生み出し、世界を変えていく。」とのミッションのもと「『記憶』の技術をコアとして、一人ひとりの新たな未来を実現できる製品やサービス、仕組みを提供する。」というビジョンを掲げ、「メモリ技術」で新しい時代を切り拓き、世界を変えていくことを目指しています。

　ミッション・ビジョンを実現するために、従業員一人ひとりが取り込んでいく価値観を以下の行動方針としてまとめています。

・　一人ひとりが夢を持ち、語ることができる

・　制約を設けず、可能性を追求する

・　柔軟な発想で自ら考え、行動する

・　多様な価値観を尊重し、協力し合う

・　常に誠実さと、透明性をもって行動する

(2）経営環境及び経営方針

　世界中に広がるデータエコノミーの波の中で、人々が扱うデジタルデータの総量は増加の一途を辿っており、これまで、日々増加するデジタルデータの処理のために、デジタルカメラ、スマートフォン、タブレット端末、PC等においてフラッシュメモリが使用されてきました。今後も、AIの発展により、世界における生成データ量は増加していくと言われております。当社は、オートモーティブ、エンターテインメント、ロボティクス、医療・ヘルスケア、インダストリーなど様々なシーンでメモリが果たす役割が重要になると考え、フラッシュメモリの利用も伸長すると見込んでおります。

　また、フラッシュメモリの技術革新とそれによる記憶容量の増大は、様々なフラッシュメモリのアプリケーションへの採用と新しいマーケットの創出を牽引してきました。さらに、データ量の増加とフラッシュメモリの技術革新によって、HDDから、読み出し性能、衝撃・振動等の耐環境性、静寂性及び待機時の省消費電力性等により優れるSSDへの置き換えも進んでいます。データ量の増加とフラッシュメモリの技術革新の好循環によって、フラッシュメモリ市場は成長を続けるものと当社は考えております。

　近年は、AI活用の普及やクラウドコンピューティング等ビッグデータビジネスの進展により、データセンター、エンタープライズ向けフラッシュメモリ需要の拡大傾向に加え、スマートフォン及びノートPC搭載メモリも大容量化傾向にあります。アプリケーション別では、SSD & ストレージ向けメモリ及びスマートデバイス向けメモリのそれぞれについて、記憶容量ベースでの市場規模は拡大傾向にあり、今後も記憶容量ベースでの市場規模の拡大傾向を当社は見込んでいます。

　急速なAIの普及により、AI搭載製品の比率が高まると予想されており、これはフラッシュメモリの需要増加にさらにつながる可能性があります。また、生成AIが生成したデータは自動的にデバイスに保存されることとなるため、その結果、必要な１個当たりメモリ容量が増加することとなり、大容量のAI搭載製品がさらに普及することが予想されます。

　さらに、データセンターからのフラッシュメモリ需要も、AIサーバーを中心に拡大すると予想されています。従来のサーバーとは異なり、AIサーバーには、電力効率が高く、高速なデータ転送ができるストレージが求められるところ、SSDは、DRAM及びHDDと比較して、性能、消費電力及びコストの面でバランスが良いことから、AIサーバーに不可欠なものとなると当社は考えています。

　さらに、データセンター向けフラッシュメモリ需要は、AI学習サーバー及びAI推論サーバー向けフラッシュメモリ需要の増加により加速しており、今後もAI推論サーバーを中心に成長することが見込まれます。

　加えて、フラッシュメモリ市場は、一般に、急速な技術革新と生産性の向上、顧客からの需要の変動と継続的な価格下落圧力、競合他社との市場シェア獲得競争等により、需給の循環的変動傾向が顕著であり、周期的に市況の改善と悪化が繰り返されていると考えております。

　当社グループとしては、このようなマーケット環境において、当社グループの強みと考える高成長市場にアクセス可能な幅広い製品ポートフォリオをもって、規模が大きく高成長が見込めるエンドマーケットにて、これらのアプリケーションにおける各主要顧客との強固な関係構築を継続してまいります。また、業界をリードする技術競争力を有するフラッシュメモリ業界におけるテクノロジーリーダーとして、市場リーダーの求める製品の開発を推進するとともに、世界最大級（注）のフラッシュメモリ工場を活用し、生産規模及び生産効率を最大化することで高いコスト競争力を実現してまいります。

（注）　TechInsights Inc.“NAND Market Report Q1 2026”による。2025年４月から2026年３月におけるビット生産量ベース（Sandiskグループの生産量を含む。）

　足元の世界経済は、原油価格の高騰など地政学要因によるインフレ圧力の再燃リスクの下で、日本を除き、高金利長期化の局面にあり、金融環境は引き締まった状態が続いています。この結果、不動産市場や投資活動には下押し圧力がかかり、特に中国の不動産不況が世界経済の持続性に対する主要なリスク要因となっています。また、米国政府による各種関税など、地政学リスクは引き続き高い状況にあり、これらの要因により世界経済における不透明な見通しが続いています。

　フラッシュメモリ市場においては、2023年後半からフラッシュメモリ製造業者各社の減産及び投資抑制が効果を表し始め、また顧客における在庫水準が適正化に向かったため、需給バランスの改善と販売価格が上昇しましたが、2024年後半からPC・スマートフォン顧客の在庫調整等により、価格や物量の下落が発生しました。足元のフラッシュメモリ市場は、好調なAI用途のデータセンター・エンタープライズ向けSSDがNAND市場の需要をけん引しており、需要が供給を上回る状況から販売価格が上昇しています。アプリケーション別では、スマートデバイスにつきましては第８世代BiCS FLASH™への移行が本格化したことなどから堅調な需要が継続しています。SSD & ストレージにつきましては、データセンター・エンタープライズSSDの需要がAI需要により堅調に伸長しています。中期的にもAI用途向けの大容量、高速、低消費電力のSSDの伸長が見込まれています。

　当社グループは、当社グループの掲げるミッション及びビジョンを実現するため、当社グループの経営環境を踏まえた経営方針・経営戦略を実施していくとともに、将来に亘って「メモリ技術」で新しい時代を切り拓き、世界を変えていくことを目指すべく、2024年11月22日に長期財務モデルを策定し、公表しました。しかしながら、足元のAI市場の成長を背景とするフラッシュメモリの旺盛な需要により、当社グループの業績も急速に改善したことで、当該長期財務モデルを大幅に上回って成長している状況にあるため、2026年６月２日開催のInvestor Dayにて、これまでの長期財務モデルに代わるものとして、最新の市況を踏まえた事業戦略を説明いたしました。

　このような経営環境において、当社グループは、次の経営方針・経営戦略によりビジョンを実現していきます。

［SSD & ストレージ］

　SSDは高成長が期待されるアプリケーションですが、その中でもクラウドサービスの普及に伴うデータセンター向けの需要や、エンタープライズ向けストレージ機器の組み込み容量の増加等を受けて、データセンター・エンタープライズSSD市場について成長が見込まれると当社は考えております。

　データセンターからのフラッシュメモリ需要は、今後AIサーバーを中心に拡大すると予想されており、AIサーバーの増加に伴い、より大きな記憶容量のSSDの需要が喚起されると考えられます。

　かかる市場環境を踏まえ、当社グループは、中期的には大手データセンター、エンタープライズ顧客向けを中心としたデータセンター、エンタープライズSSDのより高いシェアの確保に取り組み、長期的にはSSD市場におけるより高いシェアの獲得を目指します。生成AIの普及により、データ生成と活用が加速し世界のデータセンターへの投資が拡大しています。この市場を支えるために、当社は、第８世代BiCS FLASH™ ３次元フラッシュメモリを搭載した、データセンターや高性能計算（HPC）、生成AI用途向けの高速NVMe™ SSD「KIOXIA CM9/CD9Pシリーズ」のサンプル出荷を2025年５月に、業界初245.88TBの大容量エンタープライズSSD「KIOXIA LC9シリーズ」のサンプル出荷を2025年８月に開始しました。これらの製品群に加え、生成AIの回答精度向上に貢献するベクトル探索ソフトウェア「KIOXIA AiSAQ™」の技術を発表し、製品と組み合わせることで、システム全体のパフォーマンス向上に寄与しています。サーバーはリアルタイム処理へ移行し、低遅延ネットワークの重要性が増しています。2026年にはAIが大規模言語モデルの「学習」から「推論」へと移行し、推論ワークロードが急増すると予想されています。これに対応する「KIOXIA GPシリーズ」のコンセプトとして、NVIDIA Storage-Next™アーキテクチャー向けに高性能・低遅延なメモリ拡張を可能にするKIOXIA Super High IOPS SSDを2026年３月に発表しました。業界のキープレイヤーとのコラボレーションを通して、AIインフラに適した多様なソリューションを展開し、デジタル社会の持続的な発展を支援します。

　さらに、一般消費者向け市場をターゲットとするSSDであるクライアントSSD（PC、ラップトップ、タブレットコンピュータ等の一般消費者向け市場をターゲットとするSSD）についても、当社は成長が見込まれると考えております。

　クライアントSSDについては、2020年７月に台湾・LITE-ONテクノロジー社から買収したSolid State Storage Technology Corporationの開発リソースと当社開発リソースを融合し、技術力の強化と開発の効率化によって、お客様の要求にタイムリーに応えていきます。

　さらに、急速に普及しているAIの活用に伴い、大規模言語モデルの開発、学習、推論用途でデータセンター、エンタープライズ向け大容量ストレージの需要の高まり、AIを搭載したエッジデバイスの登場によるクライアントSSD市場の更なる拡大も期待されております。当社グループはこのような新たな市場の変化を逃すことなく、業界主要企業との関係性構築に努めながら、新たな需要の喚起、創出、販売の拡大を目指します。

［スマートデバイス］

　スマートフォン市場は依然として規模が大きく、成長しているアプリケーションであり、当社グループにとって引き続き重要なマーケットとなっています。今後、スマートフォン出荷台数については、これまでと同様の伸長は期待できないと考えられるものの、スマートフォン１台当たりのフラッシュメモリ搭載量は成長を続けると予想され、スマートフォン向けのフラッシュメモリの需要を牽引していくと見込んでおります。

　スマートフォン市場において、当社グループは、これまで培ってきた技術力、生産能力、生産性等に基づき、グローバルな主要企業と強固な関係性を長年に亘って構築しており、当該顧客のみが有する最先端のテクノロジーニーズに対応した信頼性の高い高品質な製品やサポートを提供しております。当社グループのかかる強みを活かして、記憶容量ベースでの市場拡大に合わせて、「BiCS FLASH™」の大容量化・積層化・量産化を推進することで、今後もスマートフォンの高機能化、大容量化を支えてまいります。

［生産・販売］

　当社グループが製造合弁契約を締結しているSandiskグループと合わせたフラッシュメモリの当社グループ及び関連会社等のビット生産量は世界最大級となる29％（注）のシェアを有しております。さらに、拡大するフラッシュメモリ市場に対応すべく、四日市工場及び北上工場の生産能力の強化により、更なる出荷量の拡大を図ります。また、フラッシュメモリの製造は、材料となるシリコンウエハー上に微細な集積回路を作りこむため、工程は数百に及び、製造プロセスの効率化が重要になります。当社グループは、製造過程におけるAIの活用や、四日市工場において製造棟間を繋ぐ棟間搬送を駆使し、製造棟全体の設備の稼働率を高めることで生産性を向上させる統合生産体制を採用することにより、各工場の知見とデータを相互に活用することで、高い生産効率の実現を図っていきます。今後も継続して生産効率の向上を図り、フラッシュメモリ市場の需要成長に見合う出荷量成長率（メモリ容量単位の前年比成長率）を維持することを目指しております。また、設備投資についても引き続き規律あるアプローチを採用した上で、投資の効率化を図ります。加えて、ギガバイト当たりのコストの削減も図ってまいります。

　販売に関しては、海外現地法人リソースを充当するとともに、効率的な顧客管理（CRM）等、顧客のニーズに対応した販売インフラの拡充を進めます。

（注）　TechInsights Inc.“NAND Market Report Q1 2026”による。2025年４月から2026年３月におけるビット生産量ベース（Sandiskグループの生産量を含む。）

［研究開発］

　データ処理量の増大に伴い、フラッシュメモリに代表される不揮発性半導体メモリについても、特にSSD用途において高速動作が要求される傾向にあります。当社グループは、フラッシュメモリ業界のパイオニアとして1987年に世界初のNAND型フラッシュメモリを発明し、1991年には世界で初めてNAND型フラッシュメモリを量産しました（注１）。また、2024年には当社グループのSSDが、国際宇宙ステーション（ISS）での科学実験を行うサーバーのストレージに使われました。本書提出日時点では、CBA技術・OPS技術や218層積層プロセスを用いた第８世代BiCS FLASH™を製品化するなど、コスト効率を高めながらメモリ容量を拡大する技術革新を行ってきました。直近２連結会計年度における当社グループの売上収益に占める研究開発費並びに販売費及び一般管理費（注２）の割合（平均）はそれぞれ6.8％及び4.1％（合計10.9％）であり、他社の公表情報も踏まえれば同業他社と比べて売上収益に比して低い水準に留めていると認識しており、コスト管理に対して規律あるアプローチを維持しています。

　更なる技術革新に向けて、2023年６月に横浜市内に新たな研究・技術開発施設の稼働を開始しました。これにより分散していた技術開発機能を集結し、フラッシュメモリ、SSDの研究開発の効率性を高めます。また、2024年４月に先端技術研究所を新設し、AI技術の基礎研究からその応用、また次世代メモリ等の研究開発、新規事業につながる技術創出を強化していきます。

　当社グループは今後も技術力を武器に、大容量、低コスト、高性能化による市場競争力のあるフラッシュメモリの開発を進めるとともに、信頼性、安定性も備えた、フラッシュメモリ新製品に代わる次世代メモリの開発も進めていきます。そして、これら将来のビジネスに必要な研究開発投資を積極的に行います。

（注）１．上記における発明、開発、量産及びサンプル出荷に関する記述については、当社グループ調べによります。

２．販売費及び一般管理費に含まれる研究開発費を控除し、買収等に伴い発生したPPA（Purchase Price Allocation）による影響額や、勤務継続型株式報酬制度及び業績連動型株式報酬制度における報酬の当年度費用計上額などを調整したものです。PPAについては、株式会社Pangeaによる旧東芝メモリ株式の買収等に伴い実施した資産の公正価値を基礎とした取得金額の配分手続を指します。以下同じです。

［財務施策］

　当社グループは、中長期的に、想定されるフラッシュメモリ市場の需要成長に見合う出荷量成長率（記憶容量ベース）を維持すること、メモリ製品の販売価格が過去と同程度

３【事業等のリスク】

　当社グループの事業領域であるメモリ事業においては、高度で先進的な技術が事業遂行上必要である上に、グローバルな激しい競争があります。当社グループでは、「第４　提出会社の状況　４　コーポレート・ガバナンスの状況等　（１）コーポレート・ガバナンスの概要　③　企業統治に関するその他の事項　ロ．リスク管理体制の整備の状況」に記載のとおり、社長執行役員をリスクマネジメント・コンプライアンス責任者とし、また、リスクマネジメント・コンプライアンス委員会や個別の委員会での審議等を通じて、ビジネスリスク、財務・会計リスク、情報セキュリティリスク等の経済活動を遂行する上で生じるリスクについて、リスクの特性に応じた詳細な分析と管理を実施しております。かかるリスク・コンプライアンスマネジメントを通じて、当社の経営者が認識している当社グループの事業等のリスクのうち主要なものは以下のとおりですが、これらは当社グループの全てのリスクを網羅したものではなく、記載された事項以外の予見できないリスクも存在します。このようなリスクが現実化した場合には、当社グループの事業、経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があります。

　なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において入手し得る情報に基づいて当社グループが判断したものであり、不確実性が内在しているため、実際の結果とは異なる可能性があります。

(1)事業環境及び経済情勢に係るリスク

①フラッシュメモリ市場の循環的・短期的変動

　フラッシュメモリ市場は、一般に、急速な技術革新と生産性の向上、顧客からの需要の変動と継続的な価格下落圧力、競合他社との市場シェア獲得競争等により、需給の循環的変動傾向が顕著であり、周期的に市況の改善と悪化が繰り返されています。2022年後半から2023年にかけて経験したように、当社グループ及び競合他社による生産量の拡大や顧客の過剰在庫等により需給バランスに不均衡が生じる場合、フラッシュメモリ製品の販売価格が急速かつ大幅に下落する可能性があります。当社グループは、当該リスクへの対応として、月に１度、業績や市況等の事業の状況を確認する機会を設け、市場の最新動向や顧客の製品動向、リテールの価格状況、顧客の在庫、競合他社の状況を確認して、調査会社等の情報をもとに経済情勢や最新の需給状況を把握し、当社グループの販売状況や生産、開発及び財務状況を確認し、適切に経営判断に反映するよう努めております。しかしながら、そうした経済情勢や需給状況の予測は極めて困難であり、またその経営判断への反映も適時・適切に行える保証はありません。従って、需給バランスが崩れ、顧客の需要又は販売価格が継続的に低迷する場合、当社グループの売上の減少や、工場稼働率の低下に伴う売上総利益率の悪化により当社グループの経営成績及び財政状態に重大な悪影響を及ぼす可能性があります。

　フラッシュメモリ市場においては、AIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスの普及など、デジタル社会の進展によりメモリ需要が中長期的に拡大することが調査会社等により予測されていますが、かかる予測は直近の低迷期を事前に予測しておらず今後も正確ではない可能性があります。また、フラッシュメモリ市場においては、当社グループの価格決定力は限られていることから、中長期的には、記憶容量ベースの販売価格は過去と同様のペースで下落する可能性があります。当社グループはコスト削減等により、収益性の向上に努めておりますが、今後経済情勢又はフラッシュメモリの需給状況により、当社グループの想定を上回る販売価格の下落又はフラッシュメモリ需要の減少が発生した場合には、当社グループの事業、経営成績及び財政状態に重大な悪影響を及ぼす可能性があります。

②需要変動

　当社グループの製品に対する需要は、経済情勢、個人消費、技術革新、規制環境のほか、当社グループの製品が使用される最終製品の消費者市場や顧客の動向などの要因により左右され、とりわけ現時点における当社グループの主要な顧客であり、今後もAI分野での需要拡大が見込まれるデータセンター、エンタープライズ向けSSDや、引き続き当社グループの売上の相当程度を占めるスマートフォン市場の動向の影響を強く受ける傾向にあります。さらに、在庫管理を含むサプライチェーンが複雑化する傾向にあり、またデータセンター、エンタープライズ向けSSDは極めて限られた数の大口顧客が市場シェアの大半を占めていることから、市場の動向や顧客の需要の予測には困難が伴います。実際に、新型コロナウイルス感染症の拡大後の大口顧客による在庫調整や競合他社の生産量の変動の影響により需給バランスが悪化したことを受け、当社グループは2022年10月から2024年３月にかけて生産調整を実施し、今後も市場の需給バランスが悪化した場合には同様の対応をする可能性があります。当社グループは、当該リスクへの対応として、上記「①フラッシュメモリ市場の循環的・短期的変動」に記載のとおり、経済情勢及び最新の需給状況の把握とその経営への反映に努めておりますが、かかる需要を事前に正確に予測することは困難であり、当社グループが、かかる需要の変化を予測できず、又はかかる変化に適時・適切に対応できない場合には当社グループの製品が顧客あるいは最終製品市場の消費者の要求水準に見合う製品を供給できず、顧客からの受注を失う、想定した販売規模や収益性を下回る、あるいは供給過剰による販売価格の下落等が生じるなど、当社グループの事業、経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

　また、データセンター等のストレージ、スマートフォン、サーバー等、当社グループの製品の顧客における新製品の売れ行きや大容量化の進展遅れ等様々な要因による需要の急減、又は当社グループの想定する時期若しくは規模での需要拡大が生じない可能性があります。また、それにより価格の下落、生産量の過剰が発生し、当社グループの経営成績に影響を及ぼす可能性があります。

③AI関連市場の成長

　近年、AI技術の進展にともない、AIを搭載したスマートフォンやPC、データセンターを含むAI関連の機器やサービスが急速に普及しています。これらのAI関連の機器やサービスには大容量のメモリ系半導体を必要とすることから、AI関連の需要は今後フラッシュメモリの需要を中長期的に牽引することになると期待されていますが、AI関連市場が予想されたとおりに成長する保証はないうえ、DRAMを含む他のメモリ半導体やHDDが存在する状況においてAI関連市場の成長がフラッシュメモリの需要につながるとは限りません。当社グループは、このような新しい需要の獲得に対応するため、市場の調査、分析やお客様との対話を積極的に行い、AI関連のニーズの把握に努め、研究開発を推進しております。しかしながら、AI関連のニーズに適合するための先端的なフラッシュメモリ技術の研究開発や、競争力のある価格での量産化の実現については、これらを他社に先駆けて実行できない場合や、他のメモリ半導体が需要を獲得し、当社グループがAI関連需要を取り込むことができなかった場合には、当社グループの経営成績に影響を及ぼす可能性があります。

④競合他社との競争、買収や合弁会社設立等による業界再編

　当社グループは海外を中心としたグローバルな大企業である競合他社との厳しい競争下にあり、また、フラッシュメモリは主要な競合他社が限定されていることから、主要な競合他社の技術や設備への投資、販売量、戦略等による影響を強く受ける傾向があります。競合他社の中には、フラッシュメモリに加えてDRAMを提供するなど、当社グループにない技術を保有し、当社グループよりも大きな資金力を有している企業もあり、当社グループよりも競争力において優位に立つ可能性があります。また、中国においては、政府の支援による半導体の国産化に向けた動きの加速も見受けられる一方、米中貿易摩擦の影響により今後中国における海外企業の参入や事業活動に制約が生じる可能性もあります。また、中国のほか、米国、EU及び韓国等においても、政府が半導体事業に対して多額の補助金を提供しており、かかる補助金の交付を受けた製造業者が生産効率を度外視した性能やキャパシティの向上を図る可能性もあり、グローバルな競争はさらに加速しています。今後、当社グループが、市場シェアの維持、拡大を図るためには、主要製品の市場の動向や顧客のニーズを適時・適切に把握し、競合他社に対して、特に販売価格、性能、生産効率の優位性を維持することが不可欠です。当社グループは、当該リスクへの対応として、競争力のある製品を市場に供給するため、競合他社の動向を常に確認し、また、研究開発、生産効率の改善、高集積化による利益率の向上を図る取り組みを続けておりますが、それらの実現が他社に遅れ、販売価格の前提となる生産効率、性能、生産量が競合他社に劣る場合、利益率の圧迫や、顧客からの製品の受注を失い、又は当社グループのシェアを維持することができないことにより、当社グループの事業、経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

　また、メモリ・半導体市場は、市況の変化も大きく、当社グループを含めグローバルに事業を展開する事業者が多数います。このような事業環境下で、SK hynix Inc.は、Intel Corporationのフラッシュメモリ事業を買収し、また、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業は、Sandiskグループとして分離するなど、メモリ・半導体市場においては、今後も事業の買収、事業提携等が行われる可能性があります。これらの買収等に当社グループが含まれる場合も含まれない場合も、当社グループの競争環境が大きく変化する結果、当社グループの競争力が悪影響を受ける可能性があります。

　さらに、キオクシア株式会社及び製造合弁会社３社は、我が国政府から、四日市工場におけるフラッシュメモリの生産に関し、2022年度から2025年度までに約929億円の補助金が交付されました。また、キオクシア株式会社、キオクシア岩手株式会社及び製造合弁会社３社は、我が国政府から、四日市工場及び北上工場におけるフラッシュメモリの生産に関し、最大で1,500億円（未交付分は2026年３月31日時点で約318億円）の補助金が交付される予定となっております。これら補助金を含め、かつ、Sandiskグループの取得分を除くと、当社グループは、2025年３月期に437億円、2026年３月期に564億円の資産の取得に対する補助金の交付を受けておりますが、当社グループが今後も同様の条件のもとで補助金の交付を受けることができる保証、また、補助金の交付によって当社グループが外国政府より不利な取扱いを受けないという保証はなく、今後の条件によっては当社グループの経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があり、また、当社グループの資金調達を含む事業活動に制約が生じる可能性があります。

⑤マクロ経済の変動

　当社グループはグローバルに事業を展開しており、当社グループの経営成績も、世界、主要国の経済動向の影響を受けます。当社グループは、マクロ経済環境の影響に対応するための情報収集に努め、変化に対する必要な対策を講じる体制を整備しており、例えば、サプライチェーンの強化等の対策を実施しておりますが、米中貿易摩擦とこれに伴う中国企業への規制の強化、米国における経済政策の変更や関税政策の変更、中国その他の新興国の成長の減速等による国内外における経済活動や消費の停滞とこれに伴う市場環境の悪化、ウクライナ情勢や中東情勢、台湾をめぐる潜在的な対立を始めとする地政学リスクの上昇、原材料及びエネルギー価格等の高騰、金融市場の急激な変動等様々な要因により、製品需要、販売価格、生産活動に影響が生じた場合には、当社グループの売上の減少や、工場稼働率の低下に伴う売上総利益率の悪化に繋がる可能性があり、これにより当社グループの事業、経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

⑥規制環境の変動

　当社グループは、全世界において事業を展開しているため、各国で規制を受けるところ、半導体については各国において経済安全保障上の重要性が認識され、規制が大幅にかつ急激に変更される可能性があります。当社は、かかるリスクへの対応として、報道や各国当局の公表資料、法律事務所等のアドバイザーからの情報、JETRO、JEITA、CISTEC、米SIA等の業界団体活動を通じて得る情報等により、主要各国の規制動向の情報を早期に入手することに努め、必要に応じて社内周知を行うことにより、法規制遵守の徹底、事業影響への最小化を図っています。しかしながら、これらの対応策が有効に機能する保証はなく、国内外の各地域の政治、社会情勢や政策の変化、投資規制、収益の本国への送金規制、輸出入規制、外国為替規制、税金、贈収賄規制、競争法関連規制等を含む各種規制の動向が各地の需要、当社グループの事業体制に悪影響を与える可能性があり、これにより当社グループの事業展開及び経営成績に影響を及ぼす可能性があります。特に米中貿易摩擦に伴う関税、税金その他の輸出入関連規制や運用見直しにより、中国に所在する当社グループの主要顧客への販売が制限される又はかかる規制により当該顧客の生産量が減少する場合には、かかる主要顧客からの当社グループの売上収益が大幅に減少する可能性があり、また、当社グループが規制の対象となり米国に所在する当社グループの主要顧客との取引が制約される可能性や、米国に所在する当社グループの主要顧客が中国市場へのアクセスを失い生産量が減少し、当該顧客に対する当社グループの売上収益が減少する可能性、当社グループの原材料や生産設備の調達先が規制対象となり、必要な原材料等の調達等に影響を及ぼす可能性があるなど当社グループの事業展開及び経営成績に重大な影響を及ぼすおそれがあります。また、米中貿易摩擦がさらに激化した場合や中国に対する規制の強化等がなされた場合には、米中各政府により、相手国企業に対する更なる規制強化、経済制裁、法令の制定又は改正等がなされる可能性もあり、その内容と当社及び競合他社の対応状況等によっては、当社グループの事業、経営成績及び財政状態に重大な影響を及ぼす可能性があります。

(2)経営方針・経営判断に係るリスク

①経営戦略に関するリスク

　当社グループは、当社グループの掲げるミッション及びビジョンを実現するため、当社グループの経営環境を踏まえた経営方針・経営戦略を実施していくとともに、将来に亘って「メモリ技術」で新しい時代を切り拓き、世界を変えていくことを目指すべく、足元のAI市場の成長を背景とするフラッシュメモリの旺盛な需要も勘案した事業戦略を策定しております。しかしながら、(i)AI需要の成長を背景にフラッシュメモリ市場が、調査会社等によって予測されているとおり（上記「１　経営方針、経営環境及び対処すべき課題等　(2）経営環境及び経営方針」参照）に成長しない可能性、(ii)他社との競合や技術革新によりデータセンター、エンタープライズ向け製品に係る当社の市場シェアが伸び悩む可能性、(iii)他社の増産による需給関係の悪化や顧客との交渉等によりフラッシュメモリの単価が伸び悩む可能性、(iv)円安やインフレの影響、サプライチェーンリスクの顕在化、人材の不足等により、当社による生産設備の増強や生産効率の向上が当社の予定どおりに実施されない可能性があります。当社は当該事業戦略の遂行に努めてまいりますが、上記の各リスクや本「３　事業等のリスク」記載の他のリスクが顕在化した場合には、当該事業戦略と大きく異なる結果となる可能性があります。

②フラッシュメモリ市場の予測と設備投資

　当社グループは、需要動向、生産プロセス技術の開発状況及びその投資効率などを総合的に勘案しつつ、四日市工場及び北上工場における生産設備等への投資並びに研究開発等に係る設備投資を行う予定です。しかしながら、生産開始時点で、需要予測に対して市場が大きく変動した場合、生産設備過剰若しくは不足により、利益率の悪化、過剰在庫の発生、販売量又は販売価格の下落、固定資産の減損、あるいは販売機会の喪失やシェアの低下に繋がる可能性があります。当社は、設備投資の決定の際に、最新の需要予測や経営環境を確認し、リスクを評価しておりますが、フラッシュメモリ市場における需要の正確な予測は困難であり、また、製造設備、インフラの発注納期が長いため、これらの評価や予測が正確であるとの保証はなく、当社

（２）【役員の状況】

①　役員一覧

　a．2026年６月24日（有価証券報告書提出日）現在の当社の役員の状況は、以下のとおりです。

男性9名　女性－名　（役員のうち女性の比率－％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

代表取締役

早坂　伸夫

1955年８月７日

1984年４月　㈱東芝　入社

2001年７月　セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第五部長

2004年10月　セミコンダクター社プロセス技術推進センター半導体プロセス開発第三部長

2007年12月　セミコンダクター社先端メモリ開発センター長

2013年10月　セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社半導体研究開発センター長

2014年６月　執行役常務

 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社半導体研究開発センター長）

2015年３月　執行役常務

 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長）

2015年10月　執行役常務

 （セミコンダクター＆ストレージ社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー）

2016年４月　執行役常務

 （ストレージ＆デバイスソリューション社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー）

2016年６月　執行役常務

 （ストレージ＆デバイスソリューション社副社長、同社統括技師長、同社事業化推進プロジェクトチームプロジェクトマネージャー）

2017年４月　旧東芝メモリ㈱　取締役副社長（技術本部長）

2017年６月　旧東芝メモリ㈱　取締役副社長（技術本部長）　退任

2017年６月　㈱東芝　執行役常務　退任、旧東芝メモリ㈱　技術統括　就任

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 副社長執行役員、技術統括責任者

2019年７月　当社　代表取締役　副社長執行役員

2019年７月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 代表取締役　副社長執行役員、技術統括責任者

2020年１月　当社　代表取締役社長　社長執行役員

2020年１月　キオクシア㈱　代表取締役社長　社長執行役員

2026年４月　当社　代表取締役（現任）

2026年４月　キオクシア㈱　代表取締役（現任）

（注１）

－

取締役

会長執行役員

ステイシー・スミス（Stacy J. Smith）

1962年10月26日

1988年８月　Intel Corporation　入社

2010年６月　GEVO Inc.　取締役

2011年11月　Autodesk Inc.　取締役

2014年１月　Virgin America Inc.　取締役

2018年１月　Intel Corporation　退社

2018年６月　Autodesk Inc.　取締役会長（現任）

2018年７月　Metromile Inc.　取締役

2018年10月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）取締役　会長執行役員（現任）

2019年３月　当社　取締役　会長執行役員（現任）

2023年１月　Wolfspeed Inc.　取締役

2024年３月　Intel Corporation　取締役（現任）

（注１）

－

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

杉本　勇次

1969年７月11日

1992年４月　三菱商事㈱　入社

2000年12月　リップルウッド・ホールディングスＬＬＣ　入社

2001年10月　㈱デノン　取締役

2003年６月　コロンビアミュージックエンターテインメント㈱　取締役

2003年６月　㈱ディーアンドエムホールディングス　社外取締役、指名委員

2005年６月　フェニックスリゾート㈱　取締役

2005年６月　㈱ディーアンドエムホールディングス　監査委員、報酬委員

2005年７月　㈱ＲＨＪインターナショナル・ジャパン　マネージングディレクター

2006年６月　ベインキャピタル・アジア・ＬＬＣ（現ベインキャピタル・ジャパン・ＬＬＣ）　マネージングディレクター

2007年６月　サンテレホン㈱　社外取締役

2009年３月　㈱ディーアンドエムホールディングス　取締役

2009年12月　㈱ベルシステム24　社外取締役、指名委員、監査委員、報酬委員

2010年２月　㈱ヒガ・インダストリーズ　取締役

2010年３月　㈱ドミノ・ピザジャパン　取締役

2010年５月　㈱ベルシステム24　取締役、指名委員、監査委員、報酬委員

2011年11月　㈱すかいらーく　社外取締役

2012年６月　㈱すかいらーく　取締役

2012年７月　ジュピターショップチャンネル㈱　取締役

2014年３月　㈱マクロミル　社外取締役

2014年３月　㈱ベルシステム24ホールディングス　取締役、指名委員、監査委員、報酬委員

2014年７月　㈱マクロミル　取締役、監査委員

2015年３月　大江戸温泉ホールディングス㈱　社外取締役

2015年３月　㈱ベルシステム24ホールディングス　取締役

2015年３月　㈱マクロミル　指名委員、報酬委員

2015年５月　㈱雪国まいたけ（現ユキグニファクトリー㈱）　取締役

2015年６月　㈱ニチイ学館　社外取締役

2015年７月　日本風力開発㈱　取締役

2016年２月　大江戸温泉物語㈱　取締役

2017年６月　㈱Pangea　代表取締役

2018年３月　㈱アサツー　ディ・ケイ　取締役・監査等委員

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役

2018年９月　大江戸温泉物語ホテルズ＆リゾーツ㈱　取締役

2019年１月　㈱ＡＤＫホールディングス　取締役・監査等委員

2019年３月　当社　取締役（現任）

2019年５月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役（退任）

2019年８月　㈱Works Human Intelligence　取締役

2019年９月　チーターデジタル㈱（現エンバーポイント㈱）　取締役

2020年４月　昭和飛行機工業㈱　取締役

2020年８月　㈱ニチイ学館　取締役

2020年10月　昭和飛行機都市開発㈱（昭和の森デベロップメント㈱（2024年１月清算）） 取締役

2021年３月　㈱WHI Holdings　取締役・監査等委員

2021年４月　㈱ニチイホールディングス　取締役

2022年11月　㈱マッシュホールディングス　取締役

2023年１月　㈱プロテリアル　取締役（現任）

2023年３月　㈱ストリートホールディングス　代表取締役

2023年４月　㈱エビデント　取締役

2023年７月　㈱WHI Holdings　監査等委員

2024年６月　㈱アウトソーシング　取締役

2024年７月　㈱スノーピーク　取締役（現任）

2025年１月　ベインキャピタル・プライベート・エクイティ・ジャパン・LLC（現ベインキャピタル・ジャパン・ＬＬＣ）　日本代表・アジア太平洋地域代表（現任）

2025年７月　㈱BREXA Holdings　取締役（現任）

2025年７月　田辺三菱製薬㈱（現　田辺ファーマ㈱）　取締役（現任）

2025年９月　㈱ヨーク・ホールディングス　取締役（現任）

2026年３月　㈱BREXA Holdings　監査等委員（現任）

（注１）

－

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

末包　昌司

1981年１月21日

2004年４月　ボストン・コンサルティング・グループ合同会社　入社

2006年８月　ベインキャピタル・アジア・ＬＬＣ（現ベインキャピタル・ジャパン・ＬＬＣ）　アソシエイト

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役

2019年３月　当社　社外取締役

2019年５月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役（退任）

2020年４月　昭和飛行機工業㈱　取締役

2020年８月　当社　社外取締役（退任）

2020年８月　当社　監査役

2020年10月　日本風力開発㈱　取締役

2022年４月　㈱ニチイホールディングス　社外取締役

2023年１月　㈱プロテリアル　取締役（現任）

2023年４月　㈱エビデント　取締役（現任）

2024年５月　㈱T&K　TOKA　取締役（現任）

2024年８月　当社　監査役（退任）

2024年８月　当社　取締役（現任）

2025年１月　ベインキャピタル・プライベート・エクイティ・ジャパン・LLC（現ベインキャピタル・ジャパン・LLC）　パートナー　日本プライベート・エクイティ共同責任者（現任）

2025年７月　田辺三菱製薬㈱（現　田辺ファーマ㈱）　取締役（現任）

2025年８月　㈱ジャムコ　取締役（現任）

（注１）

－

社外取締役

鈴木　洋

1958年８月31日

1985年４月　HOYA㈱　入社

1993年６月　HOYA㈱　取締役

1997年６月　HOYA㈱　常務取締役

1999年４月　HOYA㈱　常務取締役エレクトロオプティクスカンパニープレジデント

1999年６月　HOYA㈱　専務取締役

2000年６月　HOYA㈱　代表取締役社長

2003年６月　HOYA㈱　取締役兼代表執行役最高経営責任者

2004年３月　㈱ティ・ワイ・エッチ　取締役（現任）

2011年12月　HOYA㈱　シンガポール支店代表

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役

2019年３月　当社　社外取締役（現任）

2019年５月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 取締役（退任）

2022年３月　HOYA㈱　取締役

2023年２月　OS Trading & Investments PTE.LTD.　取締役（現任）

2023年２月　RHYMS Pte. Ltd.　取締役（現任）

2023年２月　RHYMS Management Pte. Ltd.　取締役（現任）

2023年３月　㈱ミルフィーユ　代表取締役（現任）

（注１）

－

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

社外取締役

マイケル・スプリンター

（Michael R.Splinter）

1950年10月１日

1974年10月　Rockwell International Corporation

1984年10月　Intel Corporation

2003年４月　Applied Materials, Inc.　President and CEO

2007年６月　University of Wisconsin Foundation　取締役

2008年５月　Nasdaq OMX Group, Inc.（現、Nasdaq, Inc.）　取締役

2009年３月　Applied Materials, Inc.　Chairman

2013年６月　Pica8, Inc.　取締役

2014年１月　Wisc Partners LP.　General Partner（現任）

2015年６月　Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited　取締役（現任）

2015年６月　Tigo Energy, Inc.　取締役（現任）

2015年９月　MRS Business Advisors　CEO（現任）

2016年１月　Generation　Advisor

2017年５月　Nasdaq, Inc. Chairman

2017年５月　Meyer Burger Technology, Ltd.　取締役

2017年６月　Wellbe, Inc.　取締役

2017年10月　Lucis Technologies Holdings Ltd.　取締役

2018年11月　Gogoro Inc.　取締役

2019年１月　US Taiwan Business Council　Chairperson

2020年６月　当社　社外取締役（現任）

2022年５月　Imprint Energy, Inc.　取締役

2022年10月　Industry Advisory Committee　Chair

2023年１月　Nasdaq, Inc. Lead Independent Director　（現任）

2024年10月　Natcast Trustees

2025年１月　Natcast Trustees Chair

（注１）

－

社外監査役

（常勤）

森田　功

1958年１月１日

1983年４月　東京芝浦電気㈱（現、㈱東芝）　入社

1997年４月　㈱東芝　青梅工場ディスク設計部グループ（ディスク設計第一担当）開発設計主査

2006年４月　㈱東芝　青梅デジタルメディア工場ＳＤ製造部長

2009年10月　Toshiba Storage Device (Philippines), Inc.　社長

2013年10月　東芝コンピュータテクノロジー㈱　取締役

2014年６月　東芝コンピュータテクノロジー㈱　代表取締役社長

2017年４月　旧東芝メモリ㈱　社外常勤監査役

2018年７月　旧東芝メモリ㈱　社外常勤監査役（退任）

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 社外監査役

2019年３月　当社　社外常勤監査役（現任）

2019年３月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 監査役（現任）

2025年６月　日本電波工業株式会社　社外監査役（現任）

（注２）

－

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

社外監査役

（非常勤）

畑野　耕逸

1953年10月26日

1976年４月　東京芝浦電気㈱（現、㈱東芝）入社

2007年６月　東芝プラントシステム㈱取締役常務総務部長兼輸出管理部長

2008年６月　東芝プラントシステム㈱取締役上席常務総務部長兼輸出管理部長

2013年６月　東芝プラントシステム㈱非常勤顧問

2015年４月　神奈川県労働委員会委員（使用者委員）

2015年５月　一般社団法人神奈川県経営者協会専務理事

2015年５月　神奈川県労働審議会委員（使用者代表委員）

2015年６月　神奈川地方労働審議会委員（神奈川労働局）

2020年６月　当社　社外監査役（現任）

（注２）

－

監査役

（非常勤）

中浜　俊介

1977年３月15日

2002年４月　マッキンゼー・アンド・カンパニー入社

2010年４月　ベインキャピタル・アジア・LLC（現ベインキャピタル・ジャパン・LLC）パートナー（現任）

2010年12月　㈱ドミノ・ピザジャパン　監査役

2015年12月　㈱ドミノ・ピザジャパン　社外取締役

2016年４月　㈱雪国まいたけ（現ユキグニファクトリー㈱）　取締役

2018年６月　㈱Pangea　社外監査役

2018年８月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 社外監査役

2019年３月　当社　社外監査役

2019年３月　東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱） 監査役

2019年５月　キオクシア㈱　監査役（退任）

2019年９月　チーターデジタル㈱（現エンバーポイント㈱）　取締役

2020年４月　昭和飛行機工業㈱　取締役

2020年８月　当社　社外監査役（退任）

2020年８月　㈱GABA　取締役

2020年10月　昭和飛行機都市開発㈱（昭和の森デベロップメント㈱（2024年１月清算）） 取締役

2020年10月　㈱ニチイ学館　取締役

2020年12月　エンバーポイントホールディングス㈱　取締役

2021年４月　㈱ニチイホールディングス　社外取締役

2021年６月　エンバーポイントホールディングス㈱　取締役・監査等委員（社外取締役）

2023年１月　㈱プロテリアル　社外監査役 (現任)

2023年３月　昭島都市開発㈱（現昭和飛行機都市開発㈱）　取締役

2023年４月　㈱エビデント　社外監査役 (現任)

2024年６月　㈱アウトソーシング　取締役・監査等委員（社外取締役）

2024年８月　当社　監査役（現任）

2025年７月　㈱BREXA Holdings 取締役・監査等委員（社外取締役）（現任）

2025年８月　㈱ジャムコ　取締役（現任）

2025年11月　㈱マッシュホールディングス　取締役（現任）

2026年３月　ECHOMARKETING Co., Ltd.　Non-executive, non-outside Director（現任）

2026年６月　㈱ファイントゥデイホール

２【沿革】

　当社は、東芝メモリ株式会社（現キオクシア株式会社）からの単独株式移転により、2019年３月１日に設立されました。当社は2019年10月１日に東芝メモリホールディングス株式会社からキオクシアホールディングス株式会社に社名を変更しました。

　東芝メモリ株式会社（以下「旧東芝メモリ株式会社」という。）は、2017年２月に株式会社東芝の100％子会社として設立後、株式会社東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（フラッシュメモリ及び関連製品（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く。））を会社分割により承継しました。旧東芝メモリ株式会社は、2018年８月１日に親会社である株式会社Pangeaを合併存続会社とする吸収合併を実施するとともに、株式会社Pangeaは東芝メモリ株式会社に社名変更しました。更に、2019年10月１日の当社の社名変更に伴い、社名をキオクシア株式会社に変更しました。キオクシアとは、日本語の「記憶（KIOKU）」と、ギリシャ語の「価値（AXIA）」に由来します。メモリ事業を担う企業グループとして、デジタル社会の未来を加速し、世界に新たな価値を創造していきます。

　以下では、旧東芝メモリ株式会社及びキオクシア株式会社の沿革についても記載しております。また、旧東芝メモリ株式会社設立前と設立以後に分けて記載し、設立前については株式会社東芝における旧東芝メモリ株式会社の事業に関係する事項について参考情報として記載しています。

　当社の事業運営主体の変遷を図示すると、次のようになります。

(1）旧東芝メモリ株式会社設立前（参考情報）

年月

概要

1987年２月

世界初のNAND型フラッシュメモリを発明

1991年11月

NAND型フラッシュメモリの製品化

1992年１月

四日市工場（三重県）を設立

2000年５月

Sandiskグループ（注１）とフラッシュメモリについて協業を開始

2001年11月

多値技術を利用した160ナノメートル（以下「nm」という。）１ギガビットNAND（２ビット／セル(MLC)）を製品化

2001年12月

汎用DRAM事業の撤退を決定

2002年４月

四日市工場でフラッシュメモリを生産するため、Sandiskグループと共同出資でフラッシュビジョン㈲（注２）を設立

2005年２月

四日市工場で300 mmクリーンルームである第３製造棟を稼動

2007年６月

３次元フラッシュメモリ技術（注３）を開発

2007年９月

四日市工場第４製造棟の竣工

2009年２月

４ビット／セル（QLC）をSandiskグループと共同開発

2011年７月

㈱東芝の社内カンパニーとして、セミコンダクター＆ストレージ社（メモリ・SSD事業含む）を設置

四日市工場第５製造棟の竣工

2014年４月

15 nmプロセスを用いた128ギガビットNAND型フラッシュメモリを量産

2015年３月

48層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™のサンプル出荷開始

2016年４月

社内カンパニー名をストレージ＆デバイスソリューション社に変更

年月

概要

2016年７月

四日市工場の新第２製造棟の竣工

64層積層プロセスを用いた第３世代BiCS FLASH™のサンプル出荷開始

2017年１月

メモリ事業分社化の方針決定

2017年２月

64層積層プロセスを用いた512ギガビットBiCS FLASH™のサンプル出荷開始

　（注）１．2000年にSanDisk Corporationと協業を開始しました。同社はWestern Digitalグループと統合後、SanDisk Limited Liability Companyに組織変更しました。

2025年２月、Western Digitalグループのフラッシュメモリ事業が分社してSandisk Corporationとして米Nasdaqに上場しました（以下Sandisk Corporationとその関係会社を合わせて「Sandiskグループ」という。）。この分社に伴い、フラッシュメモリ事業に係る資産や契約等はSandiskグループが承継し、その一環として、当社との契約や製造合弁会社の持分等もSandiskグループが承継しました。

２．同社は2013年２月に清算しております。

３．３次元フラッシュメモリ技術とは、垂直方向にフラッシュメモリ素子を積み上げる３次元積層構造を取り入れる技術をいい、それを取り入れたフラッシュメモリを３次元フラッシュメモリといいます。３次元フラッシュメモリは、従前の平面構造のフラッシュメモリと比べて大容量化、高速化、信頼性向上、省電力化を実現しております。

(2）旧東芝メモリ株式会社設立以後

年月

概要

2017年２月

㈱東芝のメモリ・SSD事業の承継を目的として、旧東芝メモリ㈱を設立

2017年４月

㈱東芝から、㈱東芝の社内カンパニーであるストレージ＆デバイスソリューション社のメモリ事業（SSD事業を含み、イメージセンサ事業を除く）を会社分割により承継

2017年４月

㈱東芝からの株式譲受により、国内会社３社（注１）海外会社３社（注２）を関係会社化

2017年５月

64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したNVMe™（注３）SSD（「ＸＧ５シリーズ」）の出荷を開始

香港地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアジア社（現キオクシアアジア社）を設立

北米及び南米地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）を設立

2017年６月

４ビット／セル（QLC）技術を用いたBiCS FLASH™を開発、試作品の提供開始

96層積層プロセスを適用した第４世代BiCS FLASH™を試作

シリコン貫通電極（TSV）技術を適用した３ビット／セル（TLC）のBiCS FLASH™の試作品の提供開始

2017年７月

欧州地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）が東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）を設立

連結子会社である東芝メモリアジア社が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受

ASEAN地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）を設立

韓国地域でのメモリ製品拡販を目的として、東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）を設立

2017年８月

64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載した業界初のエンタープライズSSD（「ＰＭ５シリーズ」「ＣＭ５シリーズ」）のサンプル出荷開始

2017年９月

中国地域でのメモリ製品拡販を目的として、連結子会社の東芝エレクトロニクス（中国）社（現キオクシア中国社）が東芝電子部品（上海）社を設立

連結子会社である東芝メモリ韓国社（現キオクシア韓国社）が東芝エレクトロニクス韓国社（注４）よりメモリ関連事業を譲受

岩手県北上市の北上工業団地エリアに新規拠点の立ち上げを発表

年月

概要

2017年10月

東芝エレクトロニクス・ヨーロッパ社（注４）から、東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の全持分を取得し連結子会社化

東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）が東芝アメリカ電子部品社（注４）よりメモリ関連事業を譲受

東芝電子部品（上海）社が東芝エレクトロニクス（中国）社よりメモリ関連事業を譲受

東芝メモリシンガポール社（現キオクシアシンガポール社）が東芝エレクトロニクス・アジア社（注４）よりメモリ関連事業を譲受

東芝メモリアメリカ社（現キオクシアアメリカ社）による東芝アメリカ電子部品社からのメモリ関連事業の譲受及び東芝メモリヨーロッパ社（現キオクシアヨーロッパ社）の連結子会社化に伴い、SSD関連事業を目的とするOCZイスラエル（現キオクシアイスラエル社）、OCZストレージソリューションズ（現キオクシアテクノロジーUK社）を連結子会社化

2017年11月

東芝メモリ台湾社（現キオクシア台湾社）の株式を東芝デバイス＆ストレージ㈱（注４）より取得し連結子会社化

2017年12月

岩手県北上市における製造拠点の立ち上げに向けて、東芝メモリ岩手㈱（現キオクシア岩手㈱）を設立

2018年１月

㈱東芝からの株式譲受により、フラッシュアライアンス有限会社、フラッシュフォワード合同会社、フラッシュパートナーズ有限会社の３社（以下「製造合弁会社３社」という。）（注５）を関連会社化

旧東芝メモリ㈱グループの開発センター清掃業務及びヘルスキーパーを目的として、東芝メモリエトワール㈱（現キオクシアエトワール㈱）を設立

2018年４月

64層積層プロセスを用いたBiCS FLASH™を搭載したデータセンター向けSSDのラインアップ拡充

2018年６月

㈱東芝は、旧東芝メモリ㈱の全株式をBain Capital Private Equity, L.P.（そのグループを含む）を軸とする企業コンソーシアムにより組成される買収目的会社である㈱Pangeaへ譲渡

2018年７月

サーバー向けの新しいコンセプトのSAS SSDの発売

2018年８月

㈱Pangeaは、同社を存続会社として旧東芝メモリ㈱と合併し、同日に「東芝メモリ㈱」に社名変更（現キオクシア㈱）

2018年９月

四日市工場の第６製造棟とメモリ開発センターの竣工

　（注）１．東芝メモリアドバンスドパッケージ株式会社（2019年10月にキオクシアアドバンスドパッケージ株式会社に商号変更を実施、2021年４月にキオクシア株式会社に吸収合併）、東芝メモリシステムズ株式会社（現キオクシアシステムズ株式会社）（いずれも連結子会社）、ディー・ティー・ファインエレクトロニクス株式会社（持分法適用関連会社）の３社です。

２．東芝エレクトロニクス中国社（現キオクシア中国社）、東芝メモリ半導体台湾社（現キオクシア半導体台湾社）、他１社の３社です。

３．NVMe™はNVM Express, Inc.の商標です。

４．株式会社東芝の関係会社です。

５．当社グループへの製造委託等を目的とする、キオクシア株式会社とSandiskグループが共同出資する会社です。

(3）当社設立以後

年月

概要

2019年３月

東芝メモリ㈱（現キオクシア㈱）からの単独株式移転により、東芝メモリホールディングス㈱（現キオクシアホールディングス㈱）を設立

2019年５月

大容量データへの高速アクセスに対応した２テラバイトのクライアントSSDプレミアムモデル（XG6-P）の開発

2019年６月

㈱日本政策投資銀行に対する非転換社債型優先株式の発行及び金融機関からのシンジケートローンによる資金調達を実行

2019年８月

ストレージクラスメモリ「XL-FLASH™」のサンプル出荷開始

新しいリムーバブルPCIe®（注１）／NVMe™メモリデバイス「XFMEXPRESS™」を開発

台湾・LITE-ON社のSSD事業の買収計画を公表

2019年10月

ブランド名称をキオクシアに刷新したことに伴い、当社を含むグループ会社の社名変更（注２）

キオクシア㈱北上工場（岩手県）第１製造棟の竣工

年月

概要

2020年１月

112層積層プロセスを適用した第５世代BiCS FLASH™を試作

2020年３月

キオクシア㈱は、東芝中国社（注３）より、キオクシア中国社の株式を譲受、完全子会社化

キオクシア㈱は、東芝電子部品（上海）社の保有株式を全て東芝デバイス＆ストレージ㈱（注３）に売却

2020年７月

キオクシア㈱は、台湾・LITE-ONテクノロジー社の子会社であるSolid State Storage Technology Corporationとその関係会社の全株式を取得

2021年２月

162層積層プロセスを適用した第６世代BiCS FLASH™を試作

2021年４月

キオクシア㈱は、キオクシアアドバンスドパッケージ㈱を吸収合併

2021年９月

PCIe® 4.0対応ストレージクラスメモリ（SCM）搭載SSDをサンプル出荷

2022年１月

４ビット／セル（QLC）技術を用いたUFS Ver. 3.1準拠の組み込み式フラッシュメモリをサンプル出荷

2022年６月

キオクシア㈱は、東芝デジタルソリューションズ㈱（注３）より、中部東芝エンジニアリング㈱の株式を譲受、完全子会社化、キオクシアエンジニアリング㈱に社名変更

2022年10月

四日市工場第７製造棟の竣工

2022年11月

大容量ストレージを活用した記憶検索型AIによる画像分類技術を開発

2023年３月

218層積層プロセスを適用した第８世代BiCS FLASH™を試作

2023年６月

横浜テクノロジーキャンパスFlagship棟と新子安テクノロジーフロントの稼働開始

2023年８月

キオクシアエネルギー・マネジメント㈱をキオクシア㈱からの会社分割により設立

エンタープライズ・データセンター向けPCIe® 5.0対応NVMe™ SSDのサンプルを出荷

2024年１月

車載機器向けUFS Ver.4.0準拠の組み込み式フラッシュメモリのサンプルを出荷

2024年４月

メモリ技術研究所を再編し、先端技術研究所を新設

2024年７月

第８世代BiCS FLASH™ 2Tb QLC製品をサンプル出荷

2024年12月

東京証券取引所プライム市場に株式を上場

2025年２月

4.8Gb／秒のNANDインターフェーススピードを実現する３次元フラッシュメモリ技術を発表

2025年７月

生成AI向け245.76 TB NVMe™エンタープライズSSDのサンプルを出荷

2025年９月

北上工場第２製造棟の稼働開始

　（注）１．PCIe®は、PCI-SIGの登録商標です。PCIe®とは、SSDのインターフェースの規格で、従来のSATAより、高速のデータ転送が可能です。

２．キオクシアテクノロジーUK社は2019年７月、キオクシアイスラエル社は2019年８月、キオクシア中国社は2020年２月にそれぞれ社名変更となっております。

３．株式会社東芝の関係会社です。