How does Oxide make money?

３【事業の内容】

　光の時代といわれる21世紀。光技術の可能性を追求し、その成果を少しでも早く少しでも多く社会に還元したい。それが創業以来変わらない私たちの願いです。当社グループは、ミッションとして、「豊かな未来を光の技術で実現する」を掲げております。

　当社グループは、当社及び連結子会社である株式会社オキサイドパワークリスタル（以下、オキサイドパワークリスタル社という。）で構成され、単結晶（*１）、光部品（光デバイス）、レーザ光源、光計測装置などの光学関連製品を、主に光を使った計測分野の装置メーカーや光学製品メーカー向けに開発・製造・販売しております。例えば、当社グループが製造・販売する放射線を検出するシンチレータ（*２）単結晶は、がんの診断用のPET検査装置に使用されており、当社グループのレーザ光源は、半導体製造に使用されるシリコンウエハの品質検査装置に使用されております。

　2000年の創業以来、当社グループは単結晶・レーザのグローバルニッチトップカンパニー（*３）をめざし、「研究成果を社会に還元し、キーマテリアル（*４）を世界に向けて発信する」、「顧客へマテリアルソリューション（*５）を提供し、社会の発展に貢献する」、「単結晶を核とした製品を開発し、未来の市場機会を創造し続ける」という経営理念の下、光学分野のバリューチェーン（*６）の川上に位置する単結晶の開発・製造から事業を開始し、単結晶開発技術を生かしつつ、光学分野での川下の製品群（光部品、レーザ光源、光計測装置）へと展開してまいりました。

　これまで光学分野での先端技術を継続的に蓄積、保有し、その独創性及び競争優位性の確立をめざしてまいりました。単結晶分野において、当社グループは、FZ法（Floating Zone Method）、CZ法（Czochralski Method）、VB法（Vertical Bridgeman Method）、TSSG法（Top Seeded Solution Growth Method）、DCCZ法（Double Crucible CZ Method）、KY法（Kyropoulos Method）、EFG法（Edge-defined Film-fed Growth Method）、フラックス法（Flux Method）など、多くの単結晶育成技術及び装置を保有しております。国内外の企業、大学、研究所などから技術、製品への問い合わせ、引き合いをいただいております。2014年には経済産業省の「グローバルニッチトップ100選」（*３）にも選定されております。今後も、当社グループの光学技術は、その応用範囲及び新たな用途の拡張をめざしてまいります。

　2024年12月には、オキサイドパワークリスタル社へパワー半導体向け材料及び関連製品の研究開発・製造販売等に関する事業を吸収分割いたしました。オキサイドパワークリスタル社では、従来の昇華法に比べ、原理的に欠陥が少なく高品質な単結晶育成が可能な溶液法SiC単結晶の事業化に取り組んでおります。

　なお、当社グループは、光学事業の単一セグメントでありますが、製品の用途から「半導体事業」、「ヘルスケア事業」、「新領域事業」の３つの事業に区分しております。

　「新領域事業」において単結晶技術、光学分野でのコア技術の新用途・新製品を立案・開発し、試作・開発ベースでの小規模案件を中心にビジネスを進めております。「新領域事業」での開発技術であり成果が事業化し、量産化を確立したのが「半導体事業」と「ヘルスケア事業」です。

　こうした展開は、当社グループがこれまでに国内外の企業や大学等から埋れた技術や事業を買収し、製品化・事業化して蓄積したノウハウにより、可能となったと考えております。

　また、工学・理学系の博士号・修士号を保有する技術者が、研究開発及び製造に従事する役職員の24％を占め、研究開発型の事業会社として成長していることなども当社グループの特徴であり、独創性及び競争優位性の源泉と考えております。

　各事業の概要は次のとおりです。

半導体事業

　当事業は、半導体ウエハ（*15）の検査装置メーカー向けの単結晶・レーザの開発・製造・販売を行っております。当連結会計年度における当事業の売上高は、5,002百万円です。当社グループの単結晶のうち、非線形光学効果（*16）の強い単結晶及びその単結晶を搭載したレーザは、波長や出力をはじめとする各種性能・品質の観点から、販売先の最新機種に搭載されております。

　半導体製造工程の「前工程」と呼ばれるウエハ処理工程では、投入するシリコンウエハの品質検査が半導体チップの歩留まり管理上不可欠であり、専用のウエハ検査装置が利用されております。当社グループの単結晶と単結晶を搭載したレーザは、そのウエハ検査装置に搭載されております。半導体の微細化に伴い、検査装置に搭載する単結晶及びレーザも、次世代製品の開発が常に求められております。当社グループは、こうした市場の要求に対し、材料工学、光学などの観点から常に開発・提案を行い、あるいは、一部製品に関しては特許権者からのライセンスを受け、次世代製品への取り組みを継続しております。

　拡大する半導体市場の微細化への要求については、光学分野では短波長化と高出力化が重要となります。当社グループの単結晶、レーザ光源は、波長変換による短波長化（266nm）と２W以上の高出力化の特徴を有しております。その結果、単結晶については、2006年に開発を受託、その成功を受けて、2011年から量産へ、またレーザは、2010年に株式会社マグネスケールより事業を買収し生産を開始しました。その後、2011年に開発を受託、その成功を受けて2016年から量産に移行しております。顧客の新製品投入に合わせてこうした「開発」→「量産」のプロセスが繰り返されております。

　一方、顧客が製造販売する検査装置においては、エンドユーザーである世界の半導体工場にて昼夜連続での稼働が要求事項となっております。その結果、搭載された単結晶、レーザはその使用に応じて定期的なメンテナンス需要が発生します。メンテナンスの内容は、概ね１〜２年の一定期間ごとに使用に伴って劣化した単結晶や光学ユニットを交換するものです。これらのメンテナンス需要は、ほぼ事前予想が可能なため、景況の山と谷のギャップが激しいと言われる半導体分野での事業としては収益安定要素と言えます。加えて、10年以上の長期間稼働が求められるレーザの新規出荷売上に従い、累積的に増えることが見込まれるリカーリングの性質を持つ売上収益となります。当連結会計年度におけるメンテナンス売上高は、当事業売上の20％程度を占めております。

ヘルスケア事業

　当事業は、がんの診断に使用されるPET検査（*17）装置に搭載されるシンチレータ単結晶の開発、製造、販売を行っております。具体的には、製造したシンチレータ単結晶を加工した各辺数mm角の直方体（PET用素子と呼びます。その素子を数万本、PET検査装置内に配列して使用します。）の形状で国内外のPET検査装置メーカーに販売しております。当連結会計年度における当事業の売上高は、1,997百万円です。当社グループのシンチレータ単結晶は、継続的な品質向上とコスト低減の実績及び品質管理体制の構築により、既に主流となっている全身用TOF-PET検査装置（*18）に採用されております。

　また、当社グループのシンチレータ単結晶は、乳房検査専用PET検査装置や、重粒子線を用いたがん治療中の粒子線位置をリアルタイムで確認することができるOpen-PET検査装置に採用されております。Open-PET検査装置は、従来のがん診断だけでなく、治療にも使われる装置として、国内においては量子科学技術研究開発機構を中心として研究が進んでいるものです。

　加えてPET検査装置は、がんの診断以外にアルツハイマー型認知症（*19）診断への適用範囲拡大が見込まれており、当社グループでも用途拡大に対応すべく研究開発活動を進めております。認知症は、国内外の高齢化により増加傾向が見られることに加え、アルツハイマー型認知症の治療薬が日本国内においても薬事承認され、併せて、その原因物質であるアミロイドβのPET診断も保険適用となったことから、今後、治療薬の普及に伴い、頭部専用PETによる診断への需要が高まってくることが期待されます。（出所：World Alzheimer Report 2021）

新領域事業

　当事業は、国内外の光計測機器/光学製品メーカー及び大学等研究機関に単結晶、光部品、レーザ光源及び光学測定装置を開発、製造、販売しております。当連結会計年度における当事業の売上高は、3,040百万円です。同時に、当社グループのコア技術である単結晶技術/光学技術を活用し、さまざまな顧客ニーズへの対応、光学分野での問題解決策の提供及びそうしたプロセスの中で有望な新用途/新製品をインキュベートしております。

　国内外の展示会、学会への出展、当社グループのホームページへのアクセスなどを通じて、研究開発/試作の受託を重ねております。また、当社グループのコア技術である単結晶技術や光学技術を活用し、さまざまな顧客ニーズへの対応や問題解決策を提供しております。これらの活動が、新用途/新領域のビジネスに繋がり、当社グループの将来ビジネスへのアンテナ、種まきの機能を担っております。当事業においてすでに商品化段階に至った主な製品は、以下のとおりです。

製品

製品の説明

主な用途

単結晶・デバイス

波長変換(*７)部品(デバイス)

波長変換部品(デバイス)は、光学単結晶を用いてレーザ光の波長を他の波長へ変換する(例えば、赤外光を可視光や紫外光に変換することが挙げられます。)製品です。

量子分野では、もつれ光子対の発生に利用されます。

医療

理化学

情報家電

工業用加工

セキュリティ

娯楽

量子

GPS(Ce:Gd2Si2O7)単結晶

放射線が入射すると発光するシンチレータとしての特性を持つ単結晶です。高発光量、高エネルギー分解能等の特長を有しております。高温環境でも特性劣化が小さいため、広い分野での応用が期待されます。

放射線汚染モニタリング

セキュリティ

石油探査

医療

アイソレータ用単結晶

一方向のみ光が透過する光学部品である光アイソレータに搭載される単結晶です。レーザ機器のレーザ光出射口は、外部からレーザ機器に光が入ると損傷したり、不安定になります。レーザ光出射口に光アイソレータを設置することにより、外部からの光を遮断し、不具合を防ぐことが可能となります。

５G

データセンター通信用デバイス

GaN(*８)用基板単結晶(SAM(*９))

GaNをエピタキシャル成長させる際に基板となる単結晶です。GaNと基板の格子定数及び熱膨張率のミスマッチが小さいため、高品質のGaN薄膜が得られます。

可視光レーザ

高周波デバイス

パワー半導体（*10）

レーザ

114nmレーザ

真空紫外光と呼ばれる紫外線の中で最も波長の短い光を発生するレーザ装置です。単結晶に加えガスを用いた波長変換技術を利用して、赤外光を114nmに変換しております。このように波長が短くエネルギーの高い光は、最先端の研究開発分野で材料の分析に有効です。特に、量子コンピューティング等への利用が期待される新材料の研究開発に利用されております。

光電子分光

光電子顕微鏡用深紫外CWレーザ

半導体プロセスにおけるパターン検査に利用可能なレーザ光電子顕微鏡が東京大学物性研究所によって開発されており、光電子を発生するための深紫外レーザ光源として当社の深紫外CWレーザが使用されています。

半導体検査

フェムト秒レーザ

深紫外光のレーザ光を短いパルスで照射することにより、非加熱加工を行います。これにより、バリやクラックが発生しない高精度な微細加工が可能になります。

微細加工

製品

製品の説明

主な用途

測定器

光学的ノイズ(スペックルノイズ)測定器

スペックルノイズは、レーザを利用したディスプレイ(レーザ光を投影した画面)において発生する、画質の劣化要因のひとつです。例えば、レーザ光を投影した画面に映る画像が、荒い画像に見えること等が挙げられます。当社グループは、スペックルノイズを定量的に表すことができる測定器を開発し、製造・販売しております。この装置は、国際標準に認定されたスペックルノイズ測定器であり、ディスプレイメーカーは画質の評価に使用しております。

プロジェクター

照明

量子

量子もつれ光子対発生モジュール

量子もつれは、２つの光子の状態が強く相関し、一方の光子の状態が決まると他方の光子の状態が瞬時に決まる現象です。この特性は量子暗号通信や量子コンピューティングに利用されています。量子もつれ光子対発生モジュールは、光ファイバを入出力とし高い効率で量子もつれ光子対を発生可能なモジュールです。

量子通信

　NoT（Network of Things）やAI（人工知能）のさらなる活用により、クラウドを通じた工作機器の連携と自動化/無人化がさらに進むと考えられます。このようなイノベーションを支える半導体の微細化や医療機器の高度化等に伴い、需要が高まっているレーザ光源の高出力化や短波長化の技術開発を推進してまいります。また、量子コンピューターの開発により既存の暗号技術は脅威にさらされることになります。この脅威に対抗するため量子暗号通信技術の開発が世界中で進展しております。さらに、量子コンピューター等の量子デバイスを繋ぐ量子インターネットの研究開発も注目されております。当社は、量子通信分野の最先端研究者からのご要望に基づき、量子もつれ光子対を高効率で生成することが可能な量子もつれ光子対発生モジュールを開発し、実用性の高い製品として販売を開始しました。さらに、当社の波長変換デバイスが量子コンピューティング用途においても研究開発に利用される等、量子通信関連分野での用途が拡大しています。一方、世界規模のテーマであるカーボンニュートラル実現に向け、デジタルインフラの省エネ化・高性能化のキーマテリアルであるパワー半導体向けSiC（*12）ウエハの、溶液法（*13）による超高品質化及び大口径化の開発や家電向け低コストβ型酸化ガリウム（*14）基板の開発にも注力してまいります。

[事業系統図]

以上述べた事項を事業系統図によって示すと次のとおりであります。

<用語解説>

（＊１）単結晶

・原子、分子が規則正しく配列している固体を結晶と総称します。その結晶の中でも、物質内のどの部分においても原子、分子配列の向きがまったく同一である物質を単結晶と呼びます。

・結晶に、電気信号を加えたり、圧力をかけたり、光を当てることにより、各結晶の持つ特性が現れますが、単結晶の場合は、その特性（例えば、光を当てることにより光の波長を変換したり、電気信号を加えることにより光の強度を調整すること。）が強く現れます。この特性を活用して、産業分野で単結晶応用製品が実用化されております。

（＊２）シンチレータ

放射線が当たると微弱な光を出す物質をいいます。

（＊３）グローバルニッチトップカンパニー

「グローバルニッチトップ100選」は経済産業省が2013年度より継続している事業です。「グローバルニッチトップ企業」の定義は、「昨今の産業構造の変化や、求められるニーズに迅速に対応するため、大企業や主要業界団体だけでなく、ニッチ分野（比較的小規模な市場や潜在的ニーズはあるが、まだ事業の対象として考えられていないような分野）において高い世界シェア（占有率）を有し、優れた経営を行っている中堅・中小企業」です。経済産業省として、認定と顕彰を通じて、対象企業の知名度向上や海外展開を支援するとともに、新たにグローバルニッチトップを目指す企業が経営上の羅針盤として活用することが目的となっております。

（＊４）キーマテリアル

世の中の役に立つ材料を意味します。

（＊５）マテリアルソリューション

材料と光に関する問題解決を意味します。

（＊６）バリューチェーン

単結晶、ウエハ、チップ、光部品、レーザ光源、計測装置の光学分野における川上から川下に至る一連の製品供給プロセスを意味します。

（＊７）波長変換

波長（周波数や色とも表現されます）は光の重要な性質を表すものであり、波長変換はレーザ光を元々の波長から紫外線や赤外線の領域に拡げる技術です。波長を変換する手法は数多くありますが、原理はレーザ光という強い光と物質の相互作用による非線

１【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】

　当社グループの経営方針、経営環境及び対処すべき課題等は、以下のとおりであります。

　なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社グループが判断したものであります。

（１）経営方針

　我が国の光産業は、光技術の絶え間ない革新により、情報通信、ディスプレイ・照明、情報記録、情報入出力、レーザ・光加工、光エネルギー、センシング・計測等さまざまな産業分野に光技術の応用が広がり、出荷額ベースで約13兆円規模（一般財団法人光産業技術振興協会「光産業全出荷額、国内生産額調査結果について」2025年３月14日より）の一大産業に成長しております。ビッグデータ、半導体等の微細化、情報通信の大容量高速化など近年のイノベーションの進展は、電気から光の時代への移行を加速しております。光技術の絶え間ない革新に支えられ、今後も引き続き、大きく発展していくと見られる中で当社グループは、世の中に無い、また敢えて他社ができないものに取り組み、グローバルニッチ分野での製品化／事業化に成功してまいりました。３つの経営理念、

「研究成果を社会に還元し、キーマテリアルを世界に向けて発信する」

「顧客へマテリアルソリューションを提供し、社会の発展に貢献する」

「単結晶を核とした製品を開発し、未来の市場機会を創造し続ける」

のもとに、光産業におけるオープンイノベーションパートナーとして、技術シーズと市場ニーズをマッチングさせ、新たな付加価値を創造するコーディネーターを担ってまいります。同時に、「世の中に無い、また敢えて他社ができないものに取り組む」ベンチャー精神を発揮し、世界でもユニークな光学技術で世界のイノベーションの拡大に貢献する企業をめざしてまいります。

（２）経営戦略等

　当社グループは、上記の経営方針の下、光学分野の次世代製品開発、レーザ加工、レーザセンシングといった新領域の新製品開発とともに、コア技術である単結晶の高品質化開発といった基盤技術の研究開発を推進してまいります。こうした取り組みの例として、世界規模のテーマであるカーボンニュートラル実現への貢献が挙げられます。具体的にはデジタルインフラの省エネ化・高性能化のキーマテリアルであるパワー半導体向けのSiCウエハの超高品質化、大口径化の開発並びに家電パワーデバイス用途の低コストβ-Ga2O3基板の開発に注力してまいります。これらの開発については、取締役会、執行役員会等により議論され、随時進捗確認を行っております。

　また、中長期的な経営の指針として、「光学技術の蓄積」、「光学分野における技術者集団の形成」、「市場における新たな需要の発掘」、「事業譲受のノウハウの集積」を図り、各市場において高付加価値製品の開発を実現し、それにより高いシェアを獲得することで収益性を高め、企業価値の増大を達成してまいります。

（３）経営上の目標達成状況を判断するための客観的な指標等

　当社グループは、①営業利益率、②EBITDAマージンを経営指標とし、それぞれ①10％、②20％を目指しております。

　営業利益率の向上を目指す施策としては、より付加価値の高い製品の開発を進めてまいります。具体的には、研究開発活動を行っております、パワー半導体向材料、量子分野、シンチレータ向け単結晶、レーザの新規用途製品となります。

　EBITDAマージンの向上を目指す施策としては、営業利益の向上に加え、設備投資の効率化、生産効率の改善及び業務の効率化を図ってまいります。

（４）経営環境

　電気の20世紀から光の21世紀と言われる社会変革は、光通信技術による情報革命が主導してまいりました。1980年代の光ファイバ、インターネットの一般家庭への導入、データセンターの活用によるクラウドサービスの拡大、スマートフォンの普及、さらに５Gの導入と技術の進展はとどまるところを知りません。ただ、これでもまだ光の機能の一部を利用したにすぎません。具体的には、製造現場でのレーザ加工、医療分野での眼科やがんの診断及び治療、ディスプレイ、精密計測、農業利用などへの展開に向けた開発が進展しております。こうした光学分野の環境をもとに、それぞれの事業毎の経営環境は「第１　企業の概況　３　事業の内容」にも一部記載しておりますが、半導体事業及びヘルスケア事業の事業環境について以下に記載いたします。

　世界の半導体産業は、元々先端技術の動向に影響を受けやすく、比較的変動の大きい市場と言われておりましたが、NoT（Network of Things）等にけん引される需要拡大により食品、電力、輸送に迫る重要な産業となっております。2022年には前年比で3.3％の成長を遂げましたが、2023年は世界的なインフレやそれに伴う利上げ、地政学的リスクの増大などの影響で個人投資や企業の設備投資が減少し、特にメモリ市場を中心に市場全体が9.4％縮小しました。しかし、生成AIの急速な普及によるロジックデバイスの需要増加や、メモリやマイクロデバイスの需要回復により、2023年後半には市場が回復傾向にあります。2024年には、生成AIやパワーディスクリートの需要が持続し、市場は前年比で13.1％の再拡大が見込まれております。（世界半導体市場統計2023年11月28日公表）。当社グループの半導体事業は、半導体ウエハの欠陥検査装置向けの単結晶とレーザで構成されておりますが、そうした市場全体の動向や世界的な半導体不足解消に向けた半導体メーカーの旺盛な設備投資意欲を背景に増勢で推移しております。

　ヘルスケア市場は、新型コロナウイルス感染症拡大により2020年の一時的な需要減少後、従来の堅調な需要が回復しましたが、中国経済の減速や米中摩擦の昂進から、2024年はやや軟調と見られております。当社グループのヘルスケア事業は、これまではがんの診断装置（PET、Positron Emission Tomography）に搭載されるシンチレータ単結晶が主体でしたが、頭部PET検査装置用シンチレータ単結晶の売上実績も出てきており、両方を合わせた市場全体の成長が期待されております。

（５）事業上及び財務上の対処すべき課題

①　各種研究開発の促進

　当社グループが推進する光技術の応用範囲は、世界規模で拡大しており、半導体分野における高集積化・高性能化の進展、医療・分析機器の高度化等を背景として、当社グループの製品に対する需要は、中長期的に底堅く推移するものと見込んでおります。近年では、従来の半導体分野に加え、量子技術分野においても光源や光学材料に対する要求が高まっております。一方、次世代パワー半導体材料として期待が高まるSiC単結晶においては、高品質かつ大口径の結晶開発が求められており、当社グループにおいても溶液法を用いたSiC単結晶開発を推進しております。また、量子技術や先端半導体分野においては、産業用途を見据えた高出力・高安定なレーザ光源及び関連技術の開発が重要な課題となっております。こうした新領域・新用途への対応にあたっては、研究開発段階から将来的な製品化・事業化を見据えた技術検討を進める必要があり、当社グループの独自性、技術的な優位性を維持しつつ、的確かつスピーディーな研究開発体制の構築が引き続き重要となっております。当社グループでは、社内の人的及び資金的資源を有効に活用するとともに、大学や研究機関との連携や、政府機関による研究開発支援制度等の活用を通じて、研究開発の促進及び技術基盤の強化に努めております。

②　優秀な人材の採用・育成

　当社グループ製品への需要増や開発促進に対応するため、当社グループでは即戦力の技術者の採用とともに優秀な若手技術者の採用や人材開発が大きな経営課題になっていると認識しております。新卒採用については、国内外の大学や研究室、並びに国内の高等専門学校と継続的に連携し、学生の履修状況に応じた実体験型インターンシップ等を通じて卒業生の採用につなげ、採用環境が厳しい中でも計画に沿った実績を重ねております。当社における過去３年の新卒採用の実績は、2024年４月25名、2025年４月８名、2026年４月５名となっております。中でも、事業継承、研究開発の進展、研究の深化を担う人材を確保するため、博士課程修了者の採用については継続的に取り組み、実績を有しております。中途採用については、優秀人材の獲得競争が年々激化する中、人材紹介会社を通じて当社グループの魅力や市場における製品優位性を効果的に発信し、業務拡大に対応可能な即戦力の確保に成果を上げております。当社における過去３年の正社員の中途採用実績は、2024年２月期24名、2025年２月期13名、2026年２月期12名となっており、即戦人財の充足が進んでおります。また、優秀な社員が能力を最大限発揮できる環境の整備に向け、創業25周年を機に「行動指針」を制定しました。企業の理念を具現化し、社員が日々の業務で取るべき行動や判断基準として全社に展開し、社員への浸透を進めております。さらに、外部研修の積極活用に加え、階層別研修（新入社員・若手・チームリーダー・管理職）や専門別研修を体系化し、社員一人ひとりの成長目標とスキルギャップに応じた学習の機会を提供することで、能力発揮と生産性の向上を図ってまいります。加えて、将来の経営を担う幹部人材のサクセッションプランを進め、タレントマネジメントの強化を通じて、持続的な企業価値向上に資する人材基盤の確立に努めてまいります。

③　財務体質の健全化

　当社グループは、当社グループ製品の需要増に対応するためには、既存設備の増強と継続的な研究開発が必要と考えております。一方で、これら設備投資又は研究開発投資を支える財務基盤の確保も重要な課題の一つと認識しております。具体的には、自己資本比率等の指標及び各種キャッシュ・フローの水準により財務体質の健全性を確認しながら、各投資のタイミングと投資額について検討しております。

④　資材調達体制の強化

　当社グループは、様々な原材料や光学部品等を購入して使用しております。その中には特殊な原材料や部品も含まれており、重要な原材料・部品については複数ベンダーによる購買や在庫積み増し等の対策を講じ、安定的な製造及び供給に努めておりますが、一部代替が利かないものも存在します。特に、ヘルスケア事業においてシンチレータ単結晶の製造に使用する酸化ルテチウムの主な産出国は中国、オーストラリア等に限られており、当社グループは中国から調達しております。このため、複数ベンダーによる購買、商社等を通じた調達市場動向の早期把握、在庫水準の適切な管理等を通じて、供給リスクの低減に取り組んでおります。また、半導体事業の主要製品であるレーザの一部部材については、当社グループが求める品質の部材を製造できる企業は国内外でも限られていることから、仕入先との綿密な調整等連携強化を図るとともに、調達仕様の見直しや仕入状況の定期的なモニタリングを実施することにより、サプライチェーンの安定的な確保に向けた取り組みを推進しております。

３【事業等のリスク】

　本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、経営者が会社の財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があると認識している主要なリスクは、以下のとおりであります。

　当社グループは、これらリスク要因を認識した上で、その発生自体の回避、あるいは発生した場合の対応に努める方針でありますが、これらはすべてのリスクを網羅したものではなく、予見しがたいリスク要因も存在するため、投資判断については、本項以外の記載内容もあわせて、慎重に検討した上で行われる必要があると考えております。

　なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社グループが判断したものであります。

（１）市場リスク

１．顧客動向によるリスク

リスクの内容

当社グループの顧客層は、半導体、医療機器、量子、データセンターなど世界各地のメーカーや研究機関に拡がっております。さまざまな産業セクターへの営業活動を行い、これら顧客の個別の経営状態の変動による影響を極小化する努力をしております。しかしながら大幅な為替変動、各国の関税政策、地政学的要因などにより、それらの産業全体が業績に悪影響を被る場合があります。当社グループが提供する製品需要は、常に次世代製品の先行開発投資に追随する性格のものであり、顧客での次世代投資、製品転換が遅れることで当社グループの財政状態及び業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

高

影響度

大

リスク評価/前期比

特に重要/同水準

対応策

当社グループは、半導体、医療機器、量子、データセンターなど、幅広い産業セクターへ製品を提供することを強みとしていることから、国内外における経済動向の変化に対して特定の産業に依存しない事業ポートフォリオを更に強化することにより、リスク分散に努めてまいります。

２．特定の取引先への依存リスク

リスクの内容

当社グループの2026年２月期の販売先は、300社超ありますが、そのうち、特定の６取引先に対する売上が、66％となっております。

このため、これらの取引先において事業方針・外注政策に関する変化や業績悪化等が発生し当社グループとの取引額が減少した場合に、当社グループの財政状態及び業績に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

高

影響度

大

リスク評価/前期比

特に重要/同水準

対応策

当社グループは事業計画の達成及び将来成長に向けて、顧客ポートフォリオの整理と重点顧客の明確化を継続して行っております。現時点においては、特定６取引先が当社グループの売上高に占める比率は高い水準にあり、これら取引先との取引関係の維持・拡大は、当社グループの成長にとって引き続き重要であると認識しております。

一方で、特定の取引先や用途への依存に伴うリスクを低減するため、当社グループでは事業ポートフォリオの多角化を進めております。具体的には、従来の半導体及び医療機器分野に加え、量子、データセンター等の新たな成長分野への展開を拡大することで、用途軸での分散を図っております。

また、半導体分野においても、従来の前工程向け欠陥検査用途に加えて、後工程向けの微細加工用途への展開を進めるとともに、販売地域の拡大を通じて地域軸での分散を図っております。これらの取り組みにより、特定６取引先への売上高を維持・拡大しつつも、事業構造としての依存リスクを相対的に低減させながら、全体の売上高の持続的な拡大を目指しております。

３．海外事業展開に関するリスク

リスクの内容

材料・部品の調達及び当社グループ製品の輸出等において海外との商取引を行っております。当連結会計年度における売上高のうち、90％超が海外売上高によるものであり、国別では中国向けの売上が最も大きく、次いで米国が主要な販売先となっております。主要取引先の所在国において、予測し得ない税制や法規制など変更、政治・経済情勢の不安定化、テロ・紛争などの勃発、あるいは自然災害などによるリスクが顕在化した場合、当社グループの事業活動及び業績に影響を及ぼす可能性があります。特に、米中における関税政策、輸出管理規制により、中国からの材料の調達、中国への製品出荷、米国への製品出荷に影響を及ぼす可能性があります。同時に、米国から製品購入が難しくなる中国顧客や、中国から製品購入が難しくなる米国顧客から当社グループに対する引き合いも増加傾向にあります。また、ウクライナ紛争やイスラエルを含む中東地域における紛争の長期化等により、地政学的リスクが高まった場合には、国際物流の停滞、取引先の事業活動への影響等を通じて、当社グループの事業環境に不確実性が生じる可能性があります。

発生可能性

高

影響度

大

リスク評価/前期比

特に重要/同水準

対応策

定期的に事業の状況をモニタリングし、国際情勢、海外経済情勢の変化等によるリスクを踏まえたうえで事業戦略の見直しを定期的に実施するとともに、執行役員会や取締役会等において販売対象地域や、事業拠点の状況把握に努めており、情勢の変化に適切に対応しております。

イスラエルを含む中東地域の地政学的リスクについては、当該情勢が当社グループの事業及び業績に与える影響を総合的に勘案し、2026年２月期において、イスラエルに拠点を有するRaicol Crystals Ltd.の全株式及び貸付債権を譲渡し、同社を連結対象から除外いたしました。これにより、当社グループ全体としての地政学リスクの抑制を図っております。

＜ウクライナ情勢について＞

当社グループはロシア・ウクライナに拠点を有しておらず、また同地域向けの事業も手掛けておりません。当社グループの主要顧客においても同地域関連事業が大きな比重を占めている状況にはないものと認識しております。従いまして、現時点でウクライナ情勢が当社グループの事業及び業績に大きな影響を及ぼす可能性は低いと判断しております。

４．開発進捗遅延によるリスク

リスクの内容

当社グループの開発投資は、自社での投資や顧客の支援による投資などさまざまな形態がありますが、顧客の開発スケジュールや生産計画又は当社グループ製品の代替技術の台頭などにより、当社グループの開発進捗が大幅に遅延あるいは変更となる場合には、当社グループの財政状態及び業績に悪影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

中

影響度

中

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

執行役員会や取締役会等において、開発投資案件の進捗状況の適時把握や市場動向の早期把握に努めており、仮に財政状態や業績に悪影響を及ぼす予兆を検知した場合には、遅滞なく経営判断を行う体制を構築しております。

５．新領域事業に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、事業規模の拡大と収益源の多様化を実現するため、また、光学分野での新たなマーケットを開拓するために、新領域事業への取り組みを進めていく方針であります。新領域事業が安定して収益を生み出すまでには一定の期間と投資を要することが予想され、全体の利益率を低下させる可能性があります。また、将来の事業環境の変化等により、新領域事業が当初の計画どおりに推移せず、新領域事業への投資に対する十分な回収を行うことができなかった場合、当社グループの事業に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

中

影響度

中

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

新領域事業展開に関しましては、リスクを最小化すべくスモールスタートでのトライアルを前提とし、既存事業との関連性、収益性等を中心に十分に検討を行ったうえで実施しております。また公的な開発助成制度の活用により投資負担の軽減を図ってまいります。

（２）調達リスク

１．資材調達によるリスク

リスクの内容

当社グループは、さまざまな原材料や光学部品等を購入して使用しておりますが、その中には特殊な原材料や部品も含まれております。重要なものは複数ベンダーによる購買や在庫積み増し等の対策を講じて安定製造、安定供給に努めておりますが、一部代替が利かないものも存在します。特に、ヘルスケア事業でシンチレータ単結晶の製造に使用する酸化ルテチウムの主な産出国は中国、オーストラリア等であり、当社グループは中国から調達しております。従って、中国の国家政策等により、その調達に問題が発生した場合には、生産計画に支障が生じ、当社グループの財政状態及び業績に悪影響が及ぶ可能性があります。

また、半導体事業の主要製品であるレーザの一部部材については当社グループが求める品質の部材を製造できる企業は国内外でもわずかであるため、当該部材の確保ができなくなった場合には機会損失が発生する可能性があります。また、品質水準を満たす部材を確保できない場合には、歩留率の悪化を招く恐れがあり、これに伴う原材料費の上昇を販売価格へ転嫁できない場合は、当社グループの業績に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

高

影響度

大

リスク評価/前期比

特に重要/同水準

対応策

複数ベンダーによる購買、商社等を通じた調達市場動向の早期把握、また在庫積み増し等の対策を講じて安定製造、安定供給に努めております。

仕入先が限定される主要部材については、仕入先との綿密な調整など連携強化を図るとともに、調達仕様の見直しや仕入状況の定期的なモニタリングにより、サプライチェーンの安定的な確保に向けた取り組みを推進してまいります。

２．原材料価格の変動によるリスク

リスクの内容

当社グループが製造で使用する原材料の中で、ヘルスケア事業にてシンチレータ単結晶の製造に使用する酸化ルテチウムは、レアアースであります。レアアースの価格は変動が大きく、価格の変動を販売価格に転嫁できない場合には、当社グループの財政状態及び業績に悪影響が及ぶ可能性があります。

発生可能性

高

影響度

大

リスク評価/前期比

特に重要/同水準

対応策

執行役員会や取締役会等においてレアアースの価格動向の把握に努めており、仮に価格変動の予兆を検知した場合には、原材料の前倒し仕入れ等の経営判断を遅滞なく行う体制を構築しております。また原材料価格の上昇を販売価格に転嫁する仕組みの構築も合わせて進めております。

（３）法務（コンプライアンス含む）、知的財産に関するリスク

１．知的財産管理に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、他社製品と差別化できる高度な技術及びノウハウを保持しており、またこれらの保護について最善の努力を傾注しておりますが、特定の地域では知的財産権による完全な保護が困難であるおそれがあり、そのため第三者が当社グループの知的財産を使用して類似した製品を製造することを防止できない可能性があります。一方、当社グループが使用する技術及びノウハウ等が意図せずして他社の知的財産権に抵触する疑いが生じ係争に発展する可能性があります。

発生可能性

中

影響度

大

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

知的財産権が事業活動・製品競争力に重要な役割を果たしていることを認識し、知的財産権の取得による自社権利の保護に努める一方で、第三者の知的財産を侵害することがないよう外部専門家の意見を参考にしつつ開発プロセスの初期段階から厳格に他社の知的財産権を調査し、問題の発生防止を図っております。

２．情報漏洩リスク

リスクの内容

当社グループの事業の中には、秘密保持契約を締結した上で顧客の製品開発に関わる技術情報や営業情報を預かり、取り扱う業務があるため、当該機密情報の外部漏洩がないよう役職員と秘密保持契約を締結しております。役職員が利用する端末には、データの暗号化、アクセス制限/ログの取得監視、各種システムに対するID管理システム（多要素認証含む）を導入することで、在宅勤務も含めたデータの保全に努めております。

しかしながら、これらの施策にもかかわらず、何らかの理由により機密情報の漏洩が発生した場合には、当社グループへの損害賠償責任の追及や社会的信用の喪失等により、経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

中

影響度

大

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

当社グループでは機密情報の漏洩リスクに対応すべく、上記施策のほか機密情報の取扱いに関する教育を継続的に実施しております。また、軽微な事象が発生した場合についてもコンプライアンス委員会等を通じて周知徹底し、再発の防止に努めております。

３．コンプライアンスリスク

リスクの内容

当社グループの事業拡大に伴い役職員数は年々増加していることから、不正行為が発生しないよう、コンプライアンス関連規程を制定するとともに、当社グループの役職員等が遵守すべき法令・ルールについてコンプライアンス研修等を継続的に実施し、コンプライアンス意識の醸成を図っております。

しかしながら、法令等に抵触する事態や不正行為が発生するといった事態が生じた場合や、事業の急速な拡大により内部管理体制の構築が追いつかないという事態が生じる場合には、当社グループの経営成績及び財政状態に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

中

影響度

大

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

上記施策のほか、内部通報制度であるホットラインの設置等を行い、法令遵守違反・役職員等による不正行為、不祥事等を早期に発見することに努め、迅速な対応を図っております。

（４）財務リスク

１．固定資産の減損に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、キャッシュ・フローを生み出す資産又は資産グループの最小単位として、工場単位、事業単位等（第１・６工場及び半導体事業（横浜事業所、第２・４工場）、第３工場、オキサイドパワークリスタル社）を基本とした資産のグルーピングを行っております。

当該資産又は資産グループが属する工場の経営環境の著しい変化や収益状況の悪化等により、固定資産の減損損失を計上する必要が生じた場合には、当社グループの財政状態及び業績に悪影響が及ぶ可能性があります。

発生可能性

中

影響度

大

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

事業計画や予実管理を通して、業績推移のモニタリングを行っており、早期に減損の兆候の把握に努めており、現時点で減損の兆候は識別しておりません。引き続き事業計画の着実な実行により収益の安定的確保に努めてまいります。

２．有利子負債に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、将来にわたって必要な設備を新規取得あるいは更新のため、設備投資資金や運転資金を金融機関からの借入金により賄っており、当連結会計年度末における有利子負債は総資産の51.3％となっております。

発生可能性

中

影響度

中

リスク評価/前期比

重要/同水準

対応策

短期借入金は主にコミットメントライン契約に基づく借入、返済を短期資金需要に応じて行っております。長期借入金については、当初契約通りの返済を進めております。金融機関とは十分なコミュニケーションを行っており、引き続き支援をいただけるよう、良好な関係を維持すべく務めております。

金利上昇によるリスクを軽減するため、変動金利による調達については固定金利等への切り替え、新規での長期借入は固定金利での契約を優先させております。また現預金を確保しつつ営業キャッシュ・フローによる借入金の返済促進などによる財務体質の強化に努めております。

３．為替の変動に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、一部の海外との取引において日本円以外の通貨を用いて行っております。当該通貨の急激な為替変動があった場合には、当社グループの事業に影響を及ぼす可能性があります。

発生可能性

中

影響度

大

リスク評価/前期比

重要/同水準

※当社グループにおける海外との取引の場合、円安は利益を増加させる傾向にありますが、不安定な為替相場が事業に及ぼす影響という点でリスク水準は低減していないため、前期比同水準と判断しております。

対応策

当社グループにおける海外との取引の場合は、主要な取引先とは円建てで取引を行っております。また、執行役員会や取締役会等において、為替動向の把握に努めており、仮に財政状態や業績に悪影響を及ぼす予兆を検知した場合には、遅滞なく経営判断を行う体制を構築しております。

４．修繕引当金に関するリスク

リスクの内容

当社グループは、ヘルスケア事業で結晶育成のために坩堝を使用しておりますが、坩堝は使用を重ねることで摩耗や変形が生じ定期的な改鋳

（２）【役員の状況】

①　役員一覧

１．2026年５月22日（有価証券報告書提出日）現在の当社の役員の状況は、以下のとおりです。

男性9名　女性2名（役員のうち女性の比率18％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

代表取締役CEO

古川　保典

1959年９月12日

1983年４月　日立金属株式会社（現　株式会社プロテリアル）　入社

1992年６月　スタンフォード大学　応用物理研究所客員研究員

1996年４月　独立行政法人物質・材料研究機構（現国立研究開発法人物質・材料研究機構）　入社

2000年10月　当社設立　代表取締役社長

2023年３月　Raicol Crystals Ltd.　Chairman

2024年５月　当社代表取締役会長

2024年12月　株式会社オキサイドパワークリスタル　代表取締役社長（現任）

2026年５月　当社代表取締役CEO（現任）

（注）３

894,600

代表取締役COO

山本　正幸

1967年６月７日

1990年４月　株式会社商工組合中央金庫　入社

2007年12月　当社取締役副社長

2024年５月　当社代表取締役社長

2026年５月　当社代表取締役COO（現任）

（注）３

125,000

取締役CTO

藤浦　和夫

1960年４月29日

1985年４月　日本電信電話株式会社(現　NTT株式会社)　入社

1996年９月　スタンフォード大学　応用物理研究所客員研究員

2010年７月　日本電信電話株式会社　理事

2012年７月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　入社

2017年12月　当社取締役

2024年５月　当社取締役副社長

2026年５月　当社取締役CTO（現任）

（注）３

37,000

取締役CTO

石橋　浩之

1958年３月21日

1980年４月　日立化成工業株式会社（現　株式会社レゾナック）　入社

2006年４月　同社　主管研究員兼開発部長

2014年10月　国立大学法人東北大学　特任教授（客員）（現任）

2017年12月　当社取締役

2021年10月　株式会社UJ-Crystal　取締役（現任）

2024年12月　株式会社オキサイドパワークリスタル　取締役副社長（現任）

2026年５月　当社取締役CTO（現任）

（注）３

25,000

取締役CSO

内田　誠二

1979年９月10日

2004年５月　大和証券SMBC株式会社（現　大和証券株式会社）　入社

2006年６月　ドイツ証券株式会社　入社

2011年９月　シティグループ証券株式会社　入社

2014年10月　Citigroup Global Markets Asia Limited　入社

2017年７月　当社IPO準備室長

2021年５月　当社取締役

2023年３月　Raicol Crystals Ltd.　CSO

2026年４月　株式会社貴瞬　社外取締役（現任）

2026年５月　当社取締役CSO（現任）

（注）３

6,000

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

取締役

為近　恵美

1960年12月２日

1989年４月　日本電信電話株式会社(現　NTT株式会社)　入社

2006年10月　同社　NTT先端技術総合研究所　企画部　情報戦略担当部長

2015年１月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　経営企画部　技術輸出管理室　室長

2017年３月　横浜バイオテクノロジー株式会社　監査役

2017年４月　国立大学法人横浜国立大学　地域連携推進機構　成長戦略教育研究センター教授

2020年５月　当社社外取締役（現任）

2021年６月　株式会社UNTRACKED　監査役（現任）

2024年３月　公益社団法人応用物理学会　代表理事・副会長

2024年４月　国立大学法人横浜国立大学　総合学術高等研究院　半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター　副センター長（現任）

2026年４月　国立大学法人横浜国立大学　総合学術高等研究院　IMS客員教授（現任）

（注）３

-

取締役

Gareth C.W. Jones

［ギャレス C.W. ジョーンズ］

1955年12月18日

1978年５月　Gooch & Housego Ltd.　入社

1986年３月　同社　Technical Director

1995年５月　同社　Managing Director

2001年３月　MTI Partners Ltd.　Partner

2003年１月　Gooch & Housego PLC.　Chief Executive Officer

2015年１月　同社　Non-Executive Chairman

2024年５月　当社社外取締役（現任）

（注）３

-

取締役

小池　美和

1966年８月６日

1989年４月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　入社

2023年６月　エヌ・ティ・ティ・エイ・ティ・システムズ株式会社(現　NTT-ATシステムズ株式会社)　取締役（非常勤）（現任）

 エヌ・ティ・ティ・エイ・ティ・テクノ・コミュニケーションズ株式会社(現　NTT-ATテクノコミュニケーションズ株式会社)　取締役（非常勤）（現任）

 NTT-ATアイピーエス株式会社　取締役（非常勤）（現任）

 ＮＴＴ－ＡＴクリエイティブ株式会社　取締役（非常勤）（現任）

 NTT-ATエムタック株式会社　取締役（非常勤）（現任）

2024年７月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　経営戦略室経営企画部門　担当部長(現任)

2025年５月　当社社外取締役（現任）

（注）３

-

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

常勤監査役

吉田　貴

1963年11月21日

1991年３月　株式会社光彩工芸（現　株式会社光・彩）　入社

2010年４月　同社　常務取締役

2018年12月　当社　入社

2021年６月　当社　管理本部統括マネージャー

2024年５月　当社常勤監査役（現任）

（注）４

127

監査役

小坂　義人

1955年７月13日

1984年12月　税理士　登録

1990年２月　公認会計士　登録

1991年３月　アクタス監査法人（現　太陽有限責任監査法人）設立　代表社員

2005年10月　当社社外監査役（現任）

2006年６月　信越化学工業株式会社　監査役（現任)

2009年７月　飛悠税理士法人設立　代表社員

2014年10月　太陽有限責任監査法人　パートナー

2015年７月　きさらぎ監査法人（現　Mooreみらい監査法人）　代表社員

（注）４

10,000

監査役

田中　良幸

1982年６月28日

2007年９月　弁護士　登録

2009年９月　トニカ法律事務所　入所（現任）

2019年６月　ダイニッカ株式会社　社外取締役（現任）

2023年４月　最高裁判所司法研修所教官

2024年５月　当社社外監査役（現任）

（注）４

-

計

1,097,727

　（注）１．取締役 為近恵美、Gareth C.W. Jones及び小池美和は、社外取締役であります。

２．監査役 小坂義人及び田中良幸は、社外監査役であります。

３．取締役の任期は、2025年５月29日開催の定時株主総会終結の時から選任後１年以内に終了する事業年度のうち、最終のものに関する定時株主総会終結の時までであります。

４．監査役の任期は、2024年５月30日開催の定時株主総会終結の時から選任後４年以内に終了する事業年度のうち、最終のものに関する定時株主総会終結の時までであります。

５．当社は、法令に定める監査役の員数を欠くことになる場合に備え、会社法第329条第３項に定める補欠監査役３名を選任しております。補欠監査役の略歴は次のとおりであります。

氏名

生年月日

略歴

所有株式数（株）

殿村　悦子

1964年11月19日

2003年11月　行政書士登録

2010年４月　株式会社スマートソーラインターナショナル　入社

2012年１月　当社入社

2023年３月　当社　レーザ事業部ビジネス管理グループ　統括マネージャー

2026年５月　当社　法務本部長(現任)

5,156

岡田　貴子

1965年９月11日

1992年10月　監査法人トーマツ（現　有限責任監査法人トーマツ）入社

1996年４月　公認会計士登録

2004年９月　税理士法人トーマツ（現　デロイトトーマツ税理士法人）転籍

2011年11月　税理士登録

2019年１月　岡田貴子公認会計士・税理士事務所設立　代表（現任）

2019年６月　イチカワ株式会社　社外監査役（現任）

2023年１月　RUN.EDGE株式会社　社外監査役（現任）

2023年４月　日本管財ホールディングス株式会社　社外取締役（監査等委員）（現任）

2025年３月　株式会社すかいらーくホールディングス　社外取締役（監査等委員）（現任）

-

土肥　健太郎

1980年５月８日

2009年11月　最高裁判所司法研修所　入所

2010年12月　同研修所終了　弁護士登録

2011年１月　麻生総合法律事務所　入所

2014年３月　土肥法律事務所　開設　パートナー（現任）

2023年６月　公益財団法人日本尊厳死協会　理事（現任）

-

（注）補欠監査役の任期は、就任した時から退任した監査役の任期の満了の時までであります。

２．2026年５月29日開催予定の定時株主総会の議案（決議事項）として、「取締役７名選任の件」を提案しております。当該議案が承認可決された場合、当社の役員の状況は以下のとおりとなります。なお、役員の役職等については、当該定時株主総会の直後に開催が予定される取締役会の決議事項の内容を含めて記載しております。

男性8名　女性2名（役員のうち女性の比率20％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

代表取締役CEO

古川　保典

1959年９月12日

1983年４月　日立金属株式会社（現　株式会社プロテリアル）　入社

1992年６月　スタンフォード大学　応用物理研究所客員研究員

1996年４月　独立行政法人物質・材料研究機構（現国立研究開発法人物質・材料研究機構）　入社

2000年10月　当社設立　代表取締役社長

2023年３月　Raicol Crystals Ltd.　Chairman

2024年５月　当社代表取締役会長

2024年12月　株式会社オキサイドパワークリスタル　代表取締役社長（現任）

2026年５月　当社代表取締役CEO（現任）

（注）３

894,600

代表取締役COO

山本　正幸

1967年６月７日

1990年４月　株式会社商工組合中央金庫　入社

2007年12月　当社取締役副社長

2024年５月　当社代表取締役社長

2026年５月　当社代表取締役COO（現任）

（注）３

125,000

取締役CTO

藤浦　和夫

1960年４月29日

1985年４月　日本電信電話株式会社(現　NTT株式会社)　入社

1996年９月　スタンフォード大学　応用物理研究所客員研究員

2010年７月　日本電信電話株式会社　理事

2012年７月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　入社

2017年12月　当社取締役

2024年５月　当社取締役副社長

2026年５月　当社取締役CTO（現任）

（注）３

37,000

取締役CSO

内田　誠二

1979年９月10日

2004年５月　大和証券SMBC株式会社（現　大和証券株式会社）　入社

2006年６月　ドイツ証券株式会社　入社

2011年９月　シティグループ証券株式会社　入社

2014年10月　Citigroup Global Markets Asia Limited　入社

2017年７月　当社IPO準備室長

2021年５月　当社取締役

2023年３月　Raicol Crystals Ltd.　CSO

2026年４月　株式会社貴瞬　社外取締役（現任）

2026年５月　当社取締役CSO（現任）

（注）３

6,000

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

取締役

為近　恵美

1960年12月２日

1989年４月　日本電信電話株式会社(現　NTT株式会社)　入社

2006年10月　同社　NTT先端技術総合研究所　企画部　情報戦略担当部長

2015年１月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　経営企画部　技術輸出管理室　室長

2017年３月　横浜バイオテクノロジー株式会社　監査役

2017年４月　国立大学法人横浜国立大学　地域連携推進機構　成長戦略教育研究センター教授

2020年５月　当社社外取締役（現任）

2021年６月　株式会社UNTRACKED　監査役（現任）

2024年３月　公益社団法人応用物理学会　代表理事・副会長

2024年４月　国立大学法人横浜国立大学　総合学術高等研究院　半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター　副センター長（現任）

2026年４月　国立大学法人横浜国立大学　総合学術高等研究院　IMS客員教授（現任）

（注）３

-

取締役

Gareth C.W. Jones

［ギャレス C.W. ジョーンズ］

1955年12月18日

1978年５月　Gooch & Housego Ltd.　入社

1986年３月　同社　Technical Director

1995年５月　同社　Managing Director

2001年３月　MTI Partners Ltd.　Partner

2003年１月　Gooch & Housego PLC.　Chief Executive Officer

2015年１月　同社　Non-Executive Chairman

2024年５月　当社社外取締役（現任）

（注）３

-

取締役

小池　美和

1966年８月６日

1989年４月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　入社

2023年６月　エヌ・ティ・ティ・エイ・ティ・システムズ株式会社(現　NTT-ATシステムズ株式会社)　取締役（非常勤）（現任）

 エヌ・ティ・ティ・エイ・ティ・テクノ・コミュニケーションズ株式会社(現　NTT-ATテクノコミュニケーションズ株式会社)　取締役（非常勤）（現任）

 NTT-ATアイピーエス株式会社　取締役（非常勤）（現任）

 ＮＴＴ－ＡＴクリエイティブ株式会社　取締役（非常勤）（現任）

 NTT-ATエムタック株式会社　取締役（非常勤）（現任）

2024年７月　エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社(現　NTTアドバンステクノロジ株式会社)　経営戦略室経営企画部門　担当部長(現任)

2025年５月　当社社外取締役（現任）

（注）３

-

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数

（株）

常勤監査役

吉田　貴

1963年11月21日

1991年３月　株式会社光彩工芸（現　株式会社光・彩）　入社

2010年４月　同社　常務取締役

2018年12月　当社　入社

2021年６月　当社　管理本部統括マネージャー

2024年５月　当社常勤監査役（現任）

（注）４

127

監査役

小坂　義人

1955年７月13日

1984年12月　税理士　登録

1990年２月　公認会計士　登録

1991年３月　アクタス監査法人（現　太陽有限責任監査法人）設立　代表社員

2005年10月　当社社外監査役（現任）

2006年６月　信越化学工業株式会社　監査役（現任)

2009年７月　飛悠税理士法人設立　代表社員

2014年10月　太陽有限責任監査法人　パートナー

2015年７月　きさらぎ監査法人（現　Mooreみらい監査法人）　代表社員

（注）４

10,000

監査役

２【沿革】

年月

概要

2000年10月

山梨県北巨摩郡小淵沢町（現　山梨県北杜市小淵沢町）に創業者の研究成果を世の中に還元することを目的として株式会社オキサイドを設立

2001年５月

Super LN/LT新製品開発に成功　国際展示会で販売開始

2003年９月

東芝セラミックス株式会社（現　クアーズテック株式会社）と資本・業務提携

2005年６月

本社及び第１工場を山梨県北杜市武川町（現所在地）に移転

2005年12月

三菱電線工業株式会社より光デバイス事業買収

2006年６月

株式会社ニコンと資本・業務提携

2006年８月

米国KLA-Tencor Corporation（現　KLA Corporation）と資本・業務提携

2007年10月

エヌ・ティ・ティ・アドバンステクノロジ株式会社と資本・業務提携

2008年３月

山梨県北杜市に第２工場竣工

2008年10月

第１・２工場が、ISO9001認証取得

2008年12月

レーザーテック株式会社と資本提携

2010年９月

株式会社マグネスケールよりレーザ事業買収

2010年10月

神奈川県横浜市港北区に横浜事業所を設置

2012年４月

久保田研究所を設立

2013年２月

266nmCWレーザ、ニューラインナップ発売開始

2013年４月

光学的ノイズ（スペックルノイズ）測定器であるDr.SPECKLE、ニューラインナップ発売開始

2015年３月

日立化成株式会社（現　株式会社レゾナック）よりシンチレータ単結晶事業買収、

山梨県北杜市に第３工場取得

2016年６月

横浜事業所を神奈川県横浜市保土ヶ谷区（現所在地）に移転

2016年６月

国際電気標準会議より、スペックル測定方法の国際標準取得

（発行No.IEC 62906-5-2:2016 Laser display devices -Part 5-2）

2016年８月

株式会社日立ハイテクノロジーズ（現　株式会社日立ハイテク）と資本・業務提携

2018年８月

米国Lumeras LLCから真空紫外レーザ事業買収

2019年６月

デンマークNKT Photonics A/Sとフェムト秒レーザの開発・製造で業務提携

2020年２月

LASEA S.A.とレーザ微細加工機の販売で業務提携

2020年４月

久保田研究所をレーザ事業部に統合

2021年４月

東京証券取引所マザーズに株式を上場

2021年10月

株式会社UJ-CrystalとSiC単結晶の量産化に向けた研究開発で資本業務提携

2022年３月

山梨県北杜市に第６工場取得

2022年４月

東京証券取引所の市場区分の見直しにより、同取引所グロース市場に移行

2022年５月

LQUOM株式会社と長距離量子通信機器の実用化に向けた研究開発で資本業務提携

2022年６月

株式会社日立ハイテクとの資本提携は解消（業務提携は継続）

2023年３月

Raicol Crystals Ltd.（イスラエル）を子会社化

2023年３月

山梨県北杜市に第４工場（第１期工事）と第５工場竣工

2024年10月

株式会社オキサイドパワークリスタルを設立（現連結子会社）

2024年10月

株式会社JSファンダリとSiC単結晶の量産化に向けた製造で業務提携

2026年２月

Raicol Crystals Ltd.の全株式及び貸付債権をIsrael Special Material Platform LP へ譲渡