KOKUSAI ELECTRICは何で稼いでいる？

３【事業の内容】

当社グループは、当社及び連結子会社７社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。

(1）装置ビジネス

当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を（図-１）に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える（アニール）等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。

図-１　半導体製造前工程と主な当社グループ適応製品

「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD（注１）に対応した製品を提供しております。

一方、「熱処理」工程とは、熱酸化（注２）膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える（アニール）プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する（トリートメント）プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。

これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。

当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題に、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下があります。三次元（立体）構造になるとデバイスの構造がより深く、複雑になります。それにより成膜が必要な表面積が拡大し、ガスの移動距離が長くなり、成膜に要する時間が増加するため、生産性の課題が顕在化します。また、デバイス構造の複雑化に伴い、難易度の高い高品質成膜が要求されており、ALDのニーズが高まっております。当社グループは、このニーズに高難易度成膜と高生産性の両立できるバッチALD技術で、顧客の厳しい要求仕様に応えております。このバッチALD技術は、当社のコア技術による競合優位性の高い技術となっており、当社グループは高いシェアを持続しております。

顧客からのニーズが高まっているALDはサイクリックなプロセスであり、そのプロセスの中でガスの流入や流出、また膜質を維持するために副産物の除去を行うため時間を要するプロセスになってしまうことが大きな課題になっております。ALD技術とバッチの組み合わせによる補完関係を実現した当社グループのバッチALD技術は、高難易度成膜と高生産性の両立を可能とするものであり、生産性に関するALDの問題の論理的な解決策となります。

次に当社製品について以下にご紹介いたします。当社の主な製品であるバッチ成膜装置は、2025年のバッチALD対応装置市場において売上高世界シェア１位（出典：TechInsights Inc. “TI_ALD Tools_YEARLY” （April 2026））となっております。また、当社の枚葉プラズマトリートメント装置が属するPlasma Gate Modification Tools市場でも2025年の売上高世界シェア１位（出典: Gartner®, Market Share: Semiconductor Wafer Fab Equipment, Worldwide, 2025, Bob Johnson et al. Published 2 April 2026）（注３）となっております。

それぞれの製品についてご説明します。

①　バッチ成膜装置

バッチ成膜装置とは、数十枚以上のシリコンウェーハを一括処理することを可能とした成膜装置であり、高生産性が特徴となります。バッチ成膜装置には、高生産性を追究しウェーハ最大二百枚の一括処理に対応した「ラージバッチ」プラットフォーム（図-２　主要製品概要参照）と、複雑化する半導体構造への難易度が高い高品質成膜に対応し、ウェーハ最大百枚の一括処理に対応した「ミニバッチ」プラットフォームがあります。

このバッチ成膜装置のプラットフォームに使途に応じた反応炉をセットし、最適なプロセスを実現しております。「成膜」工程では、「LP-CVD」「ALD」など、「熱処理」工程では「熱酸化」「アニール」「拡散」などに適応しております。

なお、バッチ成膜装置の主力製品であるAdvancedAce®シリーズ及びTSURUGI® 剱®シリーズの概要は下記のとおりです。

・AdvancedAce®シリーズ：当社のコア技術である温度制御技術、自動搬送技術、真空・ガス置換技術、冷却技術、成膜技術を結集することで、高品質な成膜性能と高生産性を実現し、バッチCVD技術とバッチALD技術に対応したサーマルプロセス装置。

・TSURUGI® 剱®シリーズ：次世代デバイス、特に三次元（立体）デバイスに向けた成膜品質向上の市場ニーズにこたえるため、新反応炉を採用した成膜処理技術向上により、最新のバッチALD技術に対応し高品質・高生産性を備えたプロセス提供を可能にしたサーマルプロセス装置。

②　枚葉プラズマトリートメント（膜質改善）装置

枚葉プラズマトリートメント装置は、成膜後にプラズマや加熱により膜中の不純物の除去や粒子を安定させることで膜質を改善させることを目的とした装置です。半導体デバイスの微細化、複雑化に伴い低温環境での成膜需要が高まる中で、低温環境でも膜質を維持するソリューションとして需要が拡大しております。

当社グループで製造・販売している枚葉プラズマトリートメント装置の「MARORA®」は複雑な半導体形状に対しても高い生産性と品質でのトリートメントが可能で、顧客からの需要を集めており、バッチ成膜装置に次ぐ柱として今後も成長させていく計画です。

（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでおります。

（注２）シリコン基板表面から内部にかけて高純度の酸化をする方法。熱酸化には、ドライ酸化、ウエット酸化などいくつかの方法があります。

（注３）GARTNERは、Gartner Inc.または関連会社の米国およびその他の国における登録商標およびサービスマークであり、同社の許可に基づいて使用しています。All rights reserved. Gartnerは、Gartnerリサーチの発行物に掲載された特定のベンダー、製品またはサービスを推奨するものではありません。また、最高のレーティング又はその他の評価を得たベンダーのみを選択するようにテクノロジーユーザーに助言するものではありません。Gartnerリサーチの発行物は、Gartnerリサーチの見解を表したものであり、事実を表現したものではありません。Gartnerは、明示または黙示を問わず、本リサーチの商品性や特定目的への適合性を含め、一切の責任を負うものではありません。本書に記載するGartnerのコンテント (以下「Gartnerコンテント」) は、Gartnerシンジケート・サブスクリプション・サービスの一部としてGartner, Inc.(以下「Gartner」)が発行したリサーチ・オピニオンまたは見解を表すものであり、事実を述べているものではありません。Gartnerコンテントの内容はいずれも、そのコンテントが発行された当時の内容であり、本書が発行された日の内容ではありません。また、Gartnerコンテントに記載されている見解は予告なく変更されることがあります。

図-２　主要製品概要

(2）サービスビジネス

当社グループでは、当社グループが製造・販売する半導体製造装置において部品販売・保守サービスをはじめとするアフターサービスの提供を行っております。半導体生産工場においては、半導体製造装置が年中無休で稼働しており、半導体製造装置に対し安定的な稼働とともに、耐久性が高い製品の提供が要求されております。当社グループにおいては、これら品質を担保した製品の提供を行っておりますが、これに加え、迅速、かつ、的確にアフターサービスを提供する体制が求められております。

当社グループでは、このような顧客の要望に応えるべく、より顧客の製造拠点に近い場所にて、サービス拠点を設置したうえで、優秀なエンジニアを配置するとともに、交換パーツを配備することで、装置トラブルに迅速、かつ、的確に対応可能な体制を整えております。

取り扱いサービス（役務提供を含む）

①

消耗部品等の部品販売、

保守サービス、有償修理

（現地修理/ユニット引取り修理/オーバーホール等）

②

装置の移設・改造

（プロセス変更/アップグレード等）

③

ウェーハサイズ200mm以下の

レガシー装置（新規・中古）販売

①　部品販売、保守サービス、有償修理

当社が製造・販売する主要製品に対し、保守メンテナンスするための製品の提供を行っております。加えて、半導体製造装置のための定期的な保守サービスを行っております。また、製品保証契約による修理サービスに加えて、故障時に有償で修理サービスを提供しております。

②　装置の移設・改造

当社が提供する主要製品に対し、設置後に必要に応じて、装置の移設やプロセスの書き換え、アップグレード等のサービス等を提供しております。

③　ウェーハサイズ200㎜以下の装置と中古装置の販売

当社はレガシー世代でのバッチ成膜装置を新規・中古いずれも顧客の要望に応じて適切に提供しております。2017年には、200mmバッチ成膜装置に、ウェーハサイズ300mmの先端装置技術を移植した新製品として競争力の高いバッチ成膜装置（VERTEX Revolution®）を市場投入して販売しております。また、SiCを含むパワーデバイス用途向けの販売が増加しており、当社は高温アニール技術を生かして差別化を図っております。

(注)2026年３月期のビジネス区分に基づく記載です。2027年３月期よりビジネス区分の変更を行い、サービスビジネス区分の「ウェーハサイズ200㎜以下の装置と中古装置の販売」と「アップグレード改造」を装置ビジネス区分に変更しました。

半導体設備投資サイクルの変動を受けにくく、かつ消耗品の販売等リカーリングな収益が発生するサービスビジネスは、安定的かつ高マージンな収益が期待されます。当社グループは装置のライフサイクル全体にわたってアフターサービスを提供し続ける体制を整えており、インストール台数の増加と各サービスの強化を通じてサービスビジネスも拡大しております。

また、国内連結子会社（株式会社国際電気セミコンダクターサービス）にて、成膜した後に膜の抵抗値を測定する測定検査装置や、他装置メーカー等向けに洗浄装置用の超音波発振器（水の中で振動させて洗浄に使用）ユニットを製品として製造・販売をしております。

当社グループの事業系統図は以下のとおりであります。

［事業系統図］

１【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】

文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。

(1）企業理念

当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。

(2）経営方針

当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。

(3）経営戦略

当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により、高品質な薄膜等を形成する高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD（注１）技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するプラズマトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。

ESGの取り組みでは、設定した５つのマテリアリティに基づき、社会課題及び環境課題に向けた活動を推進してまいります。

また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。

（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。

(4）中期計画

当社グループは、2024年６月に中期経営計画を策定し、WFE（Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場）の市場規模および市場成長を前提として中期目標を設定いたしまた。その後、市場環境が大きく変化したことから、2026年５月に見直しを行い、2029年３月期までに当社グループの売上収益3,300億円以上、調整後営業利益率30％以上を達成することを目標としております。また、資本コストを意識しながら中長期的な視点で資本収益性を向上させるため、WACC（Weighted Average Cost of Capital：加重平均資本コスト）を上回るROIC（Return on Invested Capital：投下資本利益率）およびROE（Return on Equity：自己資本利益率）の目標を設定しています。詳細は、当社ウェブサイトに掲載の「2026年３月期（2025年４月～2026年３月）決算説明資料」（URL:https://www.kokusai-electric.com/ir）にて公開しております。

(5）経営環境

半導体製造装置市場に大きく影響する半導体デバイス市場の規模は、2016年の約3,500億ドルに対し、2022年には約6,100億ドルと1.7倍へ拡大しており、2023年から2030年まで年平均成長率14.5％で成長することが予想されております（注１）。半導体デバイス市場拡大の背景には、スマートフォンやパソコン等の電子機器の需要拡大や、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターの拡充や環境負荷低減への投資（GX）等の産業向けの需要拡大、主要国による産業支援策があります。足元の世界経済は、緩やかな成長基調にあるものの、依然として先行きに対する不透明な状況が続いており、スマートフォンやパソコン等の電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかな動きになっています。しかしながら半導体デバイス市場では、生成AIの普及等を背景に先端DRAMに対する需要が増加しており、2025年以降需要が本格回復し、さらに2029年に向けて技術革新の継続・加速的により再び成長基調へ進むものと期待しています（注２）。

半導体製造装置市場は2016年の約370億ドルに対し、2022年には約980億ドルと2.6倍以上へ拡大しており、2023年から2030年まで年平均成長率9.9％で成長することが予想されております（注２）。足元では先端DRAM、先端ノード向けLogic/Foundry向けの設備投資が加速しており、NANDも2025年に入り回復の兆しが見られ、今後半導体デバイスの需要回復に伴って半導体製造装置の需要も回復するものと見ております。中長期的には、半導体デバイスの微細化、構造の複雑化、三次元化が進む中で、難易度の高い成膜と高い生産性を両立することのできる半導体製造装置へのニーズが高まると考えております。

（注１）出典：TechInsights Inc. Semiconductor Forecast (March 26)

（注２）出典：TechInsights Inc. WAFER FAB EQUIPMENT (WFE) MARKET HISTORY AND FORECAST (2020 – 2031) (March 2026)

半導体デバイス／半導体製造装置の世界市場規模（単位：十億ドル）

2016年

2022年

2023年

2030年（予想）

半導体デバイスの

世界市場規模

355.4

613.7

558.6

1,441.3

半導体製造装置の

世界市場規模

37.0

98.1

99.4

192.0

出典：TechInsights Inc. Semiconductor Forecast (March 2026)

出典：TechInsights Inc. WAFER FAB EQUIPMENT (WFE) MARKET HISTORY AND FORECAST (2020 – 2031) (March 2026)

(6）事業上及び財務上の対処すべき課題

当社グループを取り巻く事業環境は、AI関連の需要が半導体デバイスメーカーの投資を牽引しており、特に生成AIの活用拡大に伴うデータセンター用サーバー向けの需要が拡大しています。これを受けて、半導体デバイス市場では、生成AI用途の高性能Logic、DRAMを中心にデバイスの世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資が高水準で推移し、NANDでも主にデバイスの世代交代に向けた設備投資が進んでいます。一方で、スマートフォンやパソコン等の民生電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかであり、AI関連とは異なった需要の動きになっています。中長期的には、民生電子機器の需要回復・拡大に加え、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターのさらなる拡充やグリーントランスフォーメーションへの投資等により、半導体関連市場は大きな成長が見込まれています。

こうした状況をふまえ、当社グループは、前述の経営戦略に基づき、以下の重点施策を推進してまいります。

①　イノベーションによる高付加価値製品の継続的な創出とお客様のニーズを的確に捉えた開発体制の強化

今後加速されることが予測されるお客様の先端デバイス開発スピードに応えるため、イノベーションを創出し、難易度が高い成膜技術等を用いた当社が有する高付加価値製品の開発をさらに推進してまいります。この推進体制の一環として、韓国生産拠点のデモ評価エリアの拡張及び横浜テクノロジーセンタの設置を既に実施しており、また、今後米国デモセンターの新設（2027年1月操業）を予定しております。

②　イノベーションを創出し続ける企業文化の形成と技術と対話を通じたお客様への提案力の強化

これまで当社がNAND分野で培ってきたバッチALD（注１）やプラズマトリートメント（膜質改善）をはじめとする先端プラットフォーム・プロセス技術を、Logic/Foundry分野及びDRAM分野へと展開いたします。また、新分野への挑戦を加速させるため、アドバンスドパッケージ分野への取組みも継続して強化してまいります。このように、イノベーションを創出し続ける企業文化を当社グループ全体に根づかせ、今後も、コーポレートスローガンである「技術と対話で未来をつくる」に則り、対話を通じてお客様が抱える課題を深く理解し、技術を通じてその課題に対する解決策を積極的に提案してまいります。

③　サービスビジネスのさらなる拡大

当社製品のライフサイクル全体でお客様のニーズに合わせたサービスを提供するため、部品販売・メンテナンスをはじめとする、当社グループ全体でのオペレーションの最適化を推進し、持続的な成長をめざしてまいります。

④　グループ運営モデルの刷新による経営効率化の実行

お客様のグローバル展開の進展に伴い当社グループの一体運営強化の必要性が増していることから、当社グループ運営モデルを刷新し、地域間連携と手法統一を実行して経営の効率化を図ります。また、営業、設計、調達、生産及びサービス業務の全体最適を目的として、生産管理や顧客管理等のシステムの統合を含むＤＸの推進を加速してまいります。

⑤　多様な人財が活躍できる職場環境づくり

当社グループが持続的に成長・発展していくために、従業員一人一人の多様性を生かした新たな価値創出の機会を積極的に設け、その能力や才能を遺憾なく発揮できるよう、オープンな職場環境づくりをめざしてまいります。また、一人一人それぞれが、意思決定・意思伝達、実行に対する速度と精度を磨き上げ、当社グループ全体で機動力を高める企業文化の形成をめざしてまいります。

(7）経営上の目標の達成状況を判断するための客観的な指標等

当社グループは、企業の持続的な成長性、収益性を測定するため、売上収益、調整後営業利益率、調整後営業利益及び調整後親会社の所有者に帰属する当期利益を重要な経営指標として位置付けております。当該指標を重視する理由について、売上収益は事業成長の目安となること、調整後営業利益率は売上の増加割合に対する収益性の変化を確認する目安となるためであります。また、資本コストを意識しながら中長期的な視点で資本収益性を向上させるため、ROE（自己資本利益率）及びROIC（投下資本利益率）についても重要な経営指標として位置付けております。

なお、調整後営業利益及び調整後親会社の所有者に帰属する当期利益につきましては、経営成績の推移を把握するために以下の算式により算出しております。

①　調整後営業利益 ＝ 営業利益（IFRS）－ その他の収益 ＋ その他の費用 ＋ 企業結合により識別した無形資産等の償却 ＋ スタンドアローン関連費用 ＋ マネジメントフィー ＋ 売却関連費用 ＋ 株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く）

②　調整後当期利益 ＝ 当期利益－ その他の収益 ＋ その他の費用 ＋ 企業結合により識別した無形資産等の償却 ＋ スタンドアローン関連費用 ＋ マネジメントフィー ＋ 売却関連費用 ＋ 株式報酬費用（業績連動型株式報酬制度に係るものを除く） － 持分法で処理されている投資の売却益 ＋ ファイナンシング関連費用 ＋ その他の金融費用 ＋ 調整項目に対する税金調整額 － 税率変更に伴う一時的な税金費用の調整額

（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。

３【事業等のリスク】

本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、経営者が当社グループの財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があると認識している主なリスク、リスク顕在化の可能性、顕在化の時期、連結業績への影響度及びリスクへの対応は、以下のとおりです。

なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであり、将来において発生の可能性がある全てのリスクを網羅するものではありません。

リスク項目マップ

分類

リスク項目

顕在化の
可能性

顕在化の
時期

影響度

政治・経済の動向

マクロ経済環境

中

中期～長期

大

市場環境の動向

市場ニーズ

中

中期～長期

大

他社との競合等

中

中期～長期

大

主要顧客への依存

中

中期～長期

大

海外事業

中

中期～長期

大

研究開発

低

長期

大

株式市場の動向

Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.グループとの関係

低

短期

小

災害・パンデミック、
事件・事故

大規模災害等

中

長期

大

感染症の世界的流行

中

長期

大

サプライチェーン

調達・生産

高

中期～長期

大

品質問題

製造物・品質

低

中期

大

知的財産

知的財産

中

中期～長期

中

訴訟

訴訟等

低

中期～長期

小

環境

環境対応

低

中期～長期

中

人事管理

人材

高

短期～中期

中

コンプライアンス

コンプライアンス等

低

中期

中

情報セキュリティ

情報セキュリティ

高

中期～長期

大

財務・税務

為替

中

特定時期
なし

小

金利の変動

中

特定時期
なし

中

のれん及びその他の無形資産

低

特定時期
なし

大

(1）マクロ経済環境

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）

当社グループはグローバルに事業を展開しており、当社グループの業績は国内外の景気、経済動向、社会情勢及び地政学的リスク、各国の関税政策等に影響されます。例えば、半導体デバイスの急激な需要の増減や需給バランスの悪化によって、半導体デバイスメーカーの設備投資計画に大きな変更が生じれば、当社グループの調達、製造コスト、販売の計画に影響が生じる可能性があります。また、国際的な貿易摩擦や製品の国産化施策に伴う関税、貿易障壁、国産メーカー支援強化等の政策により、当社グループにおける製造コストの上昇、国を跨いだ輸送の遅延、販売機会の変化等が生じる可能性があります。また、ロシア・ウクライナ問題の長期化、世界的なインフレの長期化、インフレ抑制のための金利上昇、新興国の成長鈍化、中台関係の悪化、中東及び北朝鮮での地政学的リスクの増大等により世界経済が低迷する場合、当社グループの主要な販売地域にも影響を及ぼす可能性があります。加えて、「(10）感染症の世界的流行」に記載のとおり、感染症の世界的な感染拡大等が再度発生した場合、消費者行動及び事業活動を含む世界全体の経済活動に影響が生じる可能性があります。

当社グループは、マクロ経済環境について注視しながら事業運営を進めていく方針ですが、上記のような影響が生じた場合、当社グループの事業や経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。

2023年３月期には、2022年10月７日付米国輸出管理規則（EAR）（注１）の改正公布により、米国製半導体製造装置について中国の特定の先端半導体メーカーへの輸出が禁止され、その後複数の中国の半導体メーカーが米国政府の発行する制裁リスト（Entity List）に掲載されました。また、日本においても、全世界向けを対象とした先端半導体製造装置の輸出規制に関する改正法令が2023年７月23日に施行されました。このような米中貿易摩擦は日本や他国にも波及し、中国の半導体デバイスメーカーのみならず他の大手半導体デバイスメーカーの投資計画に影響を及ぼすなど、今後の半導体業界にとっての大きなリスクであると懸念されます。

（注１）：EAR=Export Administration Regulations（輸出管理規則）

（リスクへの対応）

当社グループは、事業等のリスクについて、社長執行役員を委員長とするサステナビリティ委員会において総合的に管理・検討する体制のもと、各部門が必要な対応を行い、定期的に、また必要に応じて取締役会へ報告、審議する管理体制を整備しております。

また、当該リスクを軽減するため、市場動向や競合状況の調査・分析を行い、お客様との対話を通じてニーズを把握し、そのニーズに応えることのできる付加価値の高い製品・サービスを提供し続けるべく研究開発をはじめとする事業活動を推進しております。加えて、半導体デバイス別および地域別の売上構成バランスをより適正化すべく努めてまいります。

(2）市場ニーズ

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）

半導体業界は技術革新が激しく、技術の変化により市場が大幅に成長する反面、需要と供給のギャップが急激に広がり供給過剰となり、半導体製品の値崩れ及び設備投資の抑制が発生することがあります。

半導体デバイス市場は事業構造上、不安定な性質を有しているため、将来においても市況が低迷する可能性があります。半導体デバイス市場と連動する半導体製造装置市場もこの不安定な市況を避けることは難しく、半導体市況に連動し当社グループの事業や経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。また、幅広い用途で半導体の利用が進んでおり、半導体を利用した新しい製品や技術の導入時期、消費者の嗜好の変化、業界の動向等が、半導体の需要や半導体メーカーの設備投資、研究開発計画に与える影響は大きくなっていることから、半導体の市場動向の予測は複雑化しております。３か月に１回程度更新される民間調査機関（TechInsights等）にて、WFE（Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場）CY年度予測が発表されます。市場動向から下方修正、又はマイナス成長予測に転じる場合があり、その予測どおりに主要顧客投資計画の見直しからの後ろ倒しや縮小・中止などが発生した場合には、当社業績に影響を与える可能性が生じます。また、主要顧客における予測していない事故や事態、半導体デバイス市場の想定を超える需要の悪化により当社グループの事業が影響を受ける可能性があるだけではなく、予測を上回る半導体の需要増に応じた半導体製造装置の需要の増加に対応できず、当社グループが市場の好況の恩恵を十分に享受できず、主要顧客との取引関係にも影響を与える可能性があります。

また、半導体製造装置メーカーの変更は、一般的にコストが高く、顧客である半導体メーカーが一度特定の半導体製造装置メーカーの装置を選択すると、当該半導体メーカーは同じ半導体製造装置メーカーの製品を利用し続ける傾向にあります。他の半導体製造装置メーカーの製品を利用している顧客が当社グループ製品に乗り換えることは必ずしも容易ではないため、他の半導体製造装置メーカーの製品を使用している潜在的な顧客に当社グループ製品を販売することができない場合、当社グループの売上及び市場シェアの拡大に影響を及ぼす可能性があります。

（リスクへの対応）

「（1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。

(3）他社との競合等

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）

当社製品は、他社装置と部分的に競合し、複数の競合メーカーとの競争関係にあります。当社グループでは、高性能・高生産性半導体製造装置で優位性を維持するとともに、当社のALD（注１）成膜技術、プラズマトリートメント技術、プリカーサ（成膜に使用するガス）開発や、排気技術の開発など、技術開発における優位性の維持に努めておりますが、技術革新、生産能力の拡充や生産性の改善等の実現が他社に遅れ、販売価格の前提となるコスト、性能、生産量が競合他社に劣る場合や、新たな競合メーカーが台頭した場合、受注高の減少及びシェアの低下により売上及び収益が悪化することにより、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。

（リスクへの対応）

「（1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。

（注１）当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。

(4）主要顧客への依存

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）

半導体業界は、近年の激しい景気変動や技術競争から再編が進んでおり、プレイヤーが集約された市場環境となっております。当社グループにおいても、「４　経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析　(1）経営成績等の状況の概要　③　生産、受注及び販売の実績」に記載のとおり、主要顧客に対する売上収益が連結売上収益の相当程度を占めております。当社グループは、リスクを軽減するため、主たる経営数値は当然のこととして、各種の経営指標についても継続的に管理するとともに、リスクをふまえた一定の目標に基づき適切な改善を行ってまいります。また、取引先に対し定期的な信用調査や信用リスクに応じた取引限度額を設定するなど、信用リスクの管理のための施策を講じておりますが、主要顧客各社の事業方針の変更、取引条件の変更、技術革新、業界動向、各国の関税政策、地政学的影響などの理由により取引量が縮小した場合や販売価格低下の圧力が強まった等の場合には、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。また、当社グループが売掛債権を有する主要顧客の財政状態が悪化し、期限どおりの支払いを得られない場合には、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。

（リスクへの対応）

「（1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。

(5）海外事業

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：中期～長期、影響度：大）

当社グループは、グローバルに事業を展開しているため、海外の各国において以下のようなリスクがあります。これらの事象が発生した場合には、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。

また、当社グループの売上収益の比率が高い国においては、「(1）マクロ経済環境」に記載のとおり、今後、地政学的問題や貿易摩擦などによって各国の国産メーカーへの支援強化等が実施される可能性があり、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。地域別の売上収益については、「第５　経理の状況　１　連結財務諸表等　(1）連結財務諸表　連結財務諸表注記　21．売上収益」をご参照ください。

・投資、輸出入、関税、公正競争、腐敗防止、環境、労働、租税その他事業活動に係る法令その他の公的規制及びその変更

・社会的共通資本（インフラ）が未整備なことによる事業活動上の制約

・政治的要因、社会的要因及び経済情勢の変動

・テロ、戦争、自然災害、各種感染症等の発生による社会的混乱等

（リスクへの対応）

「（1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。

加えて、技術的、取引上の契約事項の明確な記載と相互確認を行うとともに、海外事業に係る取引先、輸出先政庁との情報共有、輸出管理運用基準の遵守、輸出管理教育の受講、輸出管理部門、法務部門と担当部門の連携強化を図っております。

さらに、当社グループでは、海外グループ会社の社員は責任者を含め現地採用を進めており、日本からの社員が出張やリモートで現地を支援する体制を取っております。現地の情報を適時・的確に把握することで、リスクの早期発見と、リスク発現時の適切な対応に努めております。

(6）研究開発

（顕在化の可能性：低、顕在化の時期：長期、影響度：大）

当社グループを取り巻く半導体デバイス市場は、従来の携帯電話やパソコンなどのコンシューマー向けからデータセンターや5G、AIなどの高成長産業向けへと需要がシフトしながら急速に拡大しております。これに伴い、半導体デバイスは複雑な構造へのシフトが進んでおり、半導体製造装置はより難易度の高い技術と高い生産性の両立が求められ、半導体の世代ごとの開発に追従する厳しい技術開発競争下にあります。

当社グループにとって研究開発は重要課題の一つであり、積極的な投資によって顧客ニーズに応えうる付加価値の高い技術及び製品を提供し続けることを基本としておりますが、市場環境の変化に対応できない場合や製品競争力を維持できない場合、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。

（リスクへの対応）

「（1）マクロ経済環境」におけるリスクへの対応と同様です。

(7）Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.グループとの関係

（顕在化の可能性：低、顕在化の時期：短期、影響度：小）

Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.によって運営されているケイケイアール・エイチケーイー・インベストメント・エルピー（KKR HKE INVESTMENT L.P.）は、売却等により所有比率を低下させることが同社の方針と認識しておりますが、当社について他の一般株主と異なる利害関係を有しており、一般株主が期待する議決権の行使その他の行為を行わない可能性があります。

ケイケイアール・エイチケーイー・インベストメント・エルピー（KKR HKE INVESTMENT L.P.）は、2025年３月31日現在において当社発行済株式総数の23.5％を保有しておりましたが、2025年７月に証券会社を通じて所有株式の一部を売却したため、2026年３月31日現在における発行済株式総数の保有割合は10.4％に減少いたしました。これに伴い、KKR HKE INVESTMENT L.P.は当社のその他の関係会社ではなくなり、当社の筆頭株主でもなくなりました。その後、2026年５月にKKR HKE INVESTMENT L.P.は証券会社を通じて所有株式の全部を売却しております。これに伴い、本報告書提出日時点において、KKR HKE INVESTMENT L.P.は当社の主要株主ではなくなりました。

本報告書提出日現在において、当社の監査等委員でない取締役である中村正樹１名がKKRの日本法人である株式会社KKRジャパンから派遣されておりますが、2026年６月26日開催予定の定時株主総会終結の時をもってKKRからの取締役の派遣はなくなる予定です。

（リスクへの対応）

当社グループは、当該リスクを軽減するため、定期的に対話を行い、経営方針や中長期的な事業戦略および株主還元方針等を説明し、理解を得るようにしております。また、当該株主との取引等について、取引の合理性及び取引条件の妥当性を確認し、取締役会の承認を得ることとしております。

なお、当社は、Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.とのMonitoring Agreementに基づき、同社より経営全般に関するコンサルティング、資金調達等に関する経営指導を受け、契約に基づくフィーを支払っておりましたが、2022年３月31日にMonitoring Agreementを解除いたしました。これにより、2023年３月期以降、当該契約に基づく対価の支払いは発生いたしません。

(8）大規模災害等

（顕在化の可能性：中、顕在化の時期：長期、影響度：大）

災害や人為的な原因等により電力、通信、交通等の社会的共通資本に関して重大な障害が発生した場合、当社グループの経営成績、財政状態及びキャッシュ・フローの状況に影響を及ぼす可能性があります。特に、主要生産拠点である当社富山事業所ならびに砺波事業所において長期にわたり稼働が困難となった場合には、より重大な影響を及ぼす可能性があります。

（リスクへの対応）

当社グループの事業拠点は、国内及び海外に展開しており、生産及び販売活動に大きな影響を与える地震、津波、洪水、火災等の災害に備え、下記の対応を行っております。

・富山事業所や砺波事業所における大規模災害発生を想定

（２）【役員の状況】

①　役員一覧

a.2026年６月25日（有価証券報告書提出日）現在の当社の役員の状況は、以下のとおりです。

男性7名　女性3名　（役員のうち女性の比率30.0％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

代表取締役

社長執行役員

塚田　和徳

1965年12月６日生

1986年４月　国際電気株式会社（現　株式会社国際電気） 入社

2007年４月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　電子機械事業部　アジア営業部長

2013年４月　同社　電子機械事業部　営業本部　副本部長

2014年４月　同社　電子機械事業部　営業本部長

2014年４月　日立国際電気（上海）有限公司（現　科意半導体没備(上海)有限公司）　董事長

2018年６月　当社（株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）より分離）理事　営業本部長

2019年４月　当社　執行役員　営業本部長

2020年４月　当社　執行役員（営業、IT担当）

2021年４月　当社　執行役員（中国ビジネス戦略担当）

2021年４月　科意半導体没備（上海）有限公司　董事長　兼総経理

2022年４月　当社　常務執行役員（中国ビジネス戦略担当）

2022年５月　科意半導体没備（上海）有限公司　董事長

2023年４月　当社　常務執行役員（経営企画、広報・IR、サステナビリティ、中国ビジネス戦略担当）

2024年４月　当社　専務執行役員（経営企画、輸出管理、法務、知財、広報・IR、サステナビリティ担当）

2024年６月　当社　取締役　専務執行役員（経営企画、輸出管理、法務、知財、広報・IR、サステナビリティ担当）

2025年４月　当社　代表取締役　社長執行役員（業務執行の統括及び 経営企画、広報・IR管掌）

2026年４月　当社　代表取締役　社長執行役員（現任）

(注)３

333,968

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

専務執行役員

柳川　秀宏

1965年３月２日生

1988年４月　国際電気株式会社（現　株式会社国際電気）入社

2008年４月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　電子機械事業部　縦型拡散装置設計部長

2009年４月　同社　電子機械事業部　縦型成膜装置設計部　専門部長

2011年４月　同社　電子機械事業部　縦型拡散装置設計部長

2013年４月　同社　電子機械事業部　富山工場　品質保証部長

2015年４月　同社　電子機械事業部　富山工場　グループ員（Kook Je Electric Korea Co., Ltd.出向）

2017年４月　同社　理事　電子機械事業部　量産設計本部長

2018年４月　同社　執行役　電子機械事業部　生産統括本部長　兼　量産設計本部長　兼　富山事業所長

2018年６月　当社（株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）より分離）執行役員　生産統括本部長　兼　量産設計本部長　兼　富山事業所長

2019年10月　当社　執行役員　量産設計本部長　兼　富山事業所長

2020年４月　当社　執行役員　富山事業所長（製品開発、生産・品質保証担当）

2021年４月　当社　常務執行役員　事業戦略本部長（事業戦略、マーケティング戦略、営業、サービス、IT担当）

2021年４月　亜太國際電機股份有限公司（現　Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.）　董事長

2022年４月　当社　常務執行役員（事業戦略、マーケティング戦略、広報・IR、営業、DX・IT担当）

2022年４月　Kokusai Semiconductor Equipment Corporation　Board Director, Chairman ＆ CEO

2023年４月　当社　専務執行役員（事業開発、営業統括、DX・IT、情報セキュリティ担当）

2024年６月　当社　取締役　専務執行役員（事業開発、営業統括、DX・IT、情報セキュリティ担当）

2025年４月　当社　取締役 専務執行役員（事業開発担当及び DX・IT、情報セキュリティ統括）

2026年４月　当社　取締役　専務執行役員（価値創造プロセス革新担当及びセールス・アカウント統括）（現任）

(注)３

215,008

取締役

中村　正樹

1986年１月６日生

2010年４月　マッキンゼー・アンド・カンパニー　入社

2014年２月　株式会社KKRキャップストーン・ジャパン　入社

2016年４月　株式会社KKRジャパン　転籍

2017年２月　HKEホールディングス合同会社　職務執行者

2017年12月　HKEホールディングス株式会社（現当社）　取締役（現任）

2018年６月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　社外取締役

2019年４月　Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.　転籍

2021年１月　株式会社KKRジャパン　転籍　ディレクター

2023年２月　KBP株式会社　取締役（現任）

2024年１月　株式会社KKRジャパン　マネージング・ディレクター（現任）

(注)３

－

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

鶴田　雅明

1956年12月20日生

1979年４月　ソニー株式会社　入社

1998年４月　同社　統括部長

2000年４月　同社　部門長

2000年10月　同社　Deputy President

2004年７月　同社　業務執行役員

2010年４月　株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメント（現 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント）　EVP＆CTO

2013年１月　日本サムスン株式会社　代表取締役

2013年６月　株式会社トーメンデバイス　取締役

2018年１月　日本サムスン株式会社　顧問

2019年１月　株式会社フューチャードメイン　代表取締役社長（現任）

2021年６月　当社　社外取締役（現任）

(注)３

1,972

取締役

佐々木　摩美

1961年２月17日生

1983年４月　株式会社富士銀行（現　株式会社みずほ銀行）入行

1985年３月　モルガン・スタンレー・ジャパン・リミテッド（現　モルガン・スタンレーMUFG証券株式会社）入社

1991年１月　同社　ヴァイス・プレジデント

2000年12月　同社　マネージング・ディレクター

2004年４月　クレディ・スイス・ファースト・ボストン証券会社　マネージング・ディレクター

2015年６月　大東建託株式会社　社外取締役

2018年10月　三井住友トラスト・アセットマネジメント株式会社　社外取締役（監査等委員）

2025年６月　株式会社国際協力銀行　社外取締役（現任）

2025年６月　当社　社外取締役（現任）

(注)３

331

取締役

阿部　剛士

1962年３月24日生

1985年３月　インテル株式会社　入社

1996年４月　同社　応用技術本部長

1999年11月　同社　マーケティング本部　広報室長

2001年８月　同社　インテルアーキテクチャ技術本部長

2005年７月　同社　マーケティング本部長

2007年８月　同社　技術開発・製造技術本部長

2009年４月　同社　執行役員　技術開発・製造技術本部長

2011年４月　同社　取締役　執行役員　技術開発・製造技術本部長

2012年４月　同社　取締役　副社長執行役員　技術開発・製造技術本部長

2016年３月　横河電機株式会社　執行役常務　マーケティング本部長

2018年５月　アムニモ株式会社　取締役

2023年３月　シンクレスト株式会社　取締役

2025年６月　当社　社外取締役（現任）

(注)３

331

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

（監査等委員）

神谷　勇二

1957年９月12日生

1981年４月　株式会社日立製作所　入社

2007年６月　同社　電力・電気業務本部　財務本部　電機経理部長

2009年４月　同社　電機グループ　財務本部長

2011年４月　同社　交通システム社　財務本部長　兼　社会・産業システム社　財務本部長

2012年４月　同社　インフラシステム社　情報制御システム事業部　副大みか事業所長

2013年４月　同社　インフラシステム社　インフラソリューション財務本部長

2014年４月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　入社　理事　経理本部長

2015年６月　同社　執行役経理本部長

2018年６月　当社（株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）より分離）　取締役　専務執行役員　管理本部長

2021年４月　当社　取締役専務執行役員（管理部門(輸出管理、法務、知財、経理・財務、人事総務)、倫理・コンプライアンス、情報セキュリティ担当）

2022年４月　当社　取締役専務執行役員（経理・財務統括、輸出管理、法務、知財、人事総務、倫理・コンプライアンス、情報セキュリティ担当）

2023年４月　当社　取締役専務執行役員（経理・財務統括、輸出管理、法務、知財、人事総務、倫理・コンプライアンス担当）

2024年４月　当社　取締役

2024年６月　当社　取締役（監査等委員）（現任）

(注)４

318,233

取締役

（監査等委員）

熊谷　均

1969年４月22日生

1993年10月　監査法人加藤事務所（現SK東京監査法人）・公認会計士加藤事務所　入所

1997年12月　KPMG Peat Marwick LLP（現KPMG LLP）ニューヨーク事務所　入所

1998年４月　公認会計士登録

2002年10月　株式会社KPMG FAS　トランザクションサービス部門　入社

2006年10月　インテグレイトアドバイザリー株式会社（現トラスティーズFAS株式会社）　代表取締役（現任）

2007年６月　税理士登録

2010年３月　株式会社バウンダリー出版　代表取締役（現任）

2010年５月　株式会社赤坂柿山　社外監査役

2012年６月　公益財団法人自動車リサイクル促進センター　監事

2012年６月　株式会社ベリテ　社外監査役

2014年６月　Accordia Golf Trust Management Pte. Ltd.　独立取締役　報酬委員会議長　監査委員

2016年６月　日本合成化学工業株式会社（現三菱ケミカル株式会社）　独立社外取締役

2018年４月　法政大学　理工学部　兼任講師（現任）

2018年６月　株式会社セルム　社外監査役

2021年１月　当社　社外監査役

2021年６月　当社　社外取締役（監査等委員）（現任）

(注)４

1,972

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

（監査等委員）

酒井　紀子

1969年６月２日生

1997年４月　弁護士登録

1997年４月　長島・大野法律事務所（現 長島・大野・常松法律事務所）　入所

2003年１月　Paul, Hastings, Janofsky & Walker LLP（現 Paul Hastings LLP）ニューヨークオフィス　勤務

2003年６月　カリフォルニア州弁護士登録

2003年９月　太陽法律事務所（現 ポールヘイスティングス法律事務所・外国法共同事業）　勤務

2005年12月　外国法共同事業オメルベニー・アンド・マイヤーズ法律事務所　勤務

2008年２月　同事務所　パートナー

2011年１月　TMI総合法律事務所パートナー

2013年１月　丸の内国際法律事務所　開設に参画

2017年１月　ひらかわ国際法律事務所　パートナー（現任）

2021年３月　当社社外取締役

2025年６月　当社　社外取締役（監査等委員）（現任）

2025年９月　株式会社オープンアップグループ　社外取締役（監査等委員）（現任）

(注)４

1,972

取締役

（監査等委員）

関根　千津

1963年８月11日生

1989年４月　住友化学工業株式会社（現　住友化学株式会社）入社

2013年４月　同社　理事　先端材料開発研究所　研究主幹

2019年４月　株式会社住化技術情報センター　取締役副社長

2020年６月　同社　代表取締役社長

2024年６月　当社　社外取締役

2024年７月　アールバイロジェン株式会社　社外取締役（現任）

2025年３月　SBSホールディングス株式会社　社外取締役（現任）

2025年６月　蝶理株式会社　社外取締役（現任）

2025年６月　当社　社外取締役（監査等委員）（現任）

(注)４

1,401

計

875,188

　（注）１．取締役の鶴田雅明、佐々木摩美、阿部剛士、熊谷均、酒井紀子及び関根千津は独立役員の社外取締役であります。

２．当社の監査等委員会の体制は次のとおりであります。

委員長　神谷勇二、　委員　熊谷均、　委員　酒井紀子、　委員　関根千津

なお、神谷勇二は選定監査等委員であります。

３．任期は、2025年６月27日開催の定時株主総会終結の時から、2026年３月期に係る定時株主総会終結の時までであります。

４．任期は、2025年６月27日開催の定時株主総会終結の時から、2027年３月期に係る定時株主総会終結の時までであります。

５．所有株式数は、2026年３月31日現在であります。

b.2026年６月26日開催予定の定時株主総会の議案（決議事項）として、「取締役（監査等委員である取締役を除く）４名選任の件」を上程しており、当該決議が承認可決されますと、当社の役員の状況及びその任期は、以下の通りとなる予定です。

なお、役員の役職等については、当該定時株主総会の直後に開催が予定される取締役会の決議事項の内容（役職等）を含めて記載しております。

男性5名　女性3名　（役員のうち女性の比率37.5％）

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

代表取締役

社長執行役員

塚田　和徳

1965年12月６日生

1986年４月　国際電気株式会社（現　株式会社国際電気） 入社

2007年４月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　電子機械事業部　アジア営業部長

2013年４月　同社　電子機械事業部　営業本部　副本部長

2014年４月　同社　電子機械事業部　営業本部長

2014年４月　日立国際電気（上海）有限公司（現　科意半導体没備(上海)有限公司）　董事長

2018年６月　当社（株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）より分離）理事　営業本部長

2019年４月　当社　執行役員　営業本部長

2020年４月　当社　執行役員（営業、IT担当）

2021年４月　当社　執行役員（中国ビジネス戦略担当）

2021年４月　科意半導体没備（上海）有限公司　董事長　兼総経理

2022年４月　当社　常務執行役員（中国ビジネス戦略担当）

2022年５月　科意半導体没備（上海）有限公司　董事長

2023年４月　当社　常務執行役員（経営企画、広報・IR、サステナビリティ、中国ビジネス戦略担当）

2024年４月　当社　専務執行役員（経営企画、輸出管理、法務、知財、広報・IR、サステナビリティ担当）

2024年６月　当社　取締役　専務執行役員（経営企画、輸出管理、法務、知財、広報・IR、サステナビリティ担当）

2025年４月　当社　代表取締役　社長執行役員（業務執行の統括及び 経営企画、広報・IR管掌）

2026年４月　当社　代表取締役　社長執行役員（現任）

(注)３

333,968

役職名

氏名

生年月日

略歴

任期

所有株式数（株）

取締役

専務執行役員

柳川　秀宏

1965年３月２日生

1988年４月　国際電気株式会社（現　株式会社国際電気）入社

2008年４月　株式会社日立国際電気（現　株式会社国際電気）　電子機械事業部　縦型拡散装置設計部長

2009年４月　同社　電子機械事業部　縦型成膜装置設計部　専門部長

2011年４月　同社　電子機械事業部　縦型拡散装置設計部長

2013年４月　同社　電子機械事業部　富山工場　品質保証部長

2015年４月　同社　電子機械事業部　富山工場　グループ員（Kook Je Electric Korea Co., Ltd.出向）

2017年４月　同社　理事　電子機械事業部　量産設計本部長

201

２【沿革】

前述のとおり、当社は、日立国際電気における成膜プロセスソリューション事業が前身となります。日立国際電気は2018年３月に東京証券取引所市場第一部上場廃止となり、HKEホールディングスは2018年５月に日立国際電気を子会社化いたしました。その後、2018年６月に日立国際電気が会社分割を行い、同社の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングスが承継し、同時にKOKUSAI ELECTRICに商号変更して現在に至っております。

以下では、日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止までと、同社の上場廃止から現在に至るまでを２つの表に分けて記載しております。

（株式会社日立国際電気の設立から公開買付けによる上場廃止まで）

年　月

概要

1949年11月

日本政府の委託により第二次世界大戦の終戦まで外地向け通信施設の建設保守業務を担当していた国際電気通信株式会社の総合自家用工場（狛江工場）を母体として、電気通信機器及び高周波応用機器の製造販売を主目的とする国際電気株式会社を設立

1956年４月

ゲルマニウム、シリコン単結晶引上装置を受注し、半導体製造装置事業を開始

1961年９月

国際電気株式会社が東京証券取引所に上場（同年10月　市場第一部銘柄に指定）

1971年３月

アメリカのデラウェア州に現地法人Kokusai Electric Co., of Americaを設立

1977年３月

ドイツのデュッセルドルフに現地法人Kokusai Electric Europe GmbH（現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH）を設立

1989年２月

国際電気システムサービス株式会社（現 株式会社国際電気セミコンダクターサービス）を設立

1989年５月

富山事業所操業開始

1991年８月

富山事業所・トレーニングセンター開設

1993年５月

大韓民国天安市に現地法人 Kook Je Electric Korea Co., Ltd.を設立

1996年９月

台湾に亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)を設立

1997年５月

Kokusai Electric America, Inc.を持株会社に改組し、Kokusai Semiconductor Equipment Corporationを設立して半導体製造装置関連業務を移行

2000年10月

国際電気株式会社・日立電子株式会社・八木アンテナ株式会社が合併し、株式会社日立国際電気に商号変更

2001年４月

国際電気システムサービス株式会社が通信・情報部門を日立電子システムサービス株式会社に営業譲渡し、株式会社国際電気セミコンダクターサービスに商号変更

2002年５月

亜太國際電機股份有限公司(現 Kokusai Electric Asia Pacific Co., Ltd.)が、Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.（現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.)）を設立

2003年３月

米国現地法人Kokusai Semiconductor Equipment CorporationがKokusai Electric America, Inc.を吸収合併

連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の公募増資により持分法適用関連会社化　Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場に上場

2006年５月

Kokusai Electric Asia Pacific Shanghai Ltd.に追加出資し、Hitachi Kokusai Electric (Shanghai) Co., Ltd. （現 科意半導体没備(上海)有限公司(KE Semiconductor Equipment (Shanghai) Co., Ltd.)）に商号変更

2008年５月

Kokusai Electric Europe GmbHとHitachi Kokusai Electric Europe GmbHが合併し、Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHに商号変更

2009年３月

株式会社日立製作所の連結子会社となる

年　月

概要

2010年９月

持分法適用関連会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.を株式の追加取得により連結子会社化

同社の子会社Fusionaid Co., Ltd.についても連結子会社化

2010年11月

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.平澤工場を建設

2011年10月

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.がFusionaid Co., Ltd.を吸収合併

Kook Je Electric Korea Co., Ltd.天安工場を拡張

2015年２月

連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の株式を公開買付

その結果、Kook Je Electric Korea Co., Ltd.はKOSDAQ市場上場廃止

2015年９月

Hitachi Kokusai Electric Europe GmbHを新設分割し、新設分割設立会社をHitachi Kokusai Electric Europe GmbHとするとともに、分割会社をHitachi Kokusai Semiconductor Europe GmbH（現 Kokusai Semiconductor Europe GmbH）に商号変更

2016年１月

公開買付け等により連結子会社であったKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化

2017年２月

Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.を成膜プロセスソリューション事業の分割による売却先に選定し、Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.が特別目的会社であるHKEホールディングス合同会社を東京都千代田区丸の内に設立

2017年11月

富山事業所剱館完成

2017年12月

HKEホールディングス合同会社からHKEホールディングス株式会社に組織変更

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気の公開買付けを実施し、成立

2018年３月

株式会社日立国際電気が東京証券取引所市場第一部上場廃止

（株式会社日立国際電気の公開買付けによる上場廃止以降、現在に至るまで）

年　月

概要

2018年３月

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気からKook Je Electric Korea Co., Ltd.の全ての株式を取得し、完全子会社化

2018年５月

HKEホールディングス株式会社が株式会社日立国際電気を完全子会社化

2018年６月

会社分割により、株式会社日立国際電気の成膜プロセスソリューション事業をHKEホールディングス株式会社が承継し、株式会社KOKUSAI ELECTRICに商号変更

当社の完全子会社となった株式会社日立国際電気の普通株式を20％ずつ、株式会社日立製作所及びHVJホールディングス株式会社へ売却し、非連結子会社化

本店を東京都千代田区丸の内から東京都千代田区神田へ移転

2020年２月

当社が株式会社日立国際電気の全株式をHVJホールディングス株式会社に売却し、株式会社日立国際電気を非子会社化

2021年９月

その他資本剰余金99億円を資本金に振替、資本金100億円となる無償増資を実施

2022年12月

新しい企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を制定

2023年10月

東京証券取引所プライム市場に上場

これに伴い、ケイケイアール・エイチケーイー・インベストメント・エルピー（KKR　HKE　INVESTMENT L.P.）が当社の親会社からその他の関係会社に変更

2024年２月

シンガポールに現地法人Kokusai Semiconductor Singapore Pte. Ltd.を設立

2024年７月

KKR等を売出人とする当社普通株式の売出し

2024年10月

砺波事業所操業開始

2025年３月

横浜テクノロジーセンタ操業開始

2026年１月

本店を東京都千代田区神田から東京都千代田区大手町へ移転